晶硅栅极刻蚀最大的挑战就是对二氧化硅的高选择性。超薄的（）使

【名词&注释】

电子束蒸发(electron beam evaporation)、选择性(selectivity)、多晶硅(polysilicon)、等离子(plasma)、真空蒸发(vacuum evaporation)、粒子束(particle beams)、场氧化层(field oxide)、离子束蒸发(ion beam evaporation)

[单选题]晶硅栅极刻蚀最大的挑战就是对二氧化硅的高选择性。超薄的（）使得在刻蚀多晶硅电极时对它的刻蚀要尽可能的小。

A. n型掺杂区
B. P型掺杂区
C. 栅氧化层
D. 场氧化层^{(field oxide)}

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[单选题]在刻蚀（）过程中假如我们在CF5的等离子体内加入适量的氧气，能够提高刻蚀的速率。

A. 铜
B. 铝
C. 金
D. 二氧化硅

[多选题]按加热源的不同，可以分成（）几种不同类型的蒸发。

A. 真空蒸发
B. 离子束蒸发^{(ion beam evaporation)}
C. 电子束蒸发
D. 粒子束^{(particle beams)}蒸发
E. 常压蒸发

[多选题]树脂使用过程中需保持一定温度，阳树脂和阴树脂分别不能高于（）度，使用温度不能过低，低于0度会使树脂冻裂。

A. 80
B. 60
C. 40
D. 20
E. 10

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