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为了实现串联结构,有必要在部开发禁带宽度更广的()。

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    常温下(normal temperature)、半导体硅(semiconductor silicon)

  • [填空题]为了实现串联结构,有必要在部开发禁带宽度更广的()。

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  • [单选题]常温下本征半导体硅的禁带宽度为()eV。
  • A. A.1.12B.2.14C.1.42D.0.92

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