多晶硅栅极刻蚀最大的挑战就是对（）的高选择性。超薄的栅氧化层

【名词&注释】

电子束蒸发(electron beam evaporation)、光刻胶、单晶硅(single crystal silicon)、真空蒸发(vacuum evaporation)、氮化硅(silicon nitride)、硅树脂、感光剂(photosensitizer)、多晶硅栅(polysilicon gate)、粒子束(particle beams)、离子束蒸发(ion beam evaporation)

[单选题]多晶硅栅^{(polysilicon gate)}极刻蚀最大的挑战就是对（）的高选择性。超薄的栅氧化层使得在刻蚀多晶硅电极时对栅氧化层的刻蚀要尽可能的小。

A. 二氧化硅
B. 氮化硅
C. 单晶硅
D. 多晶硅

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学习资料：

[多选题]光刻胶主要由（）等不同材料混合而成的。

A. 树脂
B. 感光剂^{(photosensitizer)}
C. HMDS
D. 溶剂
E. PMMA

[多选题]按加热源的不同，可以分成（）几种不同类型的蒸发。

A. 真空蒸发
B. 离子束蒸发^{(ion beam evaporation)}
C. 电子束蒸发
D. 粒子束^{(particle beams)}蒸发
E. 常压蒸发

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