集成电路制造工艺员（三级）题库2022模拟试题109

1. [单选题]在集成电路工艺中，光复制图形和材料刻蚀相结合^{(combination)}的工艺技术是（）。

A. 刻蚀
B. 氧化
C. 淀积
D. 光刻

2. [单选题]晶体中，每个原子在晶格中有一定的平衡位置^{(equilibrium position)}，原子在此位置时其势能为（）。

A. 极大值
B. 极小值
C. 既不极大也不极小
D. 小于动能

3. [单选题]Torr是指（）的单位。

A. 真空度
B. 磁场强度
C. 体积
D. 温度

4. [单选题]为了解决中性束对注入均匀性的影响，可在系统中设有（），使离子束偏转后再达到靶室。

A. 磁分析器^(analyzer)
B. 正交电磁场分析器^(analyzer)
C. 静电偏转电极
D. 束流分析仪

5. [单选题]在IC芯片生长中浅沟槽隔离技术STI逐渐取代了局部氧化LOCOS所制成的（）而成为相邻电子元件的绝缘体

A. 栅氧化层
B. 沟槽
C. 势垒
D. 场氧化层^{(field oxide)}

6. [单选题]决定吸附原子彼此间能否形成一个稳定的核团，以便于进行凝结的主要因素主宰于所形成的核团是否（）而定。

A. 动能最低
B. 稳定
C. 运动
D. 静止

7. [单选题]由于离子交换树脂反应，它既可以去除水中杂质离子，又可以将失效树脂进行处理，恢复交换能力，所以称为（）反应。

A. 置换
B. 化学
C. 不可逆
D. 可逆

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