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- 当佩戴的EPD出现报警时,下列那些做法是正确（）。下述存在放射性表面污染风险的情况有（）。下列哪些工作可以减少个人受照射的时间（）。尽快干完活后离开
自己把报警声音消掉
通知辐射防护值班人员#
立即退出现场并
- 辐射的躯体效应是显现在（）身上的效应。功率运行模式下,进入RX厂房查找或处理缺陷工作的总负责人是（）。外照射的（）防护法就是在人与辐射源之间设置屏蔽层。辐射防护是核电站（）的责任。受照人家人
受照人后代
- 功率运行模式下,进入RX厂房查找或处理缺陷工作的总负责人是（）。控制区的黄区,其环境剂量率范围是（）。控制区内的非放射性废物（或物品）应该用（）塑料袋（或塑料布）包装。A.RP工程师B.当班值长C.工作负责人D.电
- 下列哪些工作可以减少个人受照射的时间（）。剂量分担#
做好人员培训#
做好工作准备#
- 辐射的遗传效应是显现在（）身上的效应。工作时穿上气面罩、纸衣、塑料鞋套、乳胶手套等附加防护用品,出污染区时脱下这些附加防护用品的顺序是（）。设置有污染区的工作完成后,应当（）。受照人自己
受照人家人
没任
- 间接测量物体表面β污染的常用仪表是（）。进行一项工作,发现越过了RP控制点而未通知辐射防护人员,这时应当（）。6150AD5
MPR200＋PB-GM2
CPO
6150AD5+AD17#打扫现场就当事情没发生过
坚决不承认
立即停工并及时联系
- 控制区内不可回收的固体放射性废物应用（）塑料袋收集。在60Coγ源与工作人员之间设置3个半减弱层的铅屏蔽,则γ射线的强度将减弱至原来的（）。控制区内的非放射性废物（或物品）应该用（）塑料袋（或塑料布）包装。测
- 辐射的躯体效应是显现在（）身上的效应。在既有湿表面污染又有空气污染的工作条件下,工作人员最好的防护是穿戴（）。受照人家人
受照人后代
没任何人
受照人自己#气面罩
气瓶+呼吸面具
纸衣加口罩
气衣#
- 当C1、C2门显示你被污染时,你应该（）。1贝克（Bq）=（）衰变/秒。下述那些情况可能会产生放射性空气污染。（）在同伴帮助下小心清洗。
自己立刻进行冲洗。
不予理会,强行通过。
及时通知辐射防护人员,不允许自行处
- 功率运行期间,下列那些RX房间在发现缺陷之后可以立即处理（）。在60Coγ源与工作人员之间设置3个半减弱层的铅屏蔽,则γ射线的强度将减弱至原来的（）。电厂规定计划外单日个人外照射剂量的干预水平为（）mSv。工作时穿
- 控制区内使用过的白纱手套、汗衫等棉质防护用品应放入（）塑料袋内。辐射的躯体效应是显现在（）身上的效应。办理控制区正式通行证必须具备的文件是（）。红色
白色
蓝色
黄色#受照人家人
受照人后代
没任何人
受照
- 控制区内使用过的白纱手套、汗衫等棉质防护用品应放入（）塑料袋内。控制区的红区,其环境剂量率范围是（）。电厂规定计划外每日个人外照射剂量的调查水平为（）mSv。下述物质中,屏蔽ｒ射线常用的是（）。红色
白色
- 功率运行模式下进入RX厂房须办理高辐射风险工作许可证,该证需由（）签字。工作负责人和计划工程师#
辐射防护工程师#
电厂厂长#
运行值值长#
- 在60Coγ源与工作人员之间设置3个半减弱层的铅屏蔽,则γ射线的强度将减弱至原来的（）。辐射防护是核电站（）的责任。三分之一
六分之一
九分之一
八分之一#参观等其他人员#
辐射工作人员#
辐射防护人员#
职业安全处处
- 控制区内使用过的白纱手套、汗衫等棉质防护用品应放入（）塑料袋内。1贝克（Bq）=（）衰变/秒。下列必须办理《高辐射风险工作许可证》的工作有（）。红色
白色
蓝色
黄色#2
3
5
1#进入QS
高放物项操作（接触剂量率≧2
- 控制区内用过的气面罩、塑料手套和塑料鞋套应用（）塑料袋收集。辐射的躯体效应是显现在（）身上的效应。电厂规定计划外每日个人外照射剂量的调查水平为（）mSv。辐射防护是核电站（）的责任。黄色
白色
蓝色
红色#
- 功率运行期间,下列那些RX房间在发现缺陷之后可以立即处理（）。随身携带的小件物品出控制区前,必须经过（）测量。工作时穿上气面罩、纸衣、塑料鞋套、乳胶手套等附加防护用品,出污染区时脱下这些附加防护用品的顺序
- 当C1、C2门显示你被污染时,你应该（）。功率运行模式下进入RX厂房须办理高辐射风险工作许可证,该证需由（）签字。下述存在放射性表面污染风险的情况有（）。在同伴帮助下小心清洗。
自己立刻进行冲洗。
不予理会,强
- 办理橙区的进入许可证,需要签字人员有：工作负责人、工作负责人所在处的处长（或承包商对口处处长）、计划工程师、（）。放射性原子核经过（）个半衰期后,其数目衰减为原有数目的十六分之一。控制区内（）塑料袋用于
- 控制区内用过的气面罩、塑料手套和塑料鞋套应用（）塑料袋收集。控制区的黄区,其环境剂量率范围是（）。控制区的橙区,其环境剂量率范围是（）。黄色
白色
蓝色
红色#小于10uSv/h
大于10uSv/h
100uSv/h-1mSv/h
10uSv/
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