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- 下列有关ARC工艺的说法正确的是（）。下列关于曝光后烘烤的说法正确的是（）。薄膜沉积的机构包括那些步骤（）。电子束蒸发的设备中产生电子束的装置称为（）。为了保证保护装置能可靠地动作,27.5A的接地电流只能保
- 下列有关曝光系统的说法正确的是（）。大硅片上生长的（）的不均匀和各个部位刻蚀速率的不均匀会导致刻蚀图形转移的不均匀性。下列组合中哪一种基本上用于刻蚀前者的干刻蚀法大都可以用来刻蚀后者（）。投影式同接触
- 按曝光的光源分类,曝光可以分为（）。干氧氧化法有一些优点,但同时它的缺点有（）。菲克一维扩散定律公式中的J是代表单位面积溶质（）。光学曝光#
离子束曝光#
接近式曝光
电子束曝光#
投影式曝光生长出的二氧化硅中
- 涂胶以后的晶片,需要在一定的温度下进行烘烤,这一步骤称为（）。解决氧化层中的钠离子沾污的方法有（）。光刻的主要工艺流程按照操作顺序是（）。分析器是一种（）分选器。物理气相沉积简称（）。为了保证保护装置能
- 在VLSI工艺中,常用的前烘方法是（）。硅烷的分子式是（）。为了满足半导体器件对金属材料的低电阻连接以及可靠的要求,金属材料应该满足（）。热空气对流法
真空热平板传导法#
红外线辐射法
射频感应加热法SiF4
SiH4#
- 光刻工艺中,脱水烘焙的最初温度是（）。一般分析扩散系数,考虑两种条件,即恒定表面浓度条件和（）。在靶片前方设一抑制栅,作用是将（）抑制回去,从而保证测量的准确性。用高能粒子从某种物质的表面撞击出原子的物理
- 要保证晶片的质量以及涂胶工序的顺利进行,下列操作正确的是（）。下列扩散杂质源中,（）不仅是硅常用的施主杂质,也是锗常用的施主杂质。在热扩散工艺中的预淀积步骤中,磷的扩散温度为（）。在靶片前方设一抑制栅,作
- 在深紫外曝光中,需要使用（）光刻胶。DQN#
CA
ARC
PMMA
- 在深紫外曝光中,需要使用CA光刻胶,它的优点在于（）。钠、钾等大离子在二氧化硅结构中是（）杂质。有关光刻胶的显影下列说法错误的是（）。溅镀法,因为其阶梯覆盖的能力不良,很容易造成因填缝不完全所留下的（）。（
- 在深紫外曝光中,需要使用CA光刻胶,CA的含义是（）。二氧化硅层中的钠离子可能来源于（）。在VLSI工艺中,常用的前烘方法是（）。决定吸附原子彼此间能否形成一个稳定的核团,以便于进行凝结的主要因素主宰于所形成的核
- 关于正胶和负胶的特点,下列说法正确的是（）。在将清洗完的硅片放进扩散炉扩散时,需要将硅片先装入（）,然后再装入扩散炉。化合物半导体砷化镓常用的施主杂质是（）。在热扩散工艺中的预淀积步骤中,硼在900～1050℃的
- 在空位扩散中,如果迁移的空位的原子是杂质原子,扩散称为（）。离子源产生的离子在（）的加速电场作用下得到加速。由于干法刻蚀中是同时对晶片上的光刻胶及裸露出来的薄膜进行刻蚀的,所以其（）就比以化学反应的方式
- 人类的职业道德真正形成于（）。下列有关ARC工艺的说法正确的是（）。原始社会
奴隶社会#
封建社会
资本主义社会ARC可以是硅的氮化物#
可用干法刻蚀除去#
ARC膜可以通过PVD或者CVD的方法形成#
ARC在刻蚀中也可做为掩
- 硅烷的分子式是（）。引出系统要求能引出分散性较好的强束流,还希望具有较（）的气阻。SiF4
SiH4#
CH4
SiC无序
稳定
小
大#
- 扩散工艺现在广泛应用于制作（）。我们可以从测量去离子水的酸度来判别阴阳树脂谁先失效,阴树脂先失效,水呈（）性。晶振
电容
电感
PN结#酸#
碱
弱酸
弱碱
- 光刻胶主要由（）等不同材料混合而成的。二氧化硅膜的质量要求有（）。菲克一维扩散定律公式中的J是代表单位面积溶质（）。树脂#
感光剂#
HMDS
溶剂#
PMMA薄膜表面无斑点#
薄膜中的带电离子含量符合要求#
薄膜表面无
- 关于正胶和负胶在显影时的特点,下列说法正确的是（）。当注入剂量增加到某个值时,损伤量不再增加,趋于饱和。开始饱和的注入剂量称为（）。分析器是一种（）分选器。有机性气体大多产生在下列哪道工艺（）。负胶的感
- 光刻的主要工艺流程按照操作顺序是（）。（）由钟罩、蒸气源加热器、衬底加热器、活动挡板和底盘构成。涂胶、前烘、曝光、坚膜、显影、去胶
涂胶、前烘、坚膜、曝光、显影、去胶
涂胶、前烘、曝光、显影、坚膜、去胶
- 超大规模集成电路需要光刻工艺具备的要求有（）。dry vacuum pump的意思是（）。采用热氧化方法制备的二氧化硅从结构上看是（）的。采用热氧化方法制备的二氧化硅从结构上看是（）的。降低靶的温度,有利于非晶层的形
- 在热扩散工艺中的预淀积步骤中,硼在950～1100℃的条件下,扩散时间大约（）为宜。扩散工艺现在广泛应用于制作（）。4～6h
50min～2h
10～40min#
5～10min晶振
电容
电感
PN结#
- 在集成电路工艺中,光复制图形和材料刻蚀相结合的工艺技术是（）。恒定表面浓度的条件下,在整个扩散期间,（）保持恒定表面浓度。硅烷的分子式是（）。在实际工作中,常常需要知道离子注入层内损伤量按（）的分布情况。
- 在热扩散工艺中的预淀积步骤中,硼在900～1050℃的条件下,扩散时间大约（）为宜。当注入剂量增加到某个值时,损伤量不再增加,趋于饱和。开始饱和的注入剂量称为（）。溅射的方法非常多其中包括（）。直流二极管辉光放电
- 在热扩散工艺中的预淀积步骤中,磷的扩散温度为（）。菲克一维扩散定律公式中的J是代表单位面积溶质（）。按曝光的光源分类,曝光可以分为（）。600～750℃
900～1050℃#
1100～1250℃
950～1100℃传输率#
载流子浓度
扩散
- 在热扩散工艺中的预淀积步骤中,硼在900～1050℃的条件下,扩散时间大约（）为宜。关于正胶和负胶的特点,下列说法正确的是（）。下列有关ARC工艺的说法正确的是（）。通常情况下,我们改变工艺条件使刻蚀进行中（）的刻
- 下列可作为磷扩散源的是（）。光刻胶的光学稳定通过（）来完成的。当注入剂量增加到某个值时,损伤量不再增加,趋于饱和。开始饱和的注入剂量称为（）。通常情况下,我们改变工艺条件使刻蚀进行中（）的刻蚀速率尽量低
- 局域网中使用中继器的作用是（）。下列有关ARC工艺的说法正确的是（）。可以实现两个以上同类网络的联接
可以实现异种网络的互连
实现信号的收集、缓冲及格式的变换
实现传递信号的放大和整形#ARC可以是硅的氮化物#
- （）专指薄膜形成的过程中,并不消耗晶片或底材的材质。薄膜成长
蒸发#
薄膜沉积#
溅射#
以上都正确
- TCP/IP协议中的TCP相当于OSI中的（）。一般用（）测量注入的剂量。应用层
网络层
物理层
传输层#剂量分布仪
剂量统计仪
电荷分析仪
电荷积分仪#
- 用电容－电压技术来测量扩散剖面分布是用了（）的原理。在热扩散工艺中的预淀积步骤中,砷和锑的扩散温度为（）。降低靶的温度,有利于非晶层的形成,所以临界注入量随之（）。引出系统要求能引出分散性较好的强束流,还
- 半导体硅常用的受主杂质是（）。光刻工艺中,脱水烘焙的最初温度是（）。哪种方法可以增加缺陷的积累率而降低临界注入量：（）。真空镀膜室是由（）几部分组成。锡
硫
硼#
磷150－200℃#
200℃左右
250℃左右
300℃左右低
- 下列扩散杂质源中,（）不仅是硅常用的施主杂质,也是锗常用的施主杂质。下列哪些因素不会影响到显影效果的是（）。硼
锡
锑#
磷#
砷显影液的温度
显影液的浓度
显影液的溶解度#
显影液的化学成分
- 化合物半导体砷化镓常用的施主杂质是（）。通常热扩散分为两个大步骤,其中第一个步骤是（）。在VLSI工艺中,常用的前烘方法是（）。在生产过程中必须使用（）来完成浅沟槽隔离STI。薄膜沉积的机构包括那些步骤（）。
- 半导体硅常用的施主杂质是（）。企业的战略一般由四个要素组成,即经营范围、资源配置、竞争优势以及协同合作,其中协同合作是指企业通过共同的努力达到（）。菲克一维扩散定律公式中的J是代表单位面积溶质（）。通常
- 通常热扩散分为两个大步骤,其中第一个步骤是（）。下列几种氧化方法相比,哪种方法制得的二氧化硅薄膜的电阻率会高些（）。早期,研究离子注入技术是用（）来进行的。电气测量仪表若按照电流的种类来分,有（）。再分布
- 在将清洗完的硅片放进扩散炉扩散时,需要将硅片先装入（）,然后再装入扩散炉。人类的职业道德真正形成于（）。半导体硅常用的施主杂质是（）。在VLSI工艺中,常用的前烘方法是（）。离子源腔体中的气体放电形成（）而
- 下列哪些元素在硅中是快扩散元素：（）。为了解决中性束对注入均匀性的影响,可在系统中设有（）,使离子束偏转后再达到靶室。物理气相沉积简称（）。一般来说,我们用一定量的（）使阳树脂再生。电气测量技术的应用所
- He,OH,Na等元素在900℃下,在二氧化硅中的扩散率大于10－13cm2/s,这些元素称为（）。薄膜沉积的机构,依发生的顺序,可以分为这几个步骤。其中不包括（）。活跃杂质
快速扩散杂质#
有害杂质
扩散杂质形成晶核
晶粒自旋#
- 用电容－电压技术来测量扩散剖面分布是用了（）的原理。在集成电路工艺中,光复制图形和材料刻蚀相结合的工艺技术是（）。关于正胶和负胶的特点,下列说法正确的是（）。引出系统要求能引出分散性较好的强束流,还希望
- 按加热源的不同,可以分成（）几种不同类型的蒸发。患者,男,72岁。反复无痛性肉眼血尿9个月余,近1个月自觉腰部不适、胀痛,偶见黏液中有“烂肉”脱落,膀胱镜检见左侧输尿管口喷血,MRI检查见下图。最可能的诊断是（）真空
- 局域网中使用中继器的作用是（）。在将清洗完的硅片放进扩散炉扩散时,需要将硅片先装入（）,然后再装入扩散炉。下列材料中电阻率最低的是（）。可以实现两个以上同类网络的联接
可以实现异种网络的互连
实现信号的收
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