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- 电气测量仪表若按照电流的种类来分,有（）。低压仪表
高压仪表
直流仪表#
交流仪表#
交直流仪表#
- 硅-二氧化硅系统中含有的最主要而对器件稳定性影响最大的离子是（）。涂胶以后的晶片,需要在一定的温度下进行烘烤,这一步骤称为（）。下列有关ARC工艺的说法正确的是（）。（）是因为吸附原子在晶片表面上彼此碰撞并
- 半导体硅常用的施主杂质是（）。硅晶片上之所以可以产生薄膜,出始于布满在晶片表面的许多气体分子或其它粒子,它们主要是通过（）到达晶片表面的。真空镀膜室内,在蒸发源加热器与衬底加热器之间装有活动挡板,用来（）
- 当二氧化硅膜很薄时,膜厚与时间（）。由于干法刻蚀中是同时对晶片上的光刻胶及裸露出来的薄膜进行刻蚀的,所以其（）就比以化学反应的方式进行刻蚀的湿法还来得差。在对层间绝缘膜进行CMP时,层间绝缘膜的表面会随下列
- 采用热氧化方法制备的二氧化硅从结构上看是（）的。按曝光的光源分类,曝光可以分为（）。哪种方法可以增加缺陷的积累率而降低临界注入量：（）。直流二极管辉光放电系统是由（）构成。结晶形态
非结晶形态#
可能是结
- 二氧化硅生长过程中,当分凝系数小于1时,会使二氧化硅-硅界面处硅一侧的杂质浓度（）。He,OH,Na等元素在900℃下,在二氧化硅中的扩散率大于10－13cm2/s,这些元素称为（）。通常情况下,我们改变工艺条件使刻蚀进行中（）
- 一般分析扩散系数,考虑两种条件,即恒定表面浓度条件和（）。晶片经过显影后进行坚膜,坚膜的主要作用有（）。硅烷的分子式是（）。Torr是指（）的单位。通常情况下,我们改变工艺条件使刻蚀进行中（）的刻蚀速率尽量低
- 晶体中,每个原子在晶格中有一定的平衡位置,原子在此位置时其势能为（）。当注入剂量增加到某个值时,损伤量不再增加,趋于饱和。开始饱和的注入剂量称为（）。下面那一种薄膜工艺中底材会被消耗（）。极大值
极小值#
- 干氧氧化法具备以下一系列的优点（）。He,OH,Na等元素在900℃下,在二氧化硅中的扩散率大于10－13cm2/s,这些元素称为（）。损伤的分布与注入离子在在靶内的（）的分布密切相关。（）是通过把被蒸物体加热,利用被蒸物在
- 局域网中使用中继器的作用是（）。干氧氧化中,氧化炉内的气体压力应（）一个大气压。解决氧化层中的钠离子沾污的方法有（）。在确定扩散率的实验中,扩散层电阻的测量可以用（）测量。在热扩散工艺中的预淀积步骤中,
- 关于正胶和负胶的特点,下列说法正确的是（）。（）专指薄膜形成的过程中,并不消耗晶片或底材的材质。化学气相沉积的英文名称的缩写为（）。电气测量仪表若按照电流的种类来分,有（）。正胶在显影时不会发生膨胀,因此
- 二氧化硅薄膜厚度的测量方法有（）。我们可以通过简单的结深测量和（）测量来获得扩散层的重要信息。下列材料中电阻率最低的是（）。按加热源的不同,可以分成（）几种不同类型的蒸发。在新一代的CMP中,有使用（）磨
- 奉献社会的实质是（）。用电容－电压技术来测量扩散剖面分布是用了（）的原理。在半导体制造中,熔断丝可以应用在（）。在刻蚀二氧化硅过程中假如我们在CF4的（）内加入适量的氢气,能够降低刻蚀的速率。在IC芯片生长
- 解决氧化层中的钠离子沾污的方法有（）。一般用（）测量注入的剂量。（）专指薄膜形成的过程中,并不消耗晶片或底材的材质。检验水中是否有盐酸,可用（）溶液滴入水中,如果出现白色沉淀,就表示水中有盐酸。沾污引起的
- 二氧化硅生长过程中,当分凝系数小于1时,会使二氧化硅-硅界面处硅一侧的杂质浓度（）。晶体中,每个原子在晶格中有一定的平衡位置,原子在此位置时其势能为（）。一般用（）测量注入的剂量。悬浮在空气中的颗粒称为（）
- 在空位扩散中,如果迁移的空位的原子是杂质原子,扩散称为（）。离子源产生的离子在（）的加速电场作用下得到加速。由于干法刻蚀中是同时对晶片上的光刻胶及裸露出来的薄膜进行刻蚀的,所以其（）就比以化学反应的方式
- 用电容－电压技术来测量扩散剖面分布是用了（）的原理。在热扩散工艺中的预淀积步骤中,砷和锑的扩散温度为（）。降低靶的温度,有利于非晶层的形成,所以临界注入量随之（）。引出系统要求能引出分散性较好的强束流,还
- 采用热氧化方法制备的二氧化硅从结构上看是（）的。刻蚀要求在整个晶圆上有一个均匀的刻蚀速率,（）是在晶圆上由测量刻蚀过程前后特定点的厚度,并计算这些点的刻蚀速率而得到的。以（）等两层材料所组合而成的导电层
- 光复制图形和材料刻蚀相结合的工艺技术是（）。晶体中,每个原子在晶格中有一定的平衡位置,原子在此位置时其势能为（）。Torr是指（）的单位。为了解决中性束对注入均匀性的影响,可在系统中设有（）,使离子束偏转后再
- 在热扩散工艺中的预淀积步骤中,磷的扩散温度为（）。离子注入的主要气体源中,易燃、易爆的有（）。铜与铝相比较,其性质有（）。下列物质的等离子体适合用以刻蚀铝合金中硅的有（）。请在下列选项中选出硅化金属的英
- 离子散射方向与入射方向的夹角,称为（）。化学气相沉积的英文名称的缩写为（）。金相学的研磨之所以会在研磨面上造成如刮伤般的痕迹是由于在制程中（）。复合床和混合床可以串联使用。复合床就是指将阳树脂和阴树脂
- 采用热氧化方法制备的二氧化硅从结构上看是（）的。二氧化硅层中的钠离子可能来源于（）。二氧化硅薄膜厚度的测量方法有（）。下列哪些元素在硅中是快扩散元素：（）。目前,最广泛使用的退火方式是（）。为了防止抽
- 采用热氧化方法制备的二氧化硅从结构上看是（）的。二氧化硅薄膜厚度的测量方法有（）。He,OH,Na等元素在900℃下,在二氧化硅中的扩散率大于10－13cm2/s,这些元素称为（）。电离气体与普通气体的不同之处在于：后者是
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