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考虑一个特殊的半导体样品,通过计算,已知少子辐射复合寿命为15

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    半导体(semiconductor)、表面温度(surface temperature)

  • [单选题]考虑一个特殊的半导体样品,通过计算,已知少子辐射复合寿命为150μs,俄歇复合寿命为50μs,陷阱复合过程的寿命为25μs,假设没有其它的有效复合过程,那么该材料少子的净寿命是()

  • A. 15μs
    B. 225μs
    C. 1.5μs
    D. 20μs

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  • 学习资料:
  • [单选题]太阳是距离地球最近的恒星,由炽热气体构成的一个巨大球体,中心温度约为10的7次方K,表面温度接近5800K,主要由()(约占80%)和()(约占19%)组成。
  • A. 氧、氧
    B. 氢、氦
    C. 氮、氢
    D. 氮、氦

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