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- 微电子领域内,下列测厚仪中属于有台阶的测厚仪为（）。干氧氧化法有一些优点,但同时它的缺点有（）。去正胶常用的溶剂有（）金相学的研磨之所以会在研磨面上造成如刮伤般的痕迹是由于在制程中（）。空气污染物按照处
- 《金融违法行为处罚办法》规定,金融机构提供虚假的或者隐瞒重要事实的财务会计报告、统计报告的,（）。（）方法是大规模集成电路生产中用来沉积不同金属的应用最为广泛的技术。给予通报批评,并处10万元以上50万元以
- 患者,男,72岁。反复无痛性肉眼血尿9个月余,偶见黏液中有“烂肉”脱落,MRI检查见下图。最可能的诊断是（）一般分析扩散系数,即恒定表面浓度条件和（）。在深紫外曝光中,需要使用CA光刻胶,它的优点在于（）。对于非晶靶,
- 混凝土外加剂能使混凝土、砂浆或净浆能保持正常性能,并能按要求减少水泥用量。（）在热扩散工艺中的预淀积步骤中,砷和锑的扩散温度为（）。正确#
错误1050～1200℃#
900～1050℃
1100～1250℃
1200～1350℃
- 电气测量仪表中,整流式对电流的种类与频率的适用范围是（）。扩散工艺在现在集成电路工艺中仍然是是一项重要的集成电路工艺,现在主要被用来制作（）。半导体硅常用的施主杂质是（）。由于干法刻蚀中是同时对晶片上的
- 电气测量仪表若按照电流的种类来分,有（）。下列哪些元素在硅中是快扩散元素：（）。在深紫外曝光中,需要使用CA光刻胶,CA的含义是（）。多晶硅栅极刻蚀最大的挑战就是对（）的高选择性。超薄的栅氧化层使得在刻蚀多
- 电流通过导线时,在导线里因电阻损耗而产生热量,导线的温度就会升高。导线的温度与下列哪项因素无关（）。下列扩散杂质源中,（）不仅是硅常用的施主杂质,也是锗常用的施主杂质。通过的电流值
周围环境的温度
散热条件
- 电气测量技术的应用所以能在现代各种测量技术中占有重要的地位,是因为它具有很多优点,主要有：（）。在热扩散工艺中的预淀积步骤中,磷的扩散温度为（）。为了避免（）在经过氯化物等离子体刻蚀之后的残留物使其发生
- 为了保证保护装置能可靠地动作,27.5A的接地电流只能保证断开动作电流不超过多少的继电保护装置。（）干氧氧化中,氧化炉内的气体压力应（）一个大气压。固体中的扩散模型主要有填隙机制和（）。18.3A#
13.8A
11A
9.2A
- 通常选熔断器熔断电流为电路额定电流的（）。干氧氧化法有一些优点,但同时它的缺点有（）。二氧化硅生长过程中,当分凝系数小于1时,会使二氧化硅-硅界面处硅一侧的杂质浓度（）。固体中的扩散模型主要有填隙机制和（
- 空气污染物按照处理性质来分：有（）。硅-二氧化硅系统中含有的最主要而对器件稳定性影响最大的离子是（）。在热扩散工艺中的预淀积步骤中,磷的扩散温度为（）。如果固体中的原子排列情况是紊乱的,就称之为（）。电
- 有机性气体大多产生在下列哪道工艺（）。我们可以通过简单的结深测量和（）测量来获得扩散层的重要信息。离子注入
刻蚀
扩散
光刻#横向电阻
平均电阻率
薄层电阻#
扩展电阻
- 净化室里废气收集管系统分为两类,分别是（）。在深紫外曝光中,需要使用（）光刻胶。涂胶之前,要保证晶片的质量以及涂胶工序的顺利进行,下列操作正确的是（）。铜与氯形成的化合物挥发能力不好,因而铜的刻蚀无法以化
- 静电释放带来的问题有哪些（）。下列材料中电阻率最低的是（）。金属电迁移
金属尖刺现象
芯片产生超过1A的峰值电流#
栅氧化层击穿#
吸引带电颗粒或极化并吸引中性颗粒到硅片表面#铝
铜
多晶硅
金#
- ESD产生（）种不同的静电总类。半导体硅常用的受主杂质是（）。电荷积分仪的基本单元包括（）。在各种离子源常用的放电方式中,EOS是指有（）。铜与铝相比较,其性质有（）。1
4
3
2#锡
硫
硼#
磷I-V转换#
V-f转换#
十
- 由静电释放产生的电流泄放最大电压可以达（）。电荷积分仪的基本单元包括（）。电离气体与普通气体的不同之处在于：后者是由电中性的分子或原子组成的,前者则是（）和中性粒子组成的集合体。悬浮在空气中的颗粒称为
- 危害半导体工艺的典型金属杂质是（）。钠、钾等大离子在二氧化硅结构中是（）杂质。在对层间绝缘膜进行CMP时,层间绝缘膜的表面会随下列那些因素产生变化（）。复合床和混合床可以串联使用。复合床就是指将阳树脂和阴
- 静电释放的英文简述为（）。在热扩散工艺中的预淀积步骤中,磷的扩散温度为（）。在深紫外曝光中,需要使用CA光刻胶,CA的含义是（）。不可以对SiO2进行干法刻蚀所使用的气体是（）。ESC
SED
ESD#
SEM600～750℃
900～10
- 沾污引起的电学缺陷引起（）,硅片上的管芯报废以及很高的芯片制造成本。在集成电路工艺中,光复制图形和材料刻蚀相结合的工艺技术是（）。下列组合中哪一种基本上用于刻蚀前者的干刻蚀法大都可以用来刻蚀后者（）。树
- 悬浮在空气中的颗粒称为（）。下列材料中电阻率最低的是（）。薄膜沉积的机构包括那些步骤（）。悬浮物
尘埃
污染颗粒
浮质#铝
铜
多晶硅
金#形成晶核#
晶粒成长#
晶粒凝结#
缝道填补#
沉积膜成长#
- 沾污是指半导体制造过程中引入半导体硅片的任何危害微芯片（）的不希望有的物质。离子源的基本结构是由产生高密度等离子体的（）和引出部分组成。在半导体工艺中,淀积的薄膜层应满足的参数包含有（）。功能
成品率#
- 净化室将硅片制造设备与外部环境隔离,免受诸如（）的沾污。硅烷的分子式是（）。颗粒#
金属#
有机分子#
静电释放（ESD）#
水SiF4
SiH4#
CH4
SiC
- 树脂使用过程中需保持一定温度,阳树脂和阴树脂分别不能高于（）度,使用温度不能过低,低于0度会使树脂冻裂。80#
60
40#
20
10
- 我们可以从测量去离子水的酸度来判别阴阳树脂谁先失效,阴树脂先失效,水呈（）性。在热扩散工艺中的预淀积步骤中,砷和锑的扩散温度为（）。酸#
碱
弱酸
弱碱1050～1200℃#
900～1050℃
1100～1250℃
1200～1350℃
- 买来的新树脂往往是Na型或Cl型,新树脂使用前必须分别用酸（阳树脂）,碱（阴树脂）浸泡约（）个小时,把Na型或Cl型转换成H型或OH型。下列有关ARC工艺的说法正确的是（）。光刻胶的光学稳定通过（）来完成的。3
4#
5
6A
- 树脂的外形为（）的球状颗粒。半导体硅常用的施主杂质是（）。对于非晶靶,离子注入的射程分布取决于（）。为了防止抽气设备对离子注入系统的油污染,可在靶室前增加一个（）或采用无油泵。在半导体工艺中,淀积的薄膜
- 一般来说,我们用一定量的（）使阳树脂再生。阳树脂用盐酸做再生液,浓度为（）溶液可用原水配制。硝酸
硫酸
盐酸#
磷酸5％
10%#
15%
20%
- 阳树脂用盐酸做再生液,浓度为（）溶液可用原水配制。在热扩散工艺中的预淀积步骤中,砷和锑的扩散温度为（）。在VLSI工艺中,常用的前烘方法是（）。离子束的引出系统的间接引出系统中,阳极和插入电极之间形成一个离子
- 复合床和混合床可以串联使用。复合床就是指将阳树脂和阴树脂分别装在两个（）内串接起来。下列可作为磷扩散源的是（）。电荷积分仪的基本单元包括（）。交换柱#
混合床
混合柱
复合柱磷钙玻璃#
三氯氧磷#
三氯化磷#
- 将具有交换能力的阳树脂和阴树脂按一定比例混合后,装在聚氯乙稀或有机玻璃做的圆柱形交换柱内,自来水（）通过交换柱就能称为高纯度去离子水。在将清洗完的硅片放进扩散炉扩散时,需要将硅片先装入（）,然后再装入扩散
- 由于离子交换树脂反应,它既可以去除水中杂质离子,又可以将失效树脂进行处理,恢复交换能力,所以称为（）反应。激光退火目前有（）激光退火两种。为了避免（）在经过氯化物等离子体刻蚀之后的残留物使其发生腐蚀,必须
- 清洁处理主要使用的是（）。光刻胶主要由（）等不同材料混合而成的。射程在垂直入射方向的平面内的投影长度称之为（）。铜与氯形成的化合物挥发能力不好,因而铜的刻蚀无法以化学反应来进行,而必须施以（）。化学气相
- 由于水中阴阳离子都有导电能力,所以水的（）越高,水中离子数就越少。直流二极管辉光放电系统是由（）构成。电阻率#
电导率
电阻
电导抽真空的玻璃管
抽真空后再充入某种低压气体的玻璃管#
两个电极#
加速器
增益管
- 检验水中是否有盐酸,可用（）溶液滴入水中,如果出现白色沉淀,就表示水中有盐酸。按曝光的光源分类,曝光可以分为（）。下列关于曝光后烘烤的说法正确的是（）。下列材料中电阻率最低的是（）。请在下列选项中选出多晶
- 在半导体器件制造中,对清洗用水的纯度有比较高的要求,要用经过纯化的（）作为清洁用水。采用热氧化方法制备的二氧化硅从结构上看是（）的。分析器是一种（）分选器。下列组合中哪一种基本上用于刻蚀前者的干刻蚀法大
- 铜互连金属多层布线中,磨料的粒径一般为（）。TCP/IP协议中的TCP相当于OSI中的（）。电荷积分仪的基本单元包括（）。刻蚀要求在整个晶圆上有一个均匀的刻蚀速率,（）是在晶圆上由测量刻蚀过程前后特定点的厚度,并计
- 金相学的研磨之所以会在研磨面上造成如刮伤般的痕迹是由于在制程中（）。下列物质中是结晶形态二氧化硅的有（）。离子从进入靶起到停止点所通过的总路程称作（）。在IC芯片生长中浅沟槽隔离技术STI逐渐取代了局部氧
- 在新一代的CMP中,有使用（）磨料在金属表面上形成软质皮膜并加以去除的趋势。（）就是用功率密度很高的激光束照射半导体表面,使其中离子注入层在极短的时间内达到高温,消除损伤。下列物质的等离子体适合用以刻蚀铝合
- 直流二极管辉光放电系统是由（）构成。TCP/IP协议中的TCP相当于OSI中的（）。采用热氧化方法制备的二氧化硅从结构上看是（）的。离子束垂直进入均匀的正交磁场后,将同时受到电场力和（）的作用。一般来说,我们用一定
- 在对层间绝缘膜进行CMP时,层间绝缘膜的表面会随下列那些因素产生变化（）。光刻的主要工艺流程按照操作顺序是（）。（）是指每个入射离子溅射出的靶原子数。我们可以从测量去离子水的酸度来判别阴阳树脂谁先失效,阴
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