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- 各向异性的刻蚀剖面是在所有方向上（横向和垂直方向）以相同的刻蚀速率进行刻蚀。正确#
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- 有光刻胶覆盖硅片的三个生产区域分别为光刻区、刻蚀区和扩散区。正确#
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- 投影掩膜版上的图形是由金属钽所形成的。正确#
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- 芯片上的物理尺寸特征被称为关键尺寸,即CD。正确#
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- 光刻的本质是把电路结构复制到以后要进行刻蚀和离子注入的硅片上。正确#
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- 曝光后烘焙,简称后烘,其对传统I线光刻胶是必需的。正确#
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- 对正性光刻来说,剩余不可溶解的光刻胶是掩膜版图案的准确复制。正确#
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- 光刻区使用黄色荧光灯照明的原因是,光刻胶只对特定波长的光线敏感,例如深紫外线和白光,而对黄光不敏感。正确#
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- 步进光刻机的三个基本目标是对准聚焦、曝光和合格产量。正确#
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- 没有CMP,就不可能生产甚大规模集成电路芯片。正确#
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- 最早应用在半导体光刻工艺中的光刻胶是正性光刻胶。正确#
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- 旋涂膜层是一种传统的平坦化技术,在0.35μm及以上器件的制造中常普遍应用于平坦化和填充缝隙。正确#
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- 20世纪90年代初期使用的第一台CMP设备是用样片估计抛光时间来进行终点检测的。正确#
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- 在CMP设备中被广泛采用的终点检测方法是光学干涉终点检测。正确#
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- CMP带来的一个显著的质量问题是表面微擦痕。小而难以发现的微擦痕导致淀积的金属中存在隐藏区,可能引起同一层金属之间的断路。正确#
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- 反刻是一种传统的平坦化技术,它能够实现全局平坦化。正确#
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- 电机电流终点检测不适合用作层间介质的化学机械平坦化。正确#
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- 平滑是一种平坦化类型,它只能使台阶角度圆滑和侧壁倾斜,但高度没有显著变化。正确#
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- 化学机械平坦化,简称CMP,它是一种表面全局平坦化技术。正确#
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- 溅射是个化学过程,而非物理过程。正确#
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- 表面起伏的硅片进行平坦化处理,主要采用将低处填平的方法。正确#
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- 传统互连金属线的材料是铝,即将取代它的金属材料是铜。正确#
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- 关键层是指那些线条宽度被刻蚀为器件特征尺寸的金属层。正确#
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- 阻挡层金属是淀积金属或金属塞,其作用是增加上下层材料的附着。正确#
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- 多层金属化指用来连接硅片上高密度堆积器件的那些金属层。正确#
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- 接触是由导电材料如铝、多晶硅或铜制成的连线将电信号传输到芯片的不同部分。正确#
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- 大马士革工艺的重点在于介质的刻蚀而不是金属的刻蚀。正确#
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- 蒸发最大的缺点是不能产生均匀的台阶覆盖,但是可以比较容易的调整淀积合金的组分。正确#
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- 大马士革工艺来源于一种类似精制的镶嵌首饰或艺术品的图案。正确#
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- 接触是指硅芯片内的器件与第一层金属层之间在硅表面的连接。正确#
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- LPCVD紧随PECVD的发展而发展。由660℃降为450℃,采用增强的等离子体,增加淀积能量,即低压和低温。正确#
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- 与APCVD相比,LPCVD有更低的成本、更高的产量以及更好的膜性能,因此应用更为广泛。正确#
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- APCVD反应器中的硅片通常是平放在一个平面上。正确#
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- 外延就是在单晶衬底上淀积一层薄的单晶层,分为同质外延和异质外延两大类。正确#
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- 在半导体产业界第一种类型的CVD是APCVD。正确#
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- 外延就是在单晶衬底上淀积一层薄的单晶层,即外延层。正确#
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- LPCVD反应是受气体质量传输速度限制的。正确#
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- CVD是利用某种物理过程,例如蒸发或者溅射现象实现物质的转移,即原子或分子由源转移到衬底（硅）表面上,并淀积成薄膜。正确#
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- 高阻衬底材料上生长低阻外延层的工艺称为正向外延。正确#
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- 用于亚0.25μm工艺的选择性氧化的主要技术是浅槽隔离。正确#
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