在热扩散工艺中的预淀积步骤中，砷和锑的扩散温度为（）。

【名词&注释】

热扩散(thermal diffusion)、光刻胶、加热器(heater)、真空镀膜(vacuum coating)、干法刻蚀(dry etching)、氮化物(nitride)

[单选题]在热扩散工艺中的预淀积步骤中，砷和锑的扩散温度为（）。

A. 1050～1200℃
B. 900～1050℃
C. 1100～1250℃
D. 1200～1350℃

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[多选题]下列可作为磷扩散源的是（）。

A. 磷钙玻璃
B. 三氯氧磷
C. 三氯化磷
D. 磷烷
E. 掺磷二氧化硅乳胶源

[单选题]在热扩散工艺中的预淀积步骤中，硼在900～1050℃的条件下，扩散时间大约（）为宜。

A. 4～6h
B. 50min～2h
C. 10～40min
D. 5～10min

[多选题]关于正胶和负胶的特点，下列说法正确的是（）。

A. 正胶在显影时不会发生膨胀，因此分辨率高于负胶
B. 正胶的感光区域在显影时不溶解，负胶的感光区域在显影时溶解
C. 负胶在显影时不会发生膨胀，因此分辨率不会降低
D. 正胶的感光区域在显影时溶解，负胶的感光区域在显影时不溶解
E. 负胶在显影时会发生膨胀，导致了分辨率的降低

[多选题]下列有关ARC工艺的说法正确的是（）。

A. ARC可以是硅的氮化物^(nitride)
B. 可用干法刻蚀^{(dry etching)}除去
C. ARC膜可以通过PVD或者CVD的方法形成
D. ARC在刻蚀中也可做为掩蔽层
E. ARC膜也可以通过CVD的方法形成

[多选题]通常情况下，我们改变工艺条件使刻蚀进行中（）的刻蚀速率尽量低。

A. 光刻胶
B. 衬底
C. 表面硅层
D. 扩散区
E. 源漏区

[单选题]真空镀膜室内，在蒸发源加热器与衬底加热器之间装有活动挡板，用来（）。

A. 隔挡气体交换
B. 控制蒸发的过程
C. 辅助热量交换
D. 温度调节

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