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- 本征半导体样品两端数有电极,沿电极方向加油电场,当在垂直于电场方向有均匀光照入射到样品表面,且入射光通量恒定时,样品流出的光流称为（）光电流。动态
亮态
暗态
稳态#
- 在发光二极管中,产生发光的是在（）。下列像管的性能指标（）的值越高,像管的成像质量越好。P区
N区
结区#
玻璃窗光电转换特性；#
等效背景照度；
畸变；
暗电流；
- 像管中（）的出现和使用,成为了第三代像管出现的标志性部件。负电子亲和势阴极；#
电子光学系统；
微通道板MCP；
光纤面板；
- ICCD表示的是（）CCD。某台测温仪表的测温范围是200～600℃,而该仪表的最大绝对误差为±3℃,该仪表的精度等级是（）。本征半导体样品两端数有电极,沿电极方向加油电场,当在垂直于电场方向有均匀光照入射到样品表面,且入
- 脉冲编码调制包括（）在光源λ一定的情况下,通过半导体的透射光强随温度T的增加而（）。A、编码#
B、模拟
C、量化#
D、抽样#增加；
减少；#
不变；
不能确定；
- 关于直接探测和外差探测下列说法正确的是（）A、外差探测基于两束光波在探测器光敏面上的相干效应。B、外差探测适宜弱光信号的探测,直接探测适宜强光信号的探测。C、与外差探测相比直接探测具有良好的滤波性能。D、
- 对于大气对可见光的散射,下列说法正确是（）A、当光波长远大于散射粒子尺度时,即产生瑞利散射。B、当光波长相当于或小于散射粒子的尺度时,即产生米氏散射。C、对于瑞利散射,蓝光比红光散射强烈。D、对于瑞利散射,波
- 通过对半导体激光器采用（）来获得调制光信号线阵CCD的组成包括（）。霍尔元件（）霍尔传感器的灵敏度越高。磁场垂直于霍尔薄片,磁感应强度为B,但磁场方向与原磁场强度相反（θ＝180°）时,霍尔电动势（）,因此霍尔元
- 下列器件运用外光电效应的是（）为了实现均匀倍增,雪崩光电二极管衬底掺杂材料要求（）。半导体结中并不存在（）。通过对半导体激光器采用（）来获得调制光信号A、光电倍增管#
B、光电池
C、像增强管#
D、光敏电阻浓
- 人眼按不同照度下的响应可分为明视觉、（）。磁场垂直于霍尔薄片,磁感应强度为B,但磁场方向与原磁场强度相反（θ＝180°）时,霍尔电动势（）,因此霍尔元件可用于测量交变磁场。暗视觉绝对值相同,符号相反#
绝对值相同,
- 常用的彩色胶卷一般分为日光型和灯光型,这是按照（）区分的。光纤通信指的是（）。A、光照度
B、光亮度
C、色温#
D、光视效率A.以电波作载波、以光纤为传输媒介的通信方式B.以光波作载波、以光纤为传输媒介的通信方
- 半导体受光照后电流增加的现象,称为（）光电导效应
- 激光发光是（）。太阳光经过大气,其中100nm～200nm的光被（）吸收。自发辐射
受激辐射#
热辐射
电致发光氧分子#
臭氧
二氧化碳
氮原子
- 费米能级Ef的意义是电子占据率为（）时所对应的能级。用频率描述光源光功率分布的种类有（）光谱。0；
0.1；
0.2；
0.5；#线状#
球状#
带状#
连续#
混合
- S（λ）＝U（λ）/Ф（λ）,S（λ）称为光电器件的（）硅光电二极管与硅光电池比较,后者（）。本征半导体样品两端数有电极,沿电极方向加油电场,当在垂直于电场方向有均匀光照入射到样品表面,且入射光通量恒定时,样品流出
- 充气白炽灯主要充入循环剂是（）。通过对半导体激光器采用（）来获得调制光信号属于自发辐射的光源是（）。氢气
溴化硼#
氖气
氪气A、外调制
B、直接调制#
C、相位调制
D、电光调制LD
LED#
CCD
PMT
- 按光波在时间、空间上的相位特征,将光源分为（）。如下不是降低光电倍增管的暗电流的方法（）。激光发光是（）。相干和非相干光源直流补偿
选频和锁相缩小#
冷却光电倍增管
增加电磁屏蔽自发辐射
受激辐射#
热辐射
- 光纤中光传播的条件是（）。辐通量相同时,光通量较大的光的波长是（）nm。光入射角大于临界角
光入射角小于临界角
光入射角等于临界角
光入射角大于等于临界角#555#
590
620
780
- 吸收量M与投射的辐射线量E的比率称为（）。辐通量相同时,光通量较大的光的波长是（）nm。材料的禁带宽度,最大的是（）天平属于（）检测方法。吸收系数555#
590
620
780金属；
杂质半导体；
绝缘体；#
本征半导体；偏
- 费米能级Ef的意义是电子占据率为（）时所对应的能级。0；
0.1；
0.2；
0.5；#
- 如下不是降低光电倍增管的暗电流的方法（）。假设将人体作为黑体,正常人体体温为36.5℃,那么由维恩定律,可以计算出正常人体的峰值辐射波长为（）。等离子体是一种（）。直流补偿
选频和锁相缩小#
冷却光电倍增管
增加
- 像管中（）的出现和使用,成为了第二代像管出现的标志性部件。负电子亲和势阴极
电子光学系统
微通道板MCP#
光纤面板
- TDICCD表示的是（）CCD。增强型
时间延迟型#
电子轰击模式
红外
- 面阵CCD主要是通过（）工作。电荷#
电压
电流
电阻
- 光电二极管的PN结工作在反偏状态,它的反向电流会随光照强度的增加而（）。某台测温仪表的测温范围是200～600℃,而该仪表的最大绝对误差为±3℃,该仪表的精度等级是（）。增加0.5级
0.75级
0.8级
1.0级#
- 可产生太赫兹辐射的光源是（）。氙灯
CO2激光器
氦氖激光器
飞秒脉冲激光器#
- 光通量是辐射通量的（）倍。太阳光经过大气,其中100nm～200nm的光被（）吸收。以下的（）是不属于非相干光源683#
1/683
863
1/863氧分子#
臭氧
二氧化碳
氮原子热辐射光源
气体放电光源
固体发光光影
激光光源#
- 像管中（）的出现和使用,成为了第一代像管出现的标志性部件。光的发射,属于受激发射的器件是（）。在光电倍增管中,产生光电效应的是（）。半导体结中并不存在（）。通过对半导体激光器采用（）来获得调制光信号属于
- 半导体结中并不存在（）。汞灯是一种（）PN结
PIN结
肖特基结
光电结#气体光源#
热光源
冷光源
激光光源
- 波长为1mm的波属于（）。远红外线
太赫兹波#
可见光
X射线
- 任何温度下对任何波长的入射辐射能的吸收比都小于1,称为（）。充气白炽灯主要充入循环剂是（）。光纤通信指的是（）。按发光机理,光源有（）光源。线阵CCD的组成包括（）。本征半导体样品两端数有电极,沿电极方向加
- 在光电倍增管中,产生光电效应的是（）。用频率描述光源光功率分布的种类有（）光谱。阴极#
阳极
倍增极
玻璃窗线状#
球状#
带状#
连续#
混合
- 光的发射,属于受激发射的器件是（）。光子探测是利用入射光和磁,产生（）,使材料的电学性质发生变化。通过测量电学性质的变化,可以知道红外辐射的强弱。本征半导体样品两端数有电极,沿电极方向加油电场,当在垂直于电
- 硅光电二极管与硅光电池比较,前者（）。辐通量相同时,光通量较大的光的波长是（）nm。掺杂浓度低#
电阻率低
零偏工作
光敏面积大555#
590
620
780
- 波长为1mm的波属于（）。Sb－Cs材料,主要用于（）变像管光阴极。远红外线
太赫兹波#
可见光
X射线红外
紫外#
可见
X射线
- 为了实现均匀倍增,雪崩光电二极管衬底掺杂材料要求（）。汞灯是一种（）浓度均匀#
浓度大
浓度小
浓度适中气体光源#
热光源
冷光源
激光光源
- 波长为10μm的光线属（）。近红外线
中红外线
远红外线#
极远红外线
- 热效应较大的光是（）。构成微循环结构的不包括()紫光
红光
红外#
紫外A．微动脉
B．中间微动脉
C．微静脉
D．淋巴管#
E．小静脉
- 半导体中施主能级的位置位于（）中。激光发光是（）。主动监测系统的光源主要为（）光源禁带#
价带
导带
满带自发辐射
受激辐射#
热辐射
电致发光激光#
太阳光
发光二级管
荧光
- 依据噪声产生的物理原因,光电探测器的噪声可大致分为散粒噪声、（）和低频噪声三类。光度量是辐射度量的（）倍。下边哪一项可作为光电耦合器件的发光件（）。在光电倍增管中,产生光电效应的是（）。在光源λ一定的情
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