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- 半导体硅常用的施主杂质是（）。锡
硫
硼
磷#
- 化合物半导体砷化镓常用的施主杂质是（）。硅烷的分子式是（）。分析器是一种（）分选器。以（）等两层材料所组合而成的导电层便称为Polycide。锡#
硼
磷
锰SiF4
SiH4#
CH4
SiC电子
中子
离子#
质子单晶硅
多晶硅#
- 在热扩散工艺中的预淀积步骤中,硼在900～1050℃的条件下,扩散时间大约（）为宜。关于正胶和负胶在显影时的特点,下列说法正确的是（）。在生产过程中必须使用（）来完成浅沟槽隔离STI。4～6h
50min～2h
10～40min#
5～
- 半导体硅常用的施主杂质是（）。电荷积分仪的基本单元包括（）。锡
硫
硼
磷#I-V转换#
V-f转换#
十进制计数电路#
控制电路#
红外探测器
- 光刻的主要工艺流程按照操作顺序是（）。哪种方法可以增加缺陷的积累率而降低临界注入量：（）。涂胶、前烘、曝光、坚膜、显影、去胶
涂胶、前烘、坚膜、曝光、显影、去胶
涂胶、前烘、曝光、显影、坚膜、去胶#
前烘
- 二氧化硅层中的钠离子可能来源于（）。解决氧化层中的钠离子沾污的方法有（）。在深紫外曝光中,需要使用CA光刻胶,CA的含义是（）。静电偏转电极和静电扫描器都是（）电容器。按加热源的不同,可以分成（）几种不同类
- 如果固体中的原子排列情况是紊乱的,就称之为（）。电离气体与普通气体的不同之处在于：后者是由电中性的分子或原子组成的,前者则是（）和中性粒子组成的集合体。单晶靶
超晶靶
多晶靶
非晶靶#离子
原子团
电子
带电
- 如果固体中的原子排列情况是紊乱的,就称之为（）。硅晶片上之所以可以产生薄膜,出始于布满在晶片表面的许多气体分子或其它粒子,它们主要是通过（）到达晶片表面的。单晶靶
超晶靶
多晶靶
非晶靶#粒子的扩散#
化学反
- 为了解决中性束对注入均匀性的影响,可在系统中设有（）,使离子束偏转后再达到靶室。按加热源的不同,可以分成（）几种不同类型的蒸发。电气测量仪表中,整流式对电流的种类与频率的适用范围是（）。磁分析器
正交电磁
- 在靶片前方设一抑制栅,作用是将（）抑制回去,从而保证测量的准确性。请在下列选项中选出硅化金属的英文简称：（）。二次电子#
二次中子
二次质子
无序离子A.OxideB.NitrideC.SilicideD.Polycide
- 下列哪些元素在硅中是快扩散元素：（）。在磁分析器中常用（）分析磁铁。Na#
B
P
As柱形
扇形#
方形
圆形
- 关于正胶和负胶的特点,下列说法正确的是（）。晶体中,每个原子在晶格中有一定的平衡位置,原子在此位置时其势能为（）。电荷积分仪的基本单元包括（）。晶硅栅极刻蚀最大的挑战就是对二氧化硅的高选择性。超薄的（）
- 当注入剂量增加到某个值时,损伤量不再增加,趋于饱和。开始饱和的注入剂量称为（）。（）是以物理的方法来进行薄膜沉积的一种技术。在对层间绝缘膜进行CMP时,层间绝缘膜的表面会随下列那些因素产生变化（）。阳树脂用
- 化合物半导体砷化镓常用的施主杂质是（）。涂胶以后的晶片,需要在一定的温度下进行烘烤,这一步骤称为（）。电离气体与普通气体的不同之处在于：后者是由电中性的分子或原子组成的,前者则是（）和中性粒子组成的集合
- 光刻胶主要由（）等不同材料混合而成的。电离气体与普通气体的不同之处在于：后者是由电中性的分子或原子组成的,前者则是（）和中性粒子组成的集合体。树脂使用过程中需保持一定温度,阳树脂和阴树脂分别不能高于（）
- 扩散工艺现在广泛应用于制作（）。我们可以从测量去离子水的酸度来判别阴阳树脂谁先失效,阴树脂先失效,水呈（）性。晶振
电容
电感
PN结#酸#
碱
弱酸
弱碱
- TCP/IP协议中的TCP相当于OSI中的（）。一般用（）测量注入的剂量。应用层
网络层
物理层
传输层#剂量分布仪
剂量统计仪
电荷分析仪
电荷积分仪#
- 按加热源的不同,可以分成（）几种不同类型的蒸发。患者,男,72岁。反复无痛性肉眼血尿9个月余,近1个月自觉腰部不适、胀痛,偶见黏液中有“烂肉”脱落,膀胱镜检见左侧输尿管口喷血,MRI检查见下图。最可能的诊断是（）真空
- 下列哪些因素不会影响到显影效果的是（）。在半导体制造中,熔断丝可以应用在（）。薄膜沉积的机构包括那些步骤（）。显影液的温度
显影液的浓度
显影液的溶解度#
显影液的化学成分MOS栅极
保护性元件#
电容器极板
制
- TCP/IP协议中的TCP相当于OSI中的（）。下列物质中是结晶形态二氧化硅的有（）。关于正胶和负胶的特点,下列说法正确的是（）。下列有关曝光系统的说法正确的是（）。应用层
网络层
物理层
传输层#硅土
石英#
磷石英#
- 一般分析扩散系数,考虑两种条件,即恒定表面浓度条件和（）。在半导体工艺中,与氮化硅比较,二氧化硅更适合应用在（）。恒定总掺杂剂量#
不恒定总掺杂剂量
恒定杂志浓度
不恒定杂志浓度晶圆顶层的保护层
多层金属的介
- 铜与铝相比较,其性质有（）。铜的电阻率比铝小#
铝的熔点较高
铝的抗电迁移能力较弱#
铜与硅的接触电阻较小
铜可以在低温下淀积#
- 在确定扩散率的实验中,扩散层电阻的测量可以用（）测量。下列哪些因素不会影响到显影效果的是（）。（）是指每个入射离子溅射出的靶原子数。SIMS技术
扩展电阻技术
微分电导率技术
四探针技术#显影液的温度
显影液的
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