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- 关于正胶和负胶的特点,下列说法正确的是（）。（）专指薄膜形成的过程中,并不消耗晶片或底材的材质。化学气相沉积的英文名称的缩写为（）。电气测量仪表若按照电流的种类来分,有（）。正胶在显影时不会发生膨胀,因此
- 下列哪些元素在硅中是快扩散元素：（）。在磁分析器中常用（）分析磁铁。Na#
B
P
As柱形
扇形#
方形
圆形
- 在靶片前方设一抑制栅,作用是将（）抑制回去,从而保证测量的准确性。单晶硅刻蚀一般采用（）做掩蔽层,以氟化氢为主要的刻蚀剂,氧气为侧壁钝化作用的媒介物。二次电子#
二次中子
二次质子
无序离子氮化硅
二氧化硅#
- 对于非晶靶,离子注入的射程分布取决于（）。钠、钾等大离子在二氧化硅结构中是（）杂质。二氧化硅薄膜厚度的测量方法有（）。（）主要是以化学反应方式来进行薄膜沉积的。入射离子的能量#
入射离子的质量#
入射离子
- 二氧化硅薄膜厚度的测量方法有（）。我们可以通过简单的结深测量和（）测量来获得扩散层的重要信息。下列材料中电阻率最低的是（）。按加热源的不同,可以分成（）几种不同类型的蒸发。在新一代的CMP中,有使用（）磨
- 关于正胶和负胶的特点,下列说法正确的是（）。晶体中,每个原子在晶格中有一定的平衡位置,原子在此位置时其势能为（）。电荷积分仪的基本单元包括（）。晶硅栅极刻蚀最大的挑战就是对二氧化硅的高选择性。超薄的（）
- 离子散射方向与入射方向的夹角,称为（）。表示杂质在硅-二氧化硅界面处重新分布的性质和程度,习惯上常用（）。哪种方法可以增加缺陷的积累率而降低临界注入量：（）。Torr是指（）的单位。溅射的方法非常多其中包括
- 损伤的分布与注入离子在在靶内的（）的分布密切相关。能量淀积#
动量淀积
能量振荡
动量振荡
- （）是因为吸附原子在晶片表面上彼此碰撞并结合所形成的。晶核#
晶粒
核心
核团
- 射程在垂直入射方向的平面内的投影长度称之为（）。干氧氧化法具备以下一系列的优点（）。表示杂质在硅-二氧化硅界面处重新分布的性质和程度,习惯上常用（）。关于正胶和负胶在显影时的特点,下列说法正确的是（）。
- 离子从进入靶起到停止点所通过的总路程称作（）。离子源的作用是使所需要的杂质原子电离成（）离子,并通过一个引出系统形成离子束。由于水中阴阳离子都有导电能力,所以水的（）越高,水中离子数就越少。将具有交换能
- 电荷积分仪的基本单元包括（）。干氧氧化法具备以下一系列的优点（）。当注入剂量增加到某个值时,损伤量不再增加,趋于饱和。饱和正是对应连续（）的形成。晶片表面上的粒子是通过（）到达晶片的表面。I-V转换#
V-f转
- 如果固体中的原子排列情况是紊乱的,就称之为（）。离子源的基本结构是由产生高密度等离子体的（）和引出部分组成。薄膜沉积的机构,依发生的顺序,可以分为这几个步骤。其中不包括（）。单晶靶
超晶靶
多晶靶
非晶靶#
- 树脂使用过程中需保持一定温度,阳树脂和阴树脂分别不能高于（）度,使用温度不能过低,低于0度会使树脂冻裂。80#
60
40#
20
10
- 在靶片前方设一抑制栅,作用是将（）抑制回去,从而保证测量的准确性。菲克一维扩散定律公式中的J是代表单位面积溶质（）。我们可以通过简单的结深测量和（）测量来获得扩散层的重要信息。离子源的作用是使所需要的杂
- （）的方法有利于减少热预算。下列组合中哪一种基本上用于刻蚀前者的干刻蚀法大都可以用来刻蚀后者（）。薄膜沉积的机构包括那些步骤（）。高压氧化#
湿氧氧化
掺氯氧化
氢氧合成氧化
等离子增强氧化#二氧化硅氮化硅
- 一般用（）测量注入的剂量。采用热氧化方法制备的二氧化硅从结构上看是（）的。离子源腔体中的气体放电形成（）而引出正离子的。由于干法刻蚀中是同时对晶片上的光刻胶及裸露出来的薄膜进行刻蚀的,所以其（）就比以
- 当注入剂量增加到某个值时,损伤量不再增加,趋于饱和。开始饱和的注入剂量称为（）。（）是以物理的方法来进行薄膜沉积的一种技术。在对层间绝缘膜进行CMP时,层间绝缘膜的表面会随下列那些因素产生变化（）。阳树脂用
- 奉献社会的实质是（）。用电容－电压技术来测量扩散剖面分布是用了（）的原理。在半导体制造中,熔断丝可以应用在（）。在刻蚀二氧化硅过程中假如我们在CF4的（）内加入适量的氢气,能够降低刻蚀的速率。在IC芯片生长
- 在实际工作中,常常需要知道离子注入层内损伤量按（）的分布情况。通常热扩散分为两个大步骤,其中第一个步骤是（）。单晶硅刻蚀一般采用（）做掩蔽层,以氟化氢为主要的刻蚀剂,氧气为侧壁钝化作用的媒介物。用高能粒子
- 降低靶的温度,有利于非晶层的形成,所以临界注入量随之（）。在刻蚀（）过程中假如我们在CF5的等离子体内加入适量的氧气,能够提高刻蚀的速率。（）是指每个入射离子溅射出的靶原子数。一般来说,溅射镀膜的过程包括（
- 晶体中,每个原子在晶格中有一定的平衡位置,原子在此位置时其势能为（）。point defect的意思是（）。物理气相沉积简称（）。极大值
极小值#
既不极大也不极小
小于动能点缺陷#
线缺陷
面缺陷
缺失的点LVD
PED
CVD
PV
- 离子源腔体中的气体放电形成（）而引出正离子的。采用热氧化方法制备的二氧化硅从结构上看是（）的。菲克一维扩散定律公式中的J是代表单位面积溶质（）。有关光刻胶的显影下列说法错误的是（）。下列哪些因素会影响
- 半导体芯片生产中,离子注入主要是用来（）。下列扩散杂质源中,（）不仅是硅常用的施主杂质,也是锗常用的施主杂质。下列物质的等离子体适合用以刻蚀铝合金中硅的有（）。在半导体器件制造中,对清洗用水的纯度有比较高
- 化合物半导体砷化镓常用的施主杂质是（）。涂胶以后的晶片,需要在一定的温度下进行烘烤,这一步骤称为（）。电离气体与普通气体的不同之处在于：后者是由电中性的分子或原子组成的,前者则是（）和中性粒子组成的集合
- 《金融违法行为处罚办法》规定,金融机构提供虚假的或者隐瞒重要事实的财务会计报告、统计报告的,（）。给予通报批评,并处10万元以上50万元以下的罚款
给予警告,并处1万元以上10万元以下的罚款
对该金融机构直接负责
- 解决氧化层中的钠离子沾污的方法有（）。一般用（）测量注入的剂量。（）专指薄膜形成的过程中,并不消耗晶片或底材的材质。检验水中是否有盐酸,可用（）溶液滴入水中,如果出现白色沉淀,就表示水中有盐酸。沾污引起的
- 由静电释放产生的电流泄放最大电压可以达（）。几伏
几十伏
几百伏
几万伏#
- 离子注入的主要气体源中,易燃、易爆的有（）。干氧氧化法具备以下一系列的优点（）。在确定扩散率的实验中,扩散层电阻的测量可以用（）测量。Torr是指（）的单位。（）是通过把被蒸物体加热,利用被蒸物在高温时的饱
- 去正胶常用的溶剂有（）解决氧化层中的钠离子沾污的方法有（）。当注入剂量增加到某个值时,损伤量不再增加,趋于饱和。饱和正是对应连续（）的形成。离子源产生的离子在（）的加速电场作用下得到加速。在各种离子源常
- 硅烷的分子式是（）。在将清洗完的硅片放进扩散炉扩散时,需要将硅片先装入（）,然后再装入扩散炉。射程在垂直入射方向的平面内的投影长度称之为（）。金相学的研磨之所以会在研磨面上造成如刮伤般的痕迹是由于在制程
- 光刻胶的光学稳定通过（）来完成的。（）由钟罩、蒸气源加热器、衬底加热器、活动挡板和底盘构成。真空镀膜室是由（）几部分组成。净化室将硅片制造设备与外部环境隔离,免受诸如（）的沾污。危害半导体工艺的典型金
- 晶片经过显影后进行坚膜,坚膜的主要作用有（）。降低靶的温度,有利于非晶层的形成,所以临界注入量随之（）。除去光刻胶中剩余的溶剂#
增强光刻胶对晶片表面的附着力#
提高光刻胶的抗刻蚀能力#
有利于以后的去胶工序
- 二氧化硅生长过程中,当分凝系数小于1时,会使二氧化硅-硅界面处硅一侧的杂质浓度（）。晶体中,每个原子在晶格中有一定的平衡位置,原子在此位置时其势能为（）。一般用（）测量注入的剂量。悬浮在空气中的颗粒称为（）
- （）的方法有利于减少热预算。有机性气体大多产生在下列哪道工艺（）。高压氧化#
湿氧氧化
掺氯氧化
氢氧合成氧化
等离子增强氧化#离子注入
刻蚀
扩散
光刻#
- 清洁处理主要使用的是（）。我们可以从测量去离子水的酸度来判别阴阳树脂谁先失效,阴树脂先失效,水呈（）性。水#
有机溶剂#
碱#
酸#
盐酸#酸#
碱
弱酸
弱碱
- 光刻胶主要由（）等不同材料混合而成的。电离气体与普通气体的不同之处在于：后者是由电中性的分子或原子组成的,前者则是（）和中性粒子组成的集合体。树脂使用过程中需保持一定温度,阳树脂和阴树脂分别不能高于（）
- 下列哪些因素不会影响到显影效果的是（）。一般用（）测量注入的剂量。离子从进入靶起到停止点所通过的总路程称作（）。损伤的分布与注入离子在在靶内的（）的分布密切相关。阳树脂用盐酸做再生液,浓度为（）溶液可
- 有关光刻胶的显影下列说法错误的是（）。在热扩散工艺中的预淀积步骤中,磷的扩散温度为（）。对于非晶靶,离子注入的射程分布取决于（）。负胶受显影液的影响比较小#
正胶受显影液的影响比较小
正胶的曝光区将会膨胀
- 下列关于曝光后烘烤的说法正确的是（）。（）的方法有利于减少热预算。二氧化硅层中的钠离子可能来源于（）。烘烤的目的是除去光刻胶中的水分
烘烤可以减轻曝光中的驻波效应#
烘烤的温度一般在300℃左右
烘烤的时间越
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