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集成电路制造工艺员(三级)题库2022易错每日一练(06月26日)

来源: 必典考网    发布:2022-06-26     [手机版]    
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必典考网发布集成电路制造工艺员(三级)题库2022易错每日一练(06月26日),更多集成电路制造工艺员(三级)题库的每日一练请访问必典考网集成电路制造工艺员题库频道。

1. [多选题]关于正胶和负胶的特点,下列说法正确的是()。

A. 正胶在显影时不会发生膨胀,因此分辨率高于负胶
B. 正胶的感光区域在显影时不溶解,负胶的感光区域在显影时溶解
C. 负胶在显影时不会发生膨胀,因此分辨率不会降低
D. 正胶的感光区域在显影时溶解,负胶的感光区域在显影时不溶解
E. 负胶在显影时会发生膨胀,导致了分辨率的降低


2. [单选题]晶体中,每个原子在晶格中有一定的平衡位置(equilibrium position),原子在此位置时其势能为()。

A. 极大值
B. 极小值
C. 既不极大也不极小
D. 小于动能


3. [多选题]电荷积分仪的基本单元包括()。

A. I-V转换
B. V-f转换
C. 十进制计数电路
D. 控制电路
E. 红外探测器


4. [单选题]晶硅栅极刻蚀最大的挑战就是对二氧化硅的高选择性。超薄的()使得在刻蚀多晶硅电极时对它的刻蚀要尽可能的小。

A. n型掺杂区
B. P型掺杂区
C. 栅氧化层
D. 场氧化层(field oxide)


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