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- 在外延工艺中,如果膜和衬底材料（）,例如硅衬底上长硅膜,这样的膜生长称为（）；反之,膜和衬底材料不一致的情况,例如硅衬底上长氧化铝,则称为（）。相同；同质外延；异质外延
- 淀积膜的过程有三个不同的阶段。第一步是（）,第二步是（）,第三步是（）。晶核形成；聚焦成束；汇聚成膜
- 目前常用的CVD系统有（）、（）和（）。APCVD；LPCVD；PECVD
- 硅片上的氧化物主要通过（）和（）的方法产生,由于硅片表面非常平整,使得产生的氧化物主要为层状结构,所以又称为（）。热生长；淀积；薄膜
- 立式炉的工艺腔或炉管是对硅片加热的场所,它由垂直的（）、（）和（）组成。石英工艺腔；加热器；石英舟
- 选择性氧化常见的有（）和（）,其英语缩略语分别为LOCOS和（）。局部氧化；浅槽隔离；STI
- 列出热氧化物在硅片制造的4种用途（）、（）、场氧化层和（）。掺杂阻挡；表面钝化；金属层间介质
- 根据氧化剂的不同,热氧化可分为（）、（）和（）。干氧氧化；湿氧氧化；水汽氧化
- 用于热工艺的立式炉的主要控制系统分为五部分（）、（）、气体分配系统、尾气系统和（）。工艺腔；硅片传输系统；温控系统
- 热氧化工艺的基本设备有三种（）、（）和（）。卧式炉；立式炉；快速热处理炉
- 制备半导体级硅的过程：1、（）；2、（）；3、（）。制备工业硅；生长硅单晶；提纯
- 晶圆制备中的整型处理包括（）、（）和（）。去掉两端；径向研磨；硅片定位边和定位槽
- CZ直拉法的目的是（）。实现均匀掺杂的同时并且复制仔晶的结构,得到合适的硅锭直径并且限制杂质引入到硅中
- 影响CZ直拉法的两个主要参数是（）和（）。拉伸速率；晶体旋转速率
- CZ直拉法生长单晶硅是把（）变为（）并且（）的固体硅锭。融化了的半导体级硅液体；有正确晶向的；被掺杂成p型或n型
- 从半导体制造来讲,晶圆中用的最广的晶体平面的密勒符号是（）、（）和（）。100；110；111
- 晶圆制备的九个工艺步骤分别是（）、整型、（）、磨片倒角、刻蚀、（）、清洗、检查和包装。单晶生长；切片；抛光
- 晶圆的英文是（）,其常用的材料是（）和（）。wafer；硅；锗
- 单晶硅生长常用（）和（）两种生长方式,生长后的单晶硅被称为（）。CZ法；区熔法；硅锭
- 用来做芯片的高纯硅被称为（）,英文简称（）,有时也被称为（）。半导体级硅；GSG；电子级硅
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