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- （）是测量在刻蚀过程中物质被移除的速率有多快的一种参数。在靶片前方设一抑制栅,作用是将（）抑制回去,从而保证测量的准确性。（）就是用功率密度很高的激光束照射半导体表面,使其中离子注入层在极短的时间内达到
- 在VLSI工艺中,常用的前烘方法是（）。清洁处理主要使用的是（）。热空气对流法
真空热平板传导法#
红外线辐射法
射频感应加热法水#
有机溶剂#
碱#
酸#
盐酸#
- 刻蚀是把进行光刻前所沉积的薄膜厚度约在数千到数百A之间中没有被（）覆盖及保护的部分,以化学作用或是物理作用的方式加以去除,以完成转移掩膜图案到薄膜上面的目的。在空位扩散中,如果迁移到空位的原子是基质原子,
- 由于干法刻蚀中是同时对晶片上的光刻胶及裸露出来的薄膜进行刻蚀的,所以其（）就比以化学反应的方式进行刻蚀的湿法还来得差。dry vacuum pump的意思是（）。如果固体中的原子排列情况是紊乱的,就称之为（）。化学气
- 在半导体制造中,熔断丝可以应用在（）。point defect的意思是（）。下列哪些元素在硅中是快扩散元素：（）。对于非晶靶,离子注入的射程分布取决于（）。在对层间绝缘膜进行CMP时,层间绝缘膜的表面会随下列那些因素产
- 铜与铝相比较,其性质有（）。我们可以通过简单的结深测量和（）测量来获得扩散层的重要信息。下列哪些因素不会影响到显影效果的是（）。离子束垂直进入均匀的正交磁场后,将同时受到电场力和（）的作用。下列物质的等
- 下列材料中电阻率最低的是（）。在空位扩散中,如果迁移的空位的原子是杂质原子,扩散称为（）。铜与铝相比较,其性质有（）。静电释放带来的问题有哪些（）。铝
铜
多晶硅
金#填隙扩散
杂质扩散#
推挤扩散
自扩散铜的
- 属于铝的性质有（）。电阻低#
抗电迁移特性好
对硅氧化物有很好的黏合性#
有很高的纯度#
易于光刻#
- 在半导体工艺中,与氮化硅比较,二氧化硅更适合应用在（）。二氧化硅层中的钠离子可能来源于（）。早期,研究离子注入技术是用（）来进行的。属于铝的性质有（）。不可以对SiO2进行干法刻蚀所使用的气体是（）。晶圆顶
- 在半导体工艺中,如果淀积的薄膜不是连续的,存在一些空隙,则（）。扩散工艺使杂质由半导体晶片表面向内部扩散,改变了晶片（）,所以晶片才能被人们所使用。直流二极管辉光放电系统是由（）构成。使薄膜的介电常数变大
- 为了防止抽气设备对离子注入系统的油污染,可在靶室前增加一个（）或采用无油泵。在热扩散工艺中的预淀积步骤中,硼在900～1050℃的条件下,扩散时间大约（）为宜。离子源腔体中的气体放电形成（）而引出正离子的。目前,
- 在半导体工艺中,淀积的薄膜层应满足的参数包含有（）。奉献社会的实质是（）。当二氧化硅膜很薄时,膜厚与时间（）。离子注入的主要气体源中,易燃、易爆的有（）。在新一代的CMP中,有使用（）磨料在金属表面上形成软
- 在磁分析器中常用（）分析磁铁。在新一代的CMP中,有使用（）磨料在金属表面上形成软质皮膜并加以去除的趋势。柱形
扇形#
方形
圆形二氧化锰#
铝
氧化铬
金刚石
- 离子源的基本结构是由产生高密度等离子体的（）和引出部分组成。光刻胶的光学稳定通过（）来完成的。半导体芯片生产中,离子注入主要是用来（）。电荷积分仪的基本单元包括（）。离子束垂直进入均匀的正交磁场后,将同
- 静电偏转电极和静电扫描器都是（）电容器。下列哪些元素在硅中是快扩散元素：（）。下列有关ARC工艺的说法正确的是（）。以（）等两层材料所组合而成的导电层便称为Polycide。为了保证保护装置能可靠地动作,27.5A的
- 为了解决中性束对注入均匀性的影响,可在系统中设有（）,使离子束偏转后再达到靶室。TCP/IP协议中的TCP相当于OSI中的（）。二氧化硅薄膜的折射率是表征其（）学性质的重要参数。（）就是用功率密度很高的激光束照射半
- 分析器是一种（）分选器。钠、钾等大离子在二氧化硅结构中是（）杂质。目前,最广泛使用的退火方式是（）。激光退火目前有（）激光退火两种。Torr是指（）的单位。硅晶片上之所以可以产生薄膜,出始于布满在晶片表面的
- 离子束垂直进入均匀的正交磁场后,将同时受到电场力和（）的作用。局域网中使用中继器的作用是（）。刻蚀是把进行光刻前所沉积的薄膜厚度约在数千到数百A之间中没有被（）覆盖及保护的部分,以化学作用或是物理作用的
- 离子束的引出系统的间接引出系统中,阳极和插入电极之间形成一个离子密度较（）的等离子体。分析器是一种（）分选器。低#
高
均匀
不均匀电子
中子
离子#
质子
- 引出系统要求能引出分散性较好的强束流,还希望具有较（）的气阻。对于浓度覆盖很宽的杂质原子,可以采用（）方法引入到硅片中。He,OH,Na等元素在900℃下,在二氧化硅中的扩散率大于10－13cm2/s,这些元素称为（）。无序
- 在靶片前方设一抑制栅,作用是将（）抑制回去,从而保证测量的准确性。请在下列选项中选出硅化金属的英文简称：（）。二次电子#
二次中子
二次质子
无序离子A.OxideB.NitrideC.SilicideD.Polycide
- 离子源的作用是使所需要的杂质原子电离成（）离子,并通过一个引出系统形成离子束。正#
负
中性
以上答案都可以
- 通常热扩散分为两个大步骤,其中第一个步骤是（）。再分布
等表面浓度扩散
预淀积#
等总掺杂剂量扩散
- 在各种离子源常用的放电方式中,EOS是指有（）。早期,研究离子注入技术是用（）来进行的。离子注入装置的主要部件有（）、分析器、加速聚焦系统等。电子振荡放电#
离子自动放电
低电压弧光放电
双等离子电弧放电重离
- 局域网中使用中继器的作用是（）。干氧氧化中,氧化炉内的气体压力应（）一个大气压。解决氧化层中的钠离子沾污的方法有（）。在确定扩散率的实验中,扩散层电阻的测量可以用（）测量。在热扩散工艺中的预淀积步骤中,
- 离子注入的主要气体源中,剧毒的有（）。表示杂质在硅-二氧化硅界面处重新分布的性质和程度,习惯上常用（）。下列哪些因素会影响临界注入量的大小：（）。砷化氢#
二硼化氢#
四氟化硅#
三氟化磷#
五氟化磷分凝度
固溶
- 离子注入装置的主要部件有（）、分析器、加速聚焦系统等。解决氧化层中的钠离子沾污的方法有（）。树脂使用过程中需保持一定温度,阳树脂和阴树脂分别不能高于（）度,使用温度不能过低,低于0度会使树脂冻裂。中子源
- 早期,研究离子注入技术是用（）来进行的。在确定扩散率的测结深实验中,结深的测量是采用HF和（）的混和液对磨斜角进行化学染色的。下列有关曝光系统的说法正确的是（）。（）是测量在刻蚀过程中物质被移除的速率有多
- （）的气体源中一般包含H+,C+,B+,Cl+,O+等离子。固体中的扩散模型主要有填隙机制和（）。Cl2
BCl3#
CO2
H2自扩散机制
杂质扩散机制
空位机制#
菲克扩散方程机制
- Torr是指（）的单位。引出系统要求能引出分散性较好的强束流,还希望具有较（）的气阻。电气测量仪表若按照电流的种类来分,有（）。微电子领域内,下列测厚仪中属于有台阶的测厚仪为（）。真空度#
磁场强度
体积
温度
- 离子源产生的离子在（）的加速电场作用下得到加速。单晶硅刻蚀一般采用（）做掩蔽层,以氟化氢为主要的刻蚀剂,氧气为侧壁钝化作用的媒介物。为了满足半导体器件对金属材料的低电阻连接以及可靠的要求,金属材料应该满
- （）就是用功率密度很高的激光束照射半导体表面,使其中离子注入层在极短的时间内达到高温,消除损伤。奉献社会的实质是（）。刻蚀要求在整个晶圆上有一个均匀的刻蚀速率,（）是在晶圆上由测量刻蚀过程前后特定点的厚
- 激光退火目前有（）激光退火两种。真空蒸发又被人们称为（）。一般来说,溅射镀膜的过程包括（）这几步。一般和特殊
脉冲和连续#
高温和低温
快速和慢速A.真空沉积B.真空镀膜C.真空外延D.真空产生一个离子并导向靶#
- 损伤的分布与注入离子在在靶内的（）的分布密切相关。企业的战略一般由四个要素组成,即经营范围、资源配置、竞争优势以及协同合作,其中协同合作是指企业通过共同的努力达到（）。在半导体工艺中,淀积的薄膜层应满足
- 目前,最广泛使用的退火方式是（）。由于干法刻蚀中是同时对晶片上的光刻胶及裸露出来的薄膜进行刻蚀的,所以其（）就比以化学反应的方式进行刻蚀的湿法还来得差。热退火#
激光退火
电子束退火
离子束退火刻蚀速率
选
- 下列哪些因素会影响临界注入量的大小：（）。半导体硅常用的受主杂质是（）。射程在垂直入射方向的平面内的投影长度称之为（）。通常情况下,我们改变工艺条件使刻蚀进行中（）的刻蚀速率尽量低。在刻蚀（）过程中假
- 哪种方法可以增加缺陷的积累率而降低临界注入量：（）。如果磷在二氧化硅中扩散,对扩散率影响最大的因素是：（）。低温注入#
常温注入
高温注入
分子注入#
双注入#扩散剂总量
压强
温度
浓度#
- Torr是指（）的单位。真空度#
磁场强度
体积
温度
- 当注入剂量增加到某个值时,损伤量不再增加,趋于饱和。开始饱和的注入剂量称为（）。关于正胶和负胶在显影时的特点,下列说法正确的是（）。损伤的分布与注入离子在在靶内的（）的分布密切相关。薄膜沉积的机构,依发生
- 当注入剂量增加到某个值时,损伤量不再增加,趋于饱和。饱和正是对应连续（）的形成。在VLSI工艺中,常用的前烘方法是（）。损伤的分布与注入离子在在靶内的（）的分布密切相关。静电释放带来的问题有哪些（）。非晶层#
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