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在新一代的CMP中,有使用()磨料在金属表面上形成软质皮膜并加

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    扫描电镜(sem)、离子注入(ion implantation)、功率密度(power density)、新一代(new generation)、测厚仪(thickness gauge)、微电子(microelectronics)、激光束(laser beam)、氧化铬(chromium oxide)、激光退火(laser annealing)、干涉显微镜(interference microscope)

  • [单选题]在新一代的CMP中,有使用()磨料在金属表面上形成软质皮膜并加以去除的趋势。

  • A. 二氧化锰
    B. 铝
    C. 氧化铬(chromium oxide)
    D. 金刚石

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  • 学习资料:
  • [单选题]()就是用功率密度很高的激光束(laser beam)照射半导体表面,使其中离子注入层在极短的时间内达到高温,消除损伤。
  • A. 热退火
    B. 激光退火(laser annealing)
    C. 连续激光退火(laser annealing)
    D. 脉冲激光退火(laser annealing)

  • [多选题]下列物质的等离子体适合用以刻蚀铝合金中硅的有()。
  • A. CF4
    B. BCl3
    C. Cl2
    D. F2
    E. CHF3

  • [多选题]微电子领域内,下列测厚仪中属于有台阶的测厚仪为()。
  • A. 台阶仪
    B. 干涉显微镜(interference microscope)
    C. 光切显微镜
    D. 扫描电镜
    E. 椭偏仪

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