【导读】
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1. [单选题]关于N型半导体的下列说法,正确的是()。
A. A.只存在一种载流子:自由电子
B. B.在二极管中,N型半导体一侧接出引线后,是二极管的正极
C. C.在纯净的硅衬底上,分散三价元素,可形成N型半导体
D. D.在PNP型的晶体管中,基区正是由N型半导体构成
2. [单选题]N型半导体中的多数载流子(majority carrier)是()。
A. A.自由电子
B. B.空穴
C. C.束缚电子(bound electron)
D. D.晶格上的离子
3. [单选题]一般来说,本征半导体的导电能力(),当掺入某些适当微量元素后其导电能力()。
A. A.很强/更强
B. B.很强/降低
C. C.很弱/提高
D. D.很弱/更弱
4. [单选题]下列描述中不属于本征半导体的基本特征是()。
A. A.温度提高导电能力提高
B. B.有两种载流子
C. C.电阻率很小,接近金属导体
D. D.参杂质后导电能力提高
5. [单选题]对于晶体二极管来说,以下说法错误的是()。
A. A.正向电阻很小
B. B.无论加多大的反向电压,都不会导通
C. C.未被反向击穿前,反向电阻很大
D. D.所加正向电压大于死区电压时,二极管才算真正导通
6. [单选题]整流电路的目的是()。
A. A.直流电变交流电
B. B.电压放大
C. C.交流电变直流电
D. D.功率放大
7. [单选题]晶体管工作在放大区的条件是()。
A. A.发射结正向偏置,集电结(collector junction)反向偏置
B. B.发射结反向偏置,集电结(collector junction)正向偏置
C. C.发射结正向偏置,集电结(collector junction)正向偏置
D. D.发射结反向偏置,集电结(collector junction)反向偏置
8. [单选题]晶体三极管工作时,温度升高其死区电压();输入特性曲线()。
A. A.减小/右移
B. B.增大/右移
C. C.增大/左移
D. D.减小/左移
9. [单选题]在三极管基本放大电路中,为了获得最大的不失真电压放大,应该将静态工作点设置在三极管的()。
A. A.放大区中央部分
B. B.放大区即可
C. C.饱和区
D. D.截止区
10. [单选题]已经导通的可控硅,欲使其关断,下列哪种方法不可取的是()。
A. A.断开阳极电路
B. B.使阳极电流小于维持电流
C. C.断开控制极电路
D. D.阳极-阴极间加反向电压