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- point defect的意思是（）。下列关于曝光后烘烤的说法正确的是（）。（）是测量在刻蚀过程中物质被移除的速率有多快的一种参数。点缺陷#
线缺陷
面缺陷
缺失的点烘烤的目的是除去光刻胶中的水分
烘烤可以减轻曝光中
- dry vacuum pump的意思是（）。扩散泵
谁循环泵
干式真空泵#
路兹泵
- 二氧化硅生长过程中,当分凝系数小于1时,会使二氧化硅-硅界面处硅一侧的杂质浓度（）。一般来说,溅射镀膜的过程包括（）这几步。降低#
增加
不变
先降低后增加产生一个离子并导向靶#
被轰击的原子向硅晶片运动#
离子
- （）是通过把被蒸物体加热,利用被蒸物在高温时的饱和蒸汽压来进行薄膜沉积的。蒸镀#
溅射
离子注入
CVD
- 当注入剂量增加到某个值时,损伤量不再增加,趋于饱和。饱和正是对应连续（）的形成。由静电释放产生的电流泄放最大电压可以达（）。非晶层#
单晶层
多晶层
超晶层几伏
几十伏
几百伏
几万伏#
- 局域网中使用中继器的作用是（）。在热扩散工艺中的预淀积步骤中,硼在950～1100℃的条件下,扩散时间大约（）为宜。可以实现两个以上同类网络的联接
可以实现异种网络的互连
实现信号的收集、缓冲及格式的变换
实现传
- 恒定表面浓度的条件下,在整个扩散期间,（）保持恒定表面浓度。源蒸气#
杂质和惰性气体混合物
水蒸气和杂志混合物
杂质、惰性气体、水蒸气混合物
- 通常热扩散分为两个大步骤,其中第一个步骤是（）。再分布
等表面浓度扩散
预淀积#
等总掺杂剂量扩散
- Torr是指（）的单位。真空度#
磁场强度
体积
温度
- 损伤的分布与注入离子在在靶内的（）的分布密切相关。能量淀积#
动量淀积
能量振荡
动量振荡
- （）的方法有利于减少热预算。下列组合中哪一种基本上用于刻蚀前者的干刻蚀法大都可以用来刻蚀后者（）。薄膜沉积的机构包括那些步骤（）。高压氧化#
湿氧氧化
掺氯氧化
氢氧合成氧化
等离子增强氧化#二氧化硅氮化硅
- 《金融违法行为处罚办法》规定,金融机构提供虚假的或者隐瞒重要事实的财务会计报告、统计报告的,（）。给予通报批评,并处10万元以上50万元以下的罚款
给予警告,并处1万元以上10万元以下的罚款
对该金融机构直接负责
- 清洁处理主要使用的是（）。我们可以从测量去离子水的酸度来判别阴阳树脂谁先失效,阴树脂先失效,水呈（）性。水#
有机溶剂#
碱#
酸#
盐酸#酸#
碱
弱酸
弱碱
- 硅烷的分子式是（）。引出系统要求能引出分散性较好的强束流,还希望具有较（）的气阻。SiF4
SiH4#
CH4
SiC无序
稳定
小
大#
- 局域网中使用中继器的作用是（）。下列有关ARC工艺的说法正确的是（）。可以实现两个以上同类网络的联接
可以实现异种网络的互连
实现信号的收集、缓冲及格式的变换
实现传递信号的放大和整形#ARC可以是硅的氮化物#
- 局域网中使用中继器的作用是（）。在将清洗完的硅片放进扩散炉扩散时,需要将硅片先装入（）,然后再装入扩散炉。下列材料中电阻率最低的是（）。可以实现两个以上同类网络的联接
可以实现异种网络的互连
实现信号的收
- 对于浓度覆盖很宽的杂质原子,可以采用（）方法引入到硅片中。离子注入
溅射
淀积
扩散#
- 下列有关曝光系统的说法正确的是（）。电气测量仪表若按照电流的种类来分,有（）。投影式同接触式相比,掩模版的利用率比较高#
接触式的分辨率优于接近式#
接近式的分辨率受到衍射的影响#
投影式曝光系统中不会产生衍
- 涂胶之前,要保证晶片的质量以及涂胶工序的顺利进行,下列操作正确的是（）。下面那一种薄膜工艺中底材会被消耗（）。进行去水烘烤以保证晶片干燥#
在晶片表面涂上增粘剂以保证晶片黏附性好#
刚刚处理好的晶片应立即涂
- 为了避免（）在经过氯化物等离子体刻蚀之后的残留物使其发生腐蚀,必须在刻蚀完毕之后再增加一道工序来除去这些表面残留物。多晶硅
单晶硅
铝硅铜合金#
铜
- 下列哪些元素在硅中是快扩散元素：（）。Na#
B
P
As
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