高压隔离开关动稳定的效验条件是隔离开关动稳定电流iF.sh（）线

【名词&注释】

单片机(mcu)、技术革新(technical innovation)、晶体三极管(crystal triode)、成果鉴定(achievement appraisal)、变配电所(substation and distribution station)、大多数(most)、位微处理器、三相半波整流电路

[单选题]高压隔离开关动稳定的效验条件是隔离开关动稳定电流iF.sh（）线路三相短路产生的冲击电流ish。

A. A、大于B、等于C、小于D、不大于

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学习资料：

[单选题]晶体三极管的输入特性曲线呈（）。

A. 线性；
B. 非线性；
C. 开始是线性；
D. 开始是非线性;

[单选题]为提高三相半波整流电路带大电感负载的整流平均电压，可采取（）。

A. A、加补偿电容B、减少负载电阻C、提高电源频率D、加续流二极管

[单选题]一般中型可编程控制器PLC大多数^(most)采用（）。

A. A、8位微处理器或单片机
B. B、16位微处理器或单片机
C. C、32位微处理器或单片机
D. D、高速位单片机

[单选题]当系统频率降至（）以下时，运行人员立即按“紧急拉路程序表”的顺序紧急拉路，使频率回升。

A. A、46HzB、47HzC、48HzD、49Hz

[多选题]进行技术革新成果鉴定必要的条件是（）。

A. A、技术革新确实取得了良好的效果B、申报单位编制好技术革新成果汇报C、确定鉴定小组人员、资格D、确定鉴定的时间、地点和参加人员，提供鉴定时所需各种要求

[多选题]变配电所的接地方式有（）。

A. A、自然接地B、水平接地C、垂直接地D、复合接地

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