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- 硅-二氧化硅系统中含有的最主要而对器件稳定性影响最大的离子是（）。钠#
钾
氢
硼
- 离子源腔体中的气体放电形成（）而引出正离子的。患者,男,72岁。反复无痛性肉眼血尿9个月余,近1个月自觉腰部不适、胀痛,偶见黏液中有“烂肉”脱落,膀胱镜检见左侧输尿管口喷血,MRI检查见下图。最可能的诊断是（）等离
- 一般用（）测量注入的剂量。由静电释放产生的电流泄放最大电压可以达（）。剂量分布仪
剂量统计仪
电荷分析仪
电荷积分仪#几伏
几十伏
几百伏
几万伏#
- 去正胶常用的溶剂有（）丙酮#
氢氧化钠溶液#
丁酮#
甲乙酮#
热的氯化碳氢化合物
- 在深紫外曝光中,需要使用CA光刻胶,CA的含义是（）。由静电释放产生的电流泄放最大电压可以达（）。化学增强#
化学减弱
厚度增加
厚度减少几伏
几十伏
几百伏
几万伏#
- 离子散射方向与入射方向的夹角,称为（）。渐近角
偏折角
散射角#
入射角
- 在VLSI工艺中,常用的前烘方法是（）。清洁处理主要使用的是（）。热空气对流法
真空热平板传导法#
红外线辐射法
射频感应加热法水#
有机溶剂#
碱#
酸#
盐酸#
- 在靶片前方设一抑制栅,作用是将（）抑制回去,从而保证测量的准确性。单晶硅刻蚀一般采用（）做掩蔽层,以氟化氢为主要的刻蚀剂,氧气为侧壁钝化作用的媒介物。二次电子#
二次中子
二次质子
无序离子氮化硅
二氧化硅#
- （）是因为吸附原子在晶片表面上彼此碰撞并结合所形成的。晶核#
晶粒
核心
核团
- 树脂使用过程中需保持一定温度,阳树脂和阴树脂分别不能高于（）度,使用温度不能过低,低于0度会使树脂冻裂。80#
60
40#
20
10
- 由静电释放产生的电流泄放最大电压可以达（）。几伏
几十伏
几百伏
几万伏#
- （）的方法有利于减少热预算。有机性气体大多产生在下列哪道工艺（）。高压氧化#
湿氧氧化
掺氯氧化
氢氧合成氧化
等离子增强氧化#离子注入
刻蚀
扩散
光刻#
- 人类的职业道德真正形成于（）。下列有关ARC工艺的说法正确的是（）。原始社会
奴隶社会#
封建社会
资本主义社会ARC可以是硅的氮化物#
可用干法刻蚀除去#
ARC膜可以通过PVD或者CVD的方法形成#
ARC在刻蚀中也可做为掩
- （）专指薄膜形成的过程中,并不消耗晶片或底材的材质。薄膜成长
蒸发#
薄膜沉积#
溅射#
以上都正确
- 下列有关曝光系统的说法正确的是（）。投影式同接触式相比,掩模版的利用率比较高#
接触式的分辨率优于接近式#
接近式的分辨率受到衍射的影响#
投影式曝光系统中不会产生衍射现象
投影式曝光是目前采用的主要曝光系统
- 早期,研究离子注入技术是用（）来进行的。物理气相沉积简称（）。重离子加速器#
热扩散炉
质子分析仪
轻离子分析器LVD
PED
CVD
PVD#
- 采用热氧化方法制备的二氧化硅从结构上看是（）的。患者,男,72岁。反复无痛性肉眼血尿9个月余,近1个月自觉腰部不适、胀痛,偶见黏液中有“烂肉”脱落,膀胱镜检见左侧输尿管口喷血,MRI检查见下图。最可能的诊断是（）结
- 当二氧化硅膜很薄时,膜厚与时间（）。t2成正比
t2成反比
t成正比#
t成反比
- 多晶硅栅极刻蚀最大的挑战就是对（）的高选择性。超薄的栅氧化层使得在刻蚀多晶硅电极时对栅氧化层的刻蚀要尽可能的小。二氧化硅#
氮化硅
单晶硅
多晶硅
- 硅烷的分子式是（）。SiF4
SiH4#
CH4
SiC
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