集成电路制造工艺员（三级）题库2022考前模拟考试138

1. [单选题]用电容－电压技术来测量扩散剖面分布是用了（）的原理。

A. pn结理论
B. 欧姆定律
C. 库仑定律
D. 四探针技术

2. [单选题]在热扩散工艺中的预淀积步骤中，砷和锑的扩散温度为（）。

A. 1050～1200℃
B. 900～1050℃
C. 1100～1250℃
D. 1200～1350℃

3. [单选题]降低靶的温度，有利于^{(beneficial to)}非晶层的形成，所以临界注入量随之（）。

A. 增大
B. 减小
C. 不变
D. 变为0

4. [单选题]引出系统要求能引出分散性较好的强束流，还希望具有较（）的气阻。

A. 无序
B. 稳定
C. 小
D. 大

5. [单选题]由于干法刻蚀中是同时对晶片上的光刻胶及裸露出来的薄膜进行刻蚀的，所以其（）就比以化学反应的方式进行刻蚀的湿法还来得差。

A. 刻蚀速率
B. 选择性
C. 各向同性
D. 各向异性

6. [单选题]电离气体与普通气体的不同之处在于：后者是由电中性^{(electroneutrality)}的分子或原子组成的，前者则是（）和中性粒子组成的集合体。

A. 离子
B. 原子团
C. 电子
D. 带电粒子^{(charged particle)}

7. [单选题]为了保证保护装置能可靠地动作，27.5A的接地电流只能保证断开动作电流不超过多少的继电保护装置。（）

A. 18.3A
B. 13.8A
C. 11A
D. 9.2A

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