【导读】
必典考网发布2022半导体材料题库智能每日一练(05月24日),更多半导体材料题库的每日一练请访问必典考网物理学题库频道。
1. [单选题]悬浮区熔法检验多晶硅中基磷含量时,采用快速区熔法的工艺时,第一次区熔时,第一区熔区停留挥发时间()左右。
A. 3min B. 5min C. 7min D. 10min