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- 大马士革工艺的名字来源于几千年前叙利亚大马士革的一位艺术家发明的一种技术。正确#
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- 侧墙用来环绕多晶硅栅,防止更大剂量的源漏注入过于接近沟道以致可能发生源漏穿通。正确#
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- 多晶硅栅的宽度通常是整个硅片上最关键的CD线宽。正确#
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- 集成电路是由Kilby和Noyce两人于1959年分别发明,并共享集成电路的专利。正确#
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- 世界上第一块集成电路是用硅半导体材料作为衬底制造的。正确#
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- 人员持续不断地进出净化间,是净化间沾污的最大来源。正确#
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- 硅片制造厂可分为六个独立的区域,各个区域的照明都采用同一种光源以达到标准化。正确#
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- CD是指硅片上的最小特征尺寸。正确#
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- 集成电路制造就是在硅片上执行一系列复杂的化学或者物理操作。简而言之,这些操作可以分为四大基本类：薄膜制作、刻印、刻蚀和掺杂。正确#
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- CMOS反相器电路的功效产生于输入信号为零的转换器。正确#
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- 离子注入中高能量意味着注入硅片更深处,低能量则用于超浅结注入。正确#
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- 离子注入能够重复控制杂质的浓度和深度,因而在几乎所有应用中都优于扩散。正确#
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- 离子注入的缺点之一是注入设备的复杂性。正确#
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- 离子注入是一个物理过程,不发生化学反应。正确#
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- 离子注入物质必须以带电粒子束或离子束的形式存在。正确#
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- 离子注入是唯一能够精确控制掺杂的手段。正确#
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- 硼是VA族元素,其掺杂形成的半导体是P型半导体。正确#
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- 离子注入中静电扫描的主要缺点是离子束不能垂直轰击硅片,会导致光刻材料的阴影效应,阻碍离子束的注入。正确#
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- P是VA族元素,其掺杂形成的半导体是P型半导体。正确#
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- 离子注入会将原子撞击出晶格结构而损伤硅片晶格,高温退火过程能使硅片中的损伤部分或绝大部分得到消除,掺入的杂质也能得到一定比例的电激活。正确#
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- 热扩散中的横向扩散通常是纵向结深的75%~85%。先进的MOS电路不希望发生横向扩散,因为它会导致沟道长度的减小,影响器件的集成度和性能。正确#
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- 扩散运动是各向同性的。正确#
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- 硅中的杂质只有一部分被真正激活,并提供用于导电的电子或空穴（大约3%~5%）,大多数杂质仍然处在间隙位置,没有被电学激活。正确#
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- 掺杂的杂质和沾污的杂质是一样的效果。正确#
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- 扩散率越大,杂质在硅片中的移动速度就越大。正确#
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- 纯净的半导体是一种有用的半导体。正确#
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- CD越小,源漏结的掺杂区越深。正确#
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- 晶体管的源漏区的掺杂采用自对准技术,一次掺杂成功。正确#
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- 在硅中固态杂质的热扩散需要三个步骤：预淀积、推进和激活。正确#
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- 在晶片制造中,有两种方法可以向硅片中引入杂质元素,即热扩散和离子注入。正确#
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- 高密度等离子体刻蚀机是为亚0.25微米图形尺寸而开发的最重要的干法刻蚀系统。正确#
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- 在刻蚀中用到大量的化学气体,通常用氟刻蚀二氧化硅。正确#
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- 与干法刻蚀相比,湿法腐蚀的好处在于对下层材料具有高的选择比,对器件不会带来等离子体损伤,并且设备简单。正确#
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- 刻蚀的高选择比意味着只刻除想要刻去的那一层材料。正确#
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- 在半导体生产中,湿法腐蚀是最主要的用来去除表面材料的刻蚀方法。正确#
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- 对于大马士革工艺,重点是在于金属的刻蚀而不是介质的刻蚀。正确#
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- 刻蚀速率通常正比于刻蚀剂的浓度。正确#
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- 干法刻蚀是亚微米尺寸下刻蚀器件的最主要方法,湿法腐蚀一般只是用在尺寸较大的情况下刻蚀器件,例如大于3微米。正确#
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- 不正确的刻蚀将导致硅片报废,给硅片制造公司带来损失。正确#
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- 光刻是集成电路制造工艺发展的驱动力。正确#
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