涂胶之前，要保证晶片的质量以及涂胶工序的顺利进行，下列操作正

【名词&注释】

热扩散(thermal diffusion)、光刻胶、化学反应(chemical reaction)、离子注入(ion implantation)、各向同性(isotropic)、干法刻蚀(dry etching)、二次电子(secondary electron)、原子数(atomicity)、顺利进行、准确性。

[多选题]涂胶之前，要保证晶片的质量以及涂胶工序的顺利进行，下列操作正确的是（）。

A. 进行去水烘烤以保证晶片干燥
B. 在晶片表面涂上增粘剂以保证晶片黏附性好
C. 刚刚处理好的晶片应立即涂胶
D. 贮存的晶片在涂胶前必须再次清洗及干燥
E. 也可以直接使用贮存的晶片

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[多选题]下列扩散杂质源中，（）不仅是硅常用的施主杂质，也是锗常用的施主杂质。

A. 硼
B. 锡
C. 锑
D. 磷
E. 砷

[单选题]在热扩散工艺中的预淀积步骤中，磷的扩散温度为（）。

A. 600～750℃
B. 900～1050℃
C. 1100～1250℃
D. 950～1100℃

[单选题]在靶片前方设一抑制栅，作用是将（）抑制回去，从而保证测量的准确性。

A. 二次电子^{(secondary electron)}
B. 二次中子
C. 二次质子
D. 无序离子

[单选题]由于干法刻蚀中是同时对晶片上的光刻胶及裸露出来的薄膜进行刻蚀的，所以其（）就比以化学反应的方式进行刻蚀的湿法还来得差。

A. 刻蚀速率
B. 选择性
C. 各向同性
D. 各向异性

[单选题]薄膜沉积的机构，依发生的顺序，可以分为这几个步骤。其中不包括（）。

A. 形成晶核
B. 晶粒自旋
C. 晶粒凝结
D. 缝道填补

[单选题]（）是指每个入射离子溅射出的靶原子数^(atomicity)。

A. 溅射率
B. 溅射系数
C. 溅射效率
D. 溅射比

[单选题]阳树脂用盐酸做再生液，浓度为（）溶液可用原水配制。

A. 5％
B. 10%
C. 15%
D. 20%

[单选题]由静电释放产生的电流泄放最大电压可以达（）。

A. 几伏
B. 几十伏
C. 几百伏
D. 几万伏

[单选题]有机性气体大多产生在下列哪道工艺（）。

A. 离子注入
B. 刻蚀
C. 扩散
D. 光刻

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