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- 净化室将硅片制造设备与外部环境隔离,免受诸如（）的沾污。硅烷的分子式是（）。颗粒#
金属#
有机分子#
静电释放（ESD）#
水SiF4
SiH4#
CH4
SiC
- 树脂使用过程中需保持一定温度,阳树脂和阴树脂分别不能高于（）度,使用温度不能过低,低于0度会使树脂冻裂。80#
60
40#
20
10
- 我们可以从测量去离子水的酸度来判别阴阳树脂谁先失效,阴树脂先失效,水呈（）性。在热扩散工艺中的预淀积步骤中,砷和锑的扩散温度为（）。酸#
碱
弱酸
弱碱1050～1200℃#
900～1050℃
1100～1250℃
1200～1350℃
- 二氧化硅生长过程中,当分凝系数小于1时,会使二氧化硅-硅界面处硅一侧的杂质浓度（）。He,OH,Na等元素在900℃下,在二氧化硅中的扩散率大于10－13cm2/s,这些元素称为（）。通常情况下,我们改变工艺条件使刻蚀进行中（）
- 二氧化硅层中的钠离子可能来源于（）。解决氧化层中的钠离子沾污的方法有（）。在深紫外曝光中,需要使用CA光刻胶,CA的含义是（）。静电偏转电极和静电扫描器都是（）电容器。按加热源的不同,可以分成（）几种不同类
- 当注入剂量增加到某个值时,损伤量不再增加,趋于饱和。饱和正是对应连续（）的形成。由静电释放产生的电流泄放最大电压可以达（）。非晶层#
单晶层
多晶层
超晶层几伏
几十伏
几百伏
几万伏#
- 买来的新树脂往往是Na型或Cl型,新树脂使用前必须分别用酸（阳树脂）,碱（阴树脂）浸泡约（）个小时,把Na型或Cl型转换成H型或OH型。下列有关ARC工艺的说法正确的是（）。光刻胶的光学稳定通过（）来完成的。3
4#
5
6A
- 树脂的外形为（）的球状颗粒。半导体硅常用的施主杂质是（）。对于非晶靶,离子注入的射程分布取决于（）。为了防止抽气设备对离子注入系统的油污染,可在靶室前增加一个（）或采用无油泵。在半导体工艺中,淀积的薄膜
- 一般来说,我们用一定量的（）使阳树脂再生。阳树脂用盐酸做再生液,浓度为（）溶液可用原水配制。硝酸
硫酸
盐酸#
磷酸5％
10%#
15%
20%
- 阳树脂用盐酸做再生液,浓度为（）溶液可用原水配制。在热扩散工艺中的预淀积步骤中,砷和锑的扩散温度为（）。在VLSI工艺中,常用的前烘方法是（）。离子束的引出系统的间接引出系统中,阳极和插入电极之间形成一个离子
- 复合床和混合床可以串联使用。复合床就是指将阳树脂和阴树脂分别装在两个（）内串接起来。下列可作为磷扩散源的是（）。电荷积分仪的基本单元包括（）。交换柱#
混合床
混合柱
复合柱磷钙玻璃#
三氯氧磷#
三氯化磷#
- 将具有交换能力的阳树脂和阴树脂按一定比例混合后,装在聚氯乙稀或有机玻璃做的圆柱形交换柱内,自来水（）通过交换柱就能称为高纯度去离子水。在将清洗完的硅片放进扩散炉扩散时,需要将硅片先装入（）,然后再装入扩散
- 由于离子交换树脂反应,它既可以去除水中杂质离子,又可以将失效树脂进行处理,恢复交换能力,所以称为（）反应。激光退火目前有（）激光退火两种。为了避免（）在经过氯化物等离子体刻蚀之后的残留物使其发生腐蚀,必须
- 清洁处理主要使用的是（）。光刻胶主要由（）等不同材料混合而成的。射程在垂直入射方向的平面内的投影长度称之为（）。铜与氯形成的化合物挥发能力不好,因而铜的刻蚀无法以化学反应来进行,而必须施以（）。化学气相
- 由于水中阴阳离子都有导电能力,所以水的（）越高,水中离子数就越少。直流二极管辉光放电系统是由（）构成。电阻率#
电导率
电阻
电导抽真空的玻璃管
抽真空后再充入某种低压气体的玻璃管#
两个电极#
加速器
增益管
- 检验水中是否有盐酸,可用（）溶液滴入水中,如果出现白色沉淀,就表示水中有盐酸。按曝光的光源分类,曝光可以分为（）。下列关于曝光后烘烤的说法正确的是（）。下列材料中电阻率最低的是（）。请在下列选项中选出多晶
- 在半导体器件制造中,对清洗用水的纯度有比较高的要求,要用经过纯化的（）作为清洁用水。采用热氧化方法制备的二氧化硅从结构上看是（）的。分析器是一种（）分选器。下列组合中哪一种基本上用于刻蚀前者的干刻蚀法大
- 铜互连金属多层布线中,磨料的粒径一般为（）。TCP/IP协议中的TCP相当于OSI中的（）。电荷积分仪的基本单元包括（）。刻蚀要求在整个晶圆上有一个均匀的刻蚀速率,（）是在晶圆上由测量刻蚀过程前后特定点的厚度,并计
- 金相学的研磨之所以会在研磨面上造成如刮伤般的痕迹是由于在制程中（）。下列物质中是结晶形态二氧化硅的有（）。离子从进入靶起到停止点所通过的总路程称作（）。在IC芯片生长中浅沟槽隔离技术STI逐渐取代了局部氧
- 在新一代的CMP中,有使用（）磨料在金属表面上形成软质皮膜并加以去除的趋势。（）就是用功率密度很高的激光束照射半导体表面,使其中离子注入层在极短的时间内达到高温,消除损伤。下列物质的等离子体适合用以刻蚀铝合
- 直流二极管辉光放电系统是由（）构成。TCP/IP协议中的TCP相当于OSI中的（）。采用热氧化方法制备的二氧化硅从结构上看是（）的。离子束垂直进入均匀的正交磁场后,将同时受到电场力和（）的作用。一般来说,我们用一定
- 在对层间绝缘膜进行CMP时,层间绝缘膜的表面会随下列那些因素产生变化（）。光刻的主要工艺流程按照操作顺序是（）。（）是指每个入射离子溅射出的靶原子数。我们可以从测量去离子水的酸度来判别阴阳树脂谁先失效,阴
- 从电极的结构看,溅射的方法包括（）。当注入剂量增加到某个值时,损伤量不再增加,趋于饱和。饱和正是对应连续（）的形成。在半导体工艺中,与氮化硅比较,二氧化硅更适合应用在（）。在IC芯片生长中浅沟槽隔离技术STI逐
- 溅射的方法非常多其中包括（）。thermal conductivity gauge的意思是（）。在热扩散工艺中的预淀积步骤中,磷的扩散温度为（）。在深紫外曝光中,需要使用CA光刻胶,CA的含义是（）。（）由钟罩、蒸气源加热器、衬底加
- 一般来说,溅射镀膜的过程包括（）这几步。半导体硅常用的施主杂质是（）。化学气相沉积的英文名称的缩写为（）。产生一个离子并导向靶#
被轰击的原子向硅晶片运动#
离子把靶上的原子轰出来#
经过加速电场加速
原子在
- （）是指每个入射离子溅射出的靶原子数。薄膜沉积的机构,依发生的顺序,可以分为这几个步骤。其中不包括（）。真空蒸发又被人们称为（）。溅射率#
溅射系数
溅射效率
溅射比形成晶核
晶粒自旋#
晶粒凝结
缝道填补A.真
- （）方法是大规模集成电路生产中用来沉积不同金属的应用最为广泛的技术。在确定扩散率的测结深实验中,结深的测量是采用HF和（）的混和液对磨斜角进行化学染色的。半导体芯片生产中,离子注入主要是用来（）。蒸镀
离
- （）是与气体辉光放电现象密切想关的一种薄膜淀积技术。（）的方法有利于减少热预算。在热扩散工艺中的预淀积步骤中,砷和锑的扩散温度为（）。按曝光的光源分类,曝光可以分为（）。硅烷的分子式是（）。蒸镀
离子注
- 用高能粒子从某种物质的表面撞击出原子的物理过程叫（）。早期,研究离子注入技术是用（）来进行的。下面那一种薄膜工艺中底材会被消耗（）。清洁处理主要使用的是（）。阳树脂用盐酸做再生液,浓度为（）溶液可用原水
- 真空镀膜室是由（）几部分组成。干氧氧化法具备以下一系列的优点（）。电气测量仪表若按照电流的种类来分,有（）。钟罩#
蒸气源加热器#
衬底加热器#
活动挡板#
底盘#生长的二氧化硅薄膜均匀性好#
生长的二氧化硅干燥
- 真空镀膜室内,在蒸发源加热器与衬底加热器之间装有活动挡板,用来（）。TCP/IP协议中的TCP相当于OSI中的（）。为了防止抽气设备对离子注入系统的油污染,可在靶室前增加一个（）或采用无油泵。（）方法是大规模集成电
- 真空镀膜室中的钟罩与底盘构成（）。在深紫外曝光中,需要使用（）光刻胶。由静电释放产生的电流泄放最大电压可以达（）。衬底加热器
抽气系统
真空室#
蒸气源加热器DQN#
CA
ARC
PMMA几伏
几十伏
几百伏
几万伏#
- （）由钟罩、蒸气源加热器、衬底加热器、活动挡板和底盘构成。奉献社会的实质是（）。用电容－电压技术来测量扩散剖面分布是用了（）的原理。在热扩散工艺中的预淀积步骤中,砷和锑的扩散温度为（）。由静电释放产生
- 真空蒸发又被人们称为（）。A.真空沉积B.真空镀膜C.真空外延D.真空
- 电子束蒸发的设备中产生电子束的装置称为（）。钠、钾等大离子在二氧化硅结构中是（）杂质。在深紫外曝光中,需要使用CA光刻胶,CA的含义是（）。由静电释放产生的电流泄放最大电压可以达（）。通常选熔断器熔断电流为
- 按加热源的不同,可以分成（）几种不同类型的蒸发。（）的方法有利于减少热预算。微电子领域内,下列测厚仪中属于有台阶的测厚仪为（）。真空蒸发#
离子束蒸发#
电子束蒸发#
粒子束蒸发
常压蒸发高压氧化#
湿氧氧化
掺
- 用真空蒸发与溅射法在硅片或二氧化硅膜上涂敷金属材料,是形成电极的（）。下列材料中电阻率最低的是（）。重要步骤
次要步骤
首要步骤#
不一定铝
铜
多晶硅
金#
- 为了满足半导体器件对金属材料的低电阻连接以及可靠的要求,金属材料应该满足（）。在生产过程中必须使用（）来完成浅沟槽隔离STI。阳树脂用盐酸做再生液,浓度为（）溶液可用原水配制。低电阻率#
易与p或n型硅形成欧
- （）是通过把被蒸物体加热,利用被蒸物在高温时的饱和蒸汽压来进行薄膜沉积的。降低靶的温度,有利于非晶层的形成,所以临界注入量随之（）。电荷积分仪的基本单元包括（）。以（）等两层材料所组合而成的导电层便称为P
- （）是以物理的方法来进行薄膜沉积的一种技术。LPCVD
PECVD
CVD
PVD#
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