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集成电路制造工艺员(三级)题库2022全套模拟试题263

来源: 必典考网    发布:2022-09-21     [手机版]    
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必典考网发布集成电路制造工艺员(三级)题库2022全套模拟试题263,更多集成电路制造工艺员(三级)题库的模拟考试请访问必典考网集成电路制造工艺员题库频道。

1. [单选题]采用热氧化方法制备的二氧化硅从结构上看是()的。

A. 结晶形态
B. 非结晶形态
C. 可能是结晶形态的,也可能是非结晶形态的
D. 以上都不对


2. [多选题]按曝光的光源分类,曝光可以分为()。

A. 光学曝光
B. 离子束曝光
C. 接近式曝光
D. 电子束曝光
E. 投影式曝光


3. [多选题]哪种方法可以增加缺陷的积累率而降低临界注入量:()。

A. 低温注入
B. 常温注入
C. 高温注入
D. 分子注入
E. 双注入


4. [多选题]直流二极管辉光放电系统是由()构成。

A. 抽真空的玻璃管(glass tube)
B. 抽真空后再充入某种低压气体的玻璃管(glass tube)
C. 两个电极
D. 加速器
E. 增益管


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