2022半导体芯片制造中级工题库模拟考试库107

1. [单选题]说明构成每个单元所需的基本门和基本单元的集成电路设计过程叫（）：

A. A、逻辑设计
B. B、物理设计
C. C、电路设计
D. D、系统设计

2. [单选题]位错的形成原因是（）。

A. 位错就是由弹性形变造成的
B. 位错就是由重力造成的
C. 位错就是由范性形变造成的
D. 以上答案都不对

3. [单选题]在温度相同的情况下，制备相同厚度的氧化层，分别用干氧，湿氧和水汽氧化，哪个需要的时间最长？（）

A. A、干氧
B. B、湿氧
C. C、水汽氧化
D. D、不能确定哪个使用的时间长^{(a long time)}

4. [单选题]介质隔离^{(dielectric isolation)}是以绝缘性能良好的电介质^(dielectric)作为“隔离墙”来实现电路中各元器件间彼此电绝缘^{(electrical insulation)}的一种隔离方法。常用的电介质^(dielectric)是（）层。

A. 多晶硅
B. 氮化硅
C. 二氧化硅

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