【导读】
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1. [单选题]关于P型半导体的下列说法,错误的是()。
A. A.空穴是多数载流子(majority carrier)
B. B.在二极管中,P型半导体一侧接出引线后,是二极管的正极
C. C.在纯净的硅衬底上,掺杂五价元素,可形成P型半导体
D. D.在NPN型的晶体管中,基区正是由P型半导体构成
2. [单选题]在采用动圈式模拟万用表的欧姆挡检测二极管的极性时一般使用()挡,这是因为()。
A. A.R×100/防止过压反响击穿二极管
B. B.R×100/防止二极管导通时正向电流过大而烧坏
C. C.R×1/防止过压反响击穿二极管
D. D.R×1/防止二极管导通时正向电流过大而烧坏
3. [单选题]在单相半波整流电路中,整流二极管的反向耐压必须大于()。
A. A.输出的平均电压值
B. B.所接负载电压值
C. C.变压器副边电压最大值
D. D.变压器副边电压有效值
4. [单选题]二极管全波整流电路,所获得的直流电压平均值为输入整流装置的交流电压有效值的()。
A. A.0.9
B. B.0.45
C. C.0.5
D. D.0.725
5. [单选题]单相半波或全波整流电路经电容滤波后的输出电压随着负载电阻增大,其脉动程度()。
A. A.不一定
B. B.变大
C. C.变小
D. D.不变
6. [单选题]为了获得比较平滑的直流电压,需在整流电路后加滤波电路,滤波电路的作用是();滤波效果最好的是()滤波电路。
A. A.滤掉交流成分/电感
B. B.滤掉直流成分/电容
C. C.滤掉交流成分/П型
D. D.滤掉直流成分/Г型
7. [单选题]晶体管工作在饱和区的条件是()。
A. A.发射结正向偏置,集电结(collector junction)反向偏置
B. B.发射结反向偏置,集电结(collector junction)正向偏置
C. C.发射结正向偏置,集电结(collector junction)正向偏置
D. D.发射结反向偏置,集电结(collector junction)反向偏置
8. [单选题]测得某PNP型晶体管三个极的电位分别为VC=0.4V、VB=1.5V、VE=1.2V,可判断该管工作于()状态。
A. A.截止
B. B.饱和导通
C. C.线性放大
D. D.非线性放大
9. [单选题]测得某个NPN型晶体管E、B、C三个电极电位分别为0.4V、0.2V和1.5V可判断该管处于()工作状态。
A. A.完全截止
B. B.完全导通
C. C.线性放大
D. D.饱和导通
10. [单选题]在三极管基本放大电路中,测试发现静态工作点已经设置在放大区中央部分,但同时出现截止和饱和失真。这说明()。
A. A.测试错误
B. B.输入的信号幅度过大
C. C.为消除失真,应增大三极管基极静态输入电流
D. D.为消除失真,应减小三极管基极静态输入电流