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- 只涉及到大约一个原子大小范围的晶格缺陷是（）。蒸压加气混凝土砌块（GB/T11968-2006）标准中,蒸压加气混凝土砌块干燥收缩值的试验按（）规定进行。采用有顶压的夹片式锚具时,锚具变形和预应力筋内缩值的限值为（）
- 表面态中性能级位于费米能级以上时,该表面态为（）；以下关于砼拌合物泌水试验的泌水量含义的说法,不正确的有（）。以下关于砼拌合物泌水试验的泌水率含义的说法,不正确的有（）。高强钢丝束可以采用的锚具有（）按
- 下列是晶体的是（）。毛石墙和砖墙相接的转角处和交接处应同时砌筑。转角处、交接处应自纵墙每个4-6皮砖高度引出不小于（）与横墙相接。水泥强度是硬化水泥石能承受外力破坏的能力,根据受力形式不同可分三种,（）除
- 在通常情况下,GaN呈（）型结构。以下有关砼拌合物稠度的说法,正确的有（）。对既有建筑物或应委托方要求仅对建筑物的部分或个别部位检测时,一个检测单元的测区数不宜少于（）个。纤锌矿型；#
闪锌矿型；
六方对称性
- 载流子的扩散运动产生扩散电流,漂移运动产生（）电流。蒸压加气混凝土性能试验方法（GB/T11969-2008）标准进行蒸压加气混凝土抗冻性试验时,每隔（）次循环检查并记录试件在冻融过程中的破坏情况。普通混凝土小型空心
- 与半导体相比较,绝缘体的价带电子激发到导带所需的能量（）普通混凝土小型空心砌块（GB8239-1997）标准中规定普通混凝土小型空心砌块的最小外壁厚应不小于（）,最小肋厚应不小于（）。以下关于大体积砼养护的说法,正
- 对于大注入下的直接复合,非平衡载流子的寿命不再是个常数,它与（）。各种检测强度的最终计算或推定结果,砌体的抗压强度和抗剪强度均应精确至（）。原位双剪法检测时,下列哪些部位不应布设测点（）。A.非平衡载流子浓
- 杂质半导体中的载流子输运过程的散射机构中,当温度升高时,电离杂质散射的概率和晶格振动声子的散射概率的变化分别是（）砌墙砖试验方法（GB/T2542-2003）标准中做抗折强度试验时,在完成墙体的受压工作应力测试后,当
- 如果杂质既有施主的作用又有受主的作用,则这种杂质称为（）。在光线作用下,能使物体产生一定方向的电动势的现象称（）A.施主B.受主C.复合中心D.两性杂质A.光电效应B.光生伏特效应C.内光电效应D.外光电效应
- 如在半导体的禁带中有一个深杂质能级位于禁带中央,则它对电子的俘获率（）空穴的俘获率。砌体工程验收前,应提供下列文件和记录（）。在工业生产中广泛用的是（）把磷化镓在氮气氛中退火,会有氮取代部分的磷,这会在磷
- 最有效的复合中心能级位置在Ei附近；最有利陷阱作用的能级位置在（）附近,常见的是少子陷阱。以下（）尺寸和形状的试件是砼静力受压弹性模量非标准试件。（）是指水泥的一种不正常的早期固化或过早变硬现象,水泥加水
- 判断向量相等的依据是（）对100×100×400mm的砼抗折非标准试件,其强度值尺寸换算系数正确的有（）。高分子防水卷材第一部分片材中拉伸试验试样制备采用GB/T528-1998中Ⅰ型哑铃片的有（）。玻璃网络外体的单键能一般小
- 在光线作用下,能使物体产生一定方向的电动势的现象称（）黏土中混入的硫酸盐主要是（）。A.光电效应B.光生伏特效应C.内光电效应D.外光电效应A、方解石
B、赤铁矿
C、石膏#
D、菱镁矿
- 影响单晶内杂质数量及分布的主要因素是（）①原材料中杂质的种类和含量；②杂质的分凝效应；③杂质的蒸发效应；④生长过程中坩埚或系统内杂质的沾污；⑤加入杂质量；以下关于砼拌合物坍落度和坍落扩展度测值精确度的说法,
- PN结的基本特性是（）钢获得下列哪种组织时有最佳的综合机械性能（）一次风占燃烧所需要空气量的（）。单向导电性#
半导性
电流放大性
绝缘性A、M+K
B、P+F
C、B下
D、M+P#A、15％－30％#
B、20％―50％
C、40％―60％
- 铸造多晶硅中的氧主要来源不包括（）头尾料和锅底料中含有的氧
晶体生长过程中硅熔体与石英坩埚作用引入的氧
石墨加热器与坩埚反应引入的氧
外界空气的进入#
- 下列哪一个迁移率的测量方法适合于低阻材料少子迁移率测量（）砌墙砖试验方法（GB/T2542-2003）标准中抗折强度试验的抗折夹具的上压辊和下支辊的曲率半径为（）,下支辊应有一个为铰接固定。粉煤灰砖（JC239-2001）标
- 下列哪个不是单晶常用的晶向（）金属的塑性变形主要是通过下列哪种方式进行的（）常见的齿轮材料20CrMnTi的最终热处理工艺应该是（）氯氧镁水泥也称（）A.（100）B.（001）C.（111）D.（110）A、晶粒的相对滑动
B、
- 光子传感器是利用某些半导体材料在入射光的照下,产生（）.使材料的电学性质发生变化。通过测量电学性质的变化,可以知道红外辐射的强弱。光子效应所制成的红外探测器。蒸压加气混凝土性能试验方法（GB/T11969-2008）
- 原子晶体中的原子与原子之间的键能随原子间距的而迅速（）原位双剪法检测时,下列哪些部位不应布设测点（）。与半导体相比较,绝缘体的价带电子激发到导带所需的能量（）减小,减小
减小,增大
增大,增大
增大,减小#门、
- 悬浮区熔的优点不包括（）砌墙砖试验方法（GB/T2542-2003）标准中规定高度应在砖的两个（）的中间处分别测量两个尺寸。当被测处有缺损或凸出时,可在其旁边测量,但应选择不利的一侧。精确至（）。轻集料混凝土小型空
- 热处理中氧沉淀的形态不包括（）水洗分析法砼配合比分析试验不适用于以下（）砼的试验。下列诸材料被称为低变形钢适合作冷作模具的是（）填充墙砌体砌筑,应待承重主体结构检验批验收合格后进行。填充墙与承重主体结
- 可用作硅片的研磨材料是（）砌墙砖试验方法（GB/T2542-2003）标准中砖的泛霜试验,一般烧结普通砖用（）,烧结多孔砖用（）,烧结空心砖用（）进行试验。以下关于砼拌合物含气量试验的说法,正确的有（）。水洗分析法砼
- 铸造多晶硅中氢的主要作用包括（）混凝土小型空心砌块试验方法（GB/T4111-1997）标准中块体密度试验中质量精确至（）。蒸压加气混凝土性能试验方法（GB/T11969-2008）标准进行蒸压加气混凝土抗冻性试验时,每隔（）次
- 对于同时存在一种施主杂质和一种受主杂质的均匀掺杂的非简并半导体,在温度足够高、ni>>/ND-NA/时,半导体具有（）半导体的导电特性。拉伸试件尺寸为（250~320）mm×50mm卷材有（）。砖砌体基础顶面和楼面标高允
- 把磷化镓在氮气氛中退火,会有氮取代部分的磷,这会在磷化镓中出现（）。以下关于砼劈裂抗拉强度试验加荷速度的描述符合标准规定的有（）。对静载锚固实验,下列说法正确的是（）切制抗压试件用水泥砂浆找平后,试件上下
- 硅片抛光在原理上不可分为（）砌墙砖试验方法（GB/T2542-2003）标准中抗折强度试验的材料试验机示值相对误差不大于（）。亚共晶白口铸铁的退火组织中,不可能有下列中的哪种组织（）砌体抗压强度的现场检测技术不包括
- CZ法的主要流程工艺顺序正确的是（）不透水试验采用七孔板的是（）。A.加料--熔化--缩颈生长--等径生长--放肩生长--收尾B.加料--熔化--缩颈生长--放肩生长--等径生长--收尾C.加料--熔化--等径生长-放肩生长--缩颈生
- 一块半导体寿命τ=15µs,光照在材料中会产生非平衡载流子,光照突然停止30µs后,其中非平衡载流子将衰减到原来的（）。砌墙砖试验方法（GB/T2542-2003）标准中砖的泛霜试验,一般烧结普通砖用（）,烧结多孔砖用（）,烧结
- 直拉法生长单晶硅拉晶过程有几个主要阶段？（）以下关于砼拌合物维勃稠度试验适用范围的说法,正确的有（）。一组砼棱柱体轴心抗压试件试验破坏荷载分别为：475kN、394kN、497kN,该组试件轴心抗压强度值可能是（）。
- 直拉法生长单晶硅拉晶过程有几个主要阶段？（）砌墙砖试验方法（GB/T2542-2003）标准中砖的石灰爆裂试验,一般烧结普通砖用（）,烧结多孔砖用（）,烧结空心砖用（）进行试验。蒸压加气混凝土砌块（GB/T11968-2006）标
- 那个不是影响直拉单晶硅的电阻率均匀性的因素（）限位板主要限制的是哪个部件的位移（）夹心复合墙的砌筑,拉结件设置应符合设计要求,拉结件在叶墙上的搁置长度不应小于叶墙厚度的2/3,并不应小于（）。载流子的扩散运
- 用能量（）禁带宽度的光子照射p-n结会产生光生伏特效应。砌墙砖试验方法（GB/T2542-2003）标准中砖的泛霜试验,一般烧结普通砖用（）,烧结多孔砖用（）,烧结空心砖用（）进行试验。对有明显屈服点钢筋的主要材料检验
- 单晶硅晶胞常数为0.543nm,则（111）的面间距是多少？（）蒸压加气混凝土砌块（GB/T11968-2006）标准中,蒸压加气混凝土砌块的立方体抗压强度试验按（）的规定进行。建筑防水卷材试验方法沥青防水卷材可溶物含量的结果
- 半导体材料的电阻率与载流子浓度有关,同样的掺杂浓度,载流子的迁移率越大,材料的电阻率（）YJM15-7表示的是（）砼拌合物运输过程中的质量控制目标有（）。筒压法试样加载时应均匀加载至规定的筒压荷载值,水泥砂浆,石
- 简述光生伏特效应中正确的是（）蒸压加气混凝土砌块（GB/T11968-2006）标准中,蒸压加气混凝土砌块应存放（）天以上方可出厂。40Cr钢的碳含量范围是（）A、用能量小于禁带宽度的光子照射p-n结；
B、p、n区都产生电子—
- 那个不是影响直拉单晶硅的电阻率均匀性的因素（）轻集料混凝土小型空心砌块（GB/T15229-2011）标准中规定,轻集料混凝土小型空心砌块应在厂内养护（）龄期后方可出厂。在陶瓷和玻璃工业中常用之做熔剂原料是（）。A、
- 如何从石英砂制取硅？说明从石英到单晶硅的工艺的简要框图正确的是（）蒸压加气混凝土性能试验方法（GB/T11969-2008）标准中蒸压加气混凝土抗冻性试验的试件尺寸和数量为（）各种硬度试验均需要规定的有（）扁顶法在
- 多晶硅的生产方法主要包含：（）1、SiCl4法2、硅烷法3、流化床法4、西门子改良法5、冶金法6、气液沉淀法7、重掺硅废料提纯法锥塞式锚具按材料分有（）A、1234B、123C、1456D、4567#A、钢质锥塞式#
B、预应力锥塞式
C
- 制约铸造多晶硅材料少子寿命的主要因素不包括（）砂浆回弹法每个测位应均匀布置（）弹击点,选定弹击点应避开砖的边缘、灰缝中的气孔。（）是指在玻璃熔化的高温阶段能分解或汽化并放出气体,从而促进玻璃液中的可见气
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