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扩散工艺使杂质由半导体晶片表面向内部扩散,改变了晶片(),所

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  • 【名词&注释】

    半导体(semiconductor)、分辨率(resolution)、黏附性(adhesion ability)、扩散工艺(diffusion process)、激光退火(laser annealing)、电子束退火(electron beam annealing)、顺利进行、离子束退火

  • [多选题]扩散工艺使杂质由半导体晶片表面向内部扩散,改变了晶片(),所以晶片才能被人们所使用。

  • A. 内部的杂质分布
    B. 表面的杂质分布
    C. 整个晶体的杂质分布
    D. 内部的导电类型
    E. 表面的导电类型

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  • 学习资料:
  • [单选题]钠、钾等大离子在二氧化硅结构中是()杂质。
  • A. 替位式
    B. 间隙式
    C. 施主
    D. 可能是替位式也可能是间隙式

  • [多选题]关于正胶和负胶的特点,下列说法正确的是()。
  • A. 正胶在显影时不会发生膨胀,因此分辨率高于负胶
    B. 正胶的感光区域在显影时不溶解,负胶的感光区域在显影时溶解
    C. 负胶在显影时不会发生膨胀,因此分辨率不会降低
    D. 正胶的感光区域在显影时溶解,负胶的感光区域在显影时不溶解
    E. 负胶在显影时会发生膨胀,导致了分辨率的降低

  • [多选题]涂胶之前,要保证晶片的质量以及涂胶工序的顺利进行,下列操作正确的是()。
  • A. 进行去水烘烤以保证晶片干燥
    B. 在晶片表面涂上增粘剂以保证晶片黏附性好
    C. 刚刚处理好的晶片应立即涂胶
    D. 贮存的晶片在涂胶前必须再次清洗及干燥
    E. 也可以直接使用贮存的晶片

  • [单选题]目前,最广泛使用的退火方式是()。
  • A. 热退火
    B. 激光退火
    C. 电子束退火(electron beam annealing)
    D. 离子束退火

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