必典考网

在刻蚀二氧化硅过程中假如我们在CF4的()内加入适量的氢气,能

  • 下载次数:
  • 支持语言:
  • 1594
  • 中文简体
  • 文件类型:
  • 支持平台:
  • pdf文档
  • PC/手机
  • 【名词&注释】

    分辨率(resolution)、磁分析器(magnetic analyzer)、密切相关(closely related)

  • [单选题]在刻蚀二氧化硅过程中假如我们在CF4的()内加入适量的氢气,能够降低刻蚀的速率。

  • A. 气体
    B. 等离子体
    C. 固体
    D. 液体

  • 查看答案&解析 查看所有试题
  • 学习资料:
  • [单选题]He,OH,Na等元素在900℃下,在二氧化硅中的扩散率大于10-13cm2/s,这些元素称为()。
  • A. 活跃杂质
    B. 快速扩散杂质
    C. 有害杂质
    D. 扩散杂质

  • [多选题]关于正胶和负胶的特点,下列说法正确的是()。
  • A. 正胶在显影时不会发生膨胀,因此分辨率高于负胶
    B. 正胶的感光区域在显影时不溶解,负胶的感光区域在显影时溶解
    C. 负胶在显影时不会发生膨胀,因此分辨率不会降低
    D. 正胶的感光区域在显影时溶解,负胶的感光区域在显影时不溶解
    E. 负胶在显影时会发生膨胀,导致了分辨率的降低

  • [单选题]损伤的分布与注入离子在在靶内的()的分布密切相关。
  • A. 能量淀积
    B. 动量淀积
    C. 能量振荡
    D. 动量振荡

  • [单选题]()的气体源中一般包含H+,C+,B+,Cl+,O+等离子。
  • A. Cl2
    B. BCl3
    C. CO2
    D. H2

  • [单选题]在磁分析器中常用()分析磁铁。
  • A. 柱形
    B. 扇形
    C. 方形
    D. 圆形

  • 本文链接:https://www.51bdks.net/show/5nx0ol.html
  • 推荐阅读

    必典考试
    @2019-2025 必典考网 www.51bdks.net 蜀ICP备2021000628号 川公网安备 51012202001360号