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集成电路制造工艺员题库2022集成电路制造工艺员(三级)题库终极模考试题163

来源: 必典考网    发布:2022-06-13     [手机版]    
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必典考网发布集成电路制造工艺员题库2022集成电路制造工艺员(三级)题库终极模考试题163,更多集成电路制造工艺员(三级)题库的模拟考试请访问必典考网集成电路制造工艺员题库频道。

1. [单选题]二氧化硅生长过程中,当分凝系数小于1时,会使二氧化硅-硅界面处硅一侧的杂质浓度(impurity concentration)()。

A. 降低
B. 增加
C. 不变
D. 先降低后增加


2. [单选题]晶体中,每个原子在晶格中有一定的平衡位置,原子在此位置时其势能为()。

A. 极大值
B. 极小值
C. 既不极大也不极小
D. 小于动能


3. [单选题]一般用()测量注入的剂量。

A. 剂量分布仪
B. 剂量统计仪
C. 电荷分析仪
D. 电荷积分仪


4. [单选题]悬浮在空气中的颗粒称为()。

A. 悬浮物
B. 尘埃
C. 污染颗粒
D. 浮质


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