集成电路制造工艺员题库2022集成电路制造工艺员（三级）题库模拟考试冲刺试题108

1. [单选题]在热扩散工艺中的预淀积步骤中，磷的扩散温度为（）。

A. 600～750℃
B. 900～1050℃
C. 1100～1250℃
D. 950～1100℃

2. [多选题]离子注入的主要气体源中，易燃、易爆的有（）。

A. 砷化氢
B. 二硼化氢
C. 三氟化硼
D. 硅烷
E. 氧气

3. [多选题]铜与铝相比较，其性质有（）。

A. 铜的电阻率比铝小
B. 铝的熔点较高
C. 铝的抗电迁移能力较弱
D. 铜与硅的接触电阻较小
E. 铜可以在低温下淀积

4. [多选题]下列物质的等离子体适合用以刻蚀铝合金中硅的有（）。

A. CF4
B. BCl3
C. Cl2
D. F2
E. CHF3

5. [单选题]请在下列选项中选出硅化金属的英文简称：（）。

A. A.OxideB.NitrideC.SilicideD.Polycide

6. [单选题]将具有交换能力的阳树脂和阴树脂按一定比例混合后，装在聚氯乙稀或有机玻璃做的圆柱形交换柱内，自来水^{(tap water)}（）通过交换柱就能称为高纯度去离子水。

A. 自上而下
B. 自下而上
C. 自左而右
D. 自右而左

7. [单选题]为了保证保护装置能可靠地动作，27.5A的接地电流只能保证断开动作电流不超过多少的继电保护装置。（）

A. 18.3A
B. 13.8A
C. 11A
D. 9.2A

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