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- 半导体硅常用的施主杂质是（）。锡
硫
硼
磷#
- 硅-二氧化硅系统中含有的最主要而对器件稳定性影响最大的离子是（）。钠#
钾
氢
硼
- 电气测量仪表若按照电流的种类来分,有（）。低压仪表
高压仪表
直流仪表#
交流仪表#
交直流仪表#
- 离子源腔体中的气体放电形成（）而引出正离子的。患者,男,72岁。反复无痛性肉眼血尿9个月余,近1个月自觉腰部不适、胀痛,偶见黏液中有“烂肉”脱落,膀胱镜检见左侧输尿管口喷血,MRI检查见下图。最可能的诊断是（）等离
- 硅-二氧化硅系统中含有的最主要而对器件稳定性影响最大的离子是（）。涂胶以后的晶片,需要在一定的温度下进行烘烤,这一步骤称为（）。下列有关ARC工艺的说法正确的是（）。（）是因为吸附原子在晶片表面上彼此碰撞并
- 化合物半导体砷化镓常用的施主杂质是（）。硅烷的分子式是（）。分析器是一种（）分选器。以（）等两层材料所组合而成的导电层便称为Polycide。锡#
硼
磷
锰SiF4
SiH4#
CH4
SiC电子
中子
离子#
质子单晶硅
多晶硅#
- point defect的意思是（）。下列关于曝光后烘烤的说法正确的是（）。（）是测量在刻蚀过程中物质被移除的速率有多快的一种参数。点缺陷#
线缺陷
面缺陷
缺失的点烘烤的目的是除去光刻胶中的水分
烘烤可以减轻曝光中
- dry vacuum pump的意思是（）。扩散泵
谁循环泵
干式真空泵#
路兹泵
- 一般用（）测量注入的剂量。由静电释放产生的电流泄放最大电压可以达（）。剂量分布仪
剂量统计仪
电荷分析仪
电荷积分仪#几伏
几十伏
几百伏
几万伏#
- 在热扩散工艺中的预淀积步骤中,硼在900～1050℃的条件下,扩散时间大约（）为宜。关于正胶和负胶在显影时的特点,下列说法正确的是（）。在生产过程中必须使用（）来完成浅沟槽隔离STI。4～6h
50min～2h
10～40min#
5～
- 半导体硅常用的施主杂质是（）。硅晶片上之所以可以产生薄膜,出始于布满在晶片表面的许多气体分子或其它粒子,它们主要是通过（）到达晶片表面的。真空镀膜室内,在蒸发源加热器与衬底加热器之间装有活动挡板,用来（）
- 当二氧化硅膜很薄时,膜厚与时间（）。由于干法刻蚀中是同时对晶片上的光刻胶及裸露出来的薄膜进行刻蚀的,所以其（）就比以化学反应的方式进行刻蚀的湿法还来得差。在对层间绝缘膜进行CMP时,层间绝缘膜的表面会随下列
- 半导体硅常用的施主杂质是（）。电荷积分仪的基本单元包括（）。锡
硫
硼
磷#I-V转换#
V-f转换#
十进制计数电路#
控制电路#
红外探测器
- 去正胶常用的溶剂有（）丙酮#
氢氧化钠溶液#
丁酮#
甲乙酮#
热的氯化碳氢化合物
- 二氧化硅生长过程中,当分凝系数小于1时,会使二氧化硅-硅界面处硅一侧的杂质浓度（）。一般来说,溅射镀膜的过程包括（）这几步。降低#
增加
不变
先降低后增加产生一个离子并导向靶#
被轰击的原子向硅晶片运动#
离子
- 采用热氧化方法制备的二氧化硅从结构上看是（）的。按曝光的光源分类,曝光可以分为（）。哪种方法可以增加缺陷的积累率而降低临界注入量：（）。直流二极管辉光放电系统是由（）构成。结晶形态
非结晶形态#
可能是结
- （）是通过把被蒸物体加热,利用被蒸物在高温时的饱和蒸汽压来进行薄膜沉积的。蒸镀#
溅射
离子注入
CVD
- 光刻的主要工艺流程按照操作顺序是（）。哪种方法可以增加缺陷的积累率而降低临界注入量：（）。涂胶、前烘、曝光、坚膜、显影、去胶
涂胶、前烘、坚膜、曝光、显影、去胶
涂胶、前烘、曝光、显影、坚膜、去胶#
前烘
- 在深紫外曝光中,需要使用CA光刻胶,CA的含义是（）。由静电释放产生的电流泄放最大电压可以达（）。化学增强#
化学减弱
厚度增加
厚度减少几伏
几十伏
几百伏
几万伏#
- 微电子领域内,下列测厚仪中属于有台阶的测厚仪为（）。干氧氧化法有一些优点,但同时它的缺点有（）。去正胶常用的溶剂有（）金相学的研磨之所以会在研磨面上造成如刮伤般的痕迹是由于在制程中（）。空气污染物按照处
- 《金融违法行为处罚办法》规定,金融机构提供虚假的或者隐瞒重要事实的财务会计报告、统计报告的,（）。（）方法是大规模集成电路生产中用来沉积不同金属的应用最为广泛的技术。给予通报批评,并处10万元以上50万元以
- 患者,男,72岁。反复无痛性肉眼血尿9个月余,偶见黏液中有“烂肉”脱落,MRI检查见下图。最可能的诊断是（）一般分析扩散系数,即恒定表面浓度条件和（）。在深紫外曝光中,需要使用CA光刻胶,它的优点在于（）。对于非晶靶,
- 混凝土外加剂能使混凝土、砂浆或净浆能保持正常性能,并能按要求减少水泥用量。（）在热扩散工艺中的预淀积步骤中,砷和锑的扩散温度为（）。正确#
错误1050～1200℃#
900～1050℃
1100～1250℃
1200～1350℃
- 电气测量仪表中,整流式对电流的种类与频率的适用范围是（）。扩散工艺在现在集成电路工艺中仍然是是一项重要的集成电路工艺,现在主要被用来制作（）。半导体硅常用的施主杂质是（）。由于干法刻蚀中是同时对晶片上的
- 电气测量仪表若按照电流的种类来分,有（）。下列哪些元素在硅中是快扩散元素：（）。在深紫外曝光中,需要使用CA光刻胶,CA的含义是（）。多晶硅栅极刻蚀最大的挑战就是对（）的高选择性。超薄的栅氧化层使得在刻蚀多
- 电流通过导线时,在导线里因电阻损耗而产生热量,导线的温度就会升高。导线的温度与下列哪项因素无关（）。下列扩散杂质源中,（）不仅是硅常用的施主杂质,也是锗常用的施主杂质。通过的电流值
周围环境的温度
散热条件
- 电气测量技术的应用所以能在现代各种测量技术中占有重要的地位,是因为它具有很多优点,主要有：（）。在热扩散工艺中的预淀积步骤中,磷的扩散温度为（）。为了避免（）在经过氯化物等离子体刻蚀之后的残留物使其发生
- 为了保证保护装置能可靠地动作,27.5A的接地电流只能保证断开动作电流不超过多少的继电保护装置。（）干氧氧化中,氧化炉内的气体压力应（）一个大气压。固体中的扩散模型主要有填隙机制和（）。18.3A#
13.8A
11A
9.2A
- 通常选熔断器熔断电流为电路额定电流的（）。干氧氧化法有一些优点,但同时它的缺点有（）。二氧化硅生长过程中,当分凝系数小于1时,会使二氧化硅-硅界面处硅一侧的杂质浓度（）。固体中的扩散模型主要有填隙机制和（
- 空气污染物按照处理性质来分：有（）。硅-二氧化硅系统中含有的最主要而对器件稳定性影响最大的离子是（）。在热扩散工艺中的预淀积步骤中,磷的扩散温度为（）。如果固体中的原子排列情况是紊乱的,就称之为（）。电
- 有机性气体大多产生在下列哪道工艺（）。我们可以通过简单的结深测量和（）测量来获得扩散层的重要信息。离子注入
刻蚀
扩散
光刻#横向电阻
平均电阻率
薄层电阻#
扩展电阻
- 净化室里废气收集管系统分为两类,分别是（）。在深紫外曝光中,需要使用（）光刻胶。涂胶之前,要保证晶片的质量以及涂胶工序的顺利进行,下列操作正确的是（）。铜与氯形成的化合物挥发能力不好,因而铜的刻蚀无法以化
- 静电释放带来的问题有哪些（）。下列材料中电阻率最低的是（）。金属电迁移
金属尖刺现象
芯片产生超过1A的峰值电流#
栅氧化层击穿#
吸引带电颗粒或极化并吸引中性颗粒到硅片表面#铝
铜
多晶硅
金#
- ESD产生（）种不同的静电总类。半导体硅常用的受主杂质是（）。电荷积分仪的基本单元包括（）。在各种离子源常用的放电方式中,EOS是指有（）。铜与铝相比较,其性质有（）。1
4
3
2#锡
硫
硼#
磷I-V转换#
V-f转换#
十
- 由静电释放产生的电流泄放最大电压可以达（）。电荷积分仪的基本单元包括（）。电离气体与普通气体的不同之处在于：后者是由电中性的分子或原子组成的,前者则是（）和中性粒子组成的集合体。悬浮在空气中的颗粒称为
- 危害半导体工艺的典型金属杂质是（）。钠、钾等大离子在二氧化硅结构中是（）杂质。在对层间绝缘膜进行CMP时,层间绝缘膜的表面会随下列那些因素产生变化（）。复合床和混合床可以串联使用。复合床就是指将阳树脂和阴
- 静电释放的英文简述为（）。在热扩散工艺中的预淀积步骤中,磷的扩散温度为（）。在深紫外曝光中,需要使用CA光刻胶,CA的含义是（）。不可以对SiO2进行干法刻蚀所使用的气体是（）。ESC
SED
ESD#
SEM600～750℃
900～10
- 沾污引起的电学缺陷引起（）,硅片上的管芯报废以及很高的芯片制造成本。在集成电路工艺中,光复制图形和材料刻蚀相结合的工艺技术是（）。下列组合中哪一种基本上用于刻蚀前者的干刻蚀法大都可以用来刻蚀后者（）。树
- 悬浮在空气中的颗粒称为（）。下列材料中电阻率最低的是（）。薄膜沉积的机构包括那些步骤（）。悬浮物
尘埃
污染颗粒
浮质#铝
铜
多晶硅
金#形成晶核#
晶粒成长#
晶粒凝结#
缝道填补#
沉积膜成长#
- 沾污是指半导体制造过程中引入半导体硅片的任何危害微芯片（）的不希望有的物质。离子源的基本结构是由产生高密度等离子体的（）和引出部分组成。在半导体工艺中,淀积的薄膜层应满足的参数包含有（）。功能
成品率#
川公网安备 51012202001360号