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- 绝对误差Δ与被测量的真值Ax之比是（）误差。下列光源中,最佳的彩色摄影用光源是（）。实际相对误差
示值相对误差#
引用相对误差
系统相对误差卤钨灯#
氘灯
汞灯
汞氙灯
- 霍尔元件（）霍尔传感器的灵敏度越高。光的发射,属于受激发射的器件是（）。硅光电二极管与硅光电池相比,前者比后者不正确的说法是（）越厚
越薄#
没有关系
越大LD#
LED
CCD
PMT衬底掺杂浓度高；#
电阻率高；
光敏面
- 天平属于（）检测方法。偏差法
微差法
零位法#
平衡法
- （）电容传感器的输出特性是线性的,灵敏度是常数。光照一定,短路电流与入射光波长的关系,属光电池的（）特性。变面积式#
变极距式
变介电常数
变面积式和变介电常数频率
伏安
光谱#
温度
- 利用涡流传感器测量齿数Z=60的齿轮的转速,测得f=400Hz,则该齿轮的转速n等于（）r/min。PN结光生伏特效应（）。400#
3600
24000
60电子集中的P区
电子集中的N区结表面#
电子集中的P区表面
电子集中的N区表面
- 某台测温仪表的测温范围是200～600℃,而该仪表的最大绝对误差为±3℃,该仪表的精度等级是（）。下列光源中,最佳的彩色摄影用光源是（）。光电池有（）种类。充气白炽灯主要充入循环剂是（）。0.5级
0.75级
0.8级
1.0级#
- 构成一个传感受器必不可少的部分是（）。在发光二极管中,产生发光的是在（）。转换元件
敏感元件#
转换电路
嵌入式微处理器P区
N区
结区#
玻璃窗
- 导体或半导体材料在外界力的作用下,会产生机械变形,其电阻值也将随着发生变化,这种现象称为应变效应。应变片传感器由电阻应变片和（）两部分组成。充气白炽灯主要充入循环剂是（）。测量电路氢气
溴化硼#
氖气
氪气
- 若已知某直流电压的大致范围,选择测量仪表时,应尽可能选用那些其量程大于被测电压而又小于（）的电压表。汞灯是一种（）光子探测是利用入射光和磁,产生（）,使材料的电学性质发生变化。通过测量电学性质的变化,可以
- 一个完整的检测系统或检测装置通常由传感器、（）、传出单元和显示装置等部分组成。光源在指定方向上通过单位立体角内的辐射通量的多少,称为（）。测量电路辐功率；
辐强度；#
辐照度；
辐出度；
- 按折射率分布划分,光纤可分为（）和渐变型。阶跃型
- 为使电荷包实现定向转移,需要控制好相邻栅极上的（）,从而调节其下对应势阱的深浅,电压的绝对值越大,势阱就越（）,电荷包总是从较浅势阱流向深势阱。光电传感器的常用光电元件（）。电压；深普通光电二极管#
雪崩光
- 自由载流子型光电导指是（）的半导体材料有很高迁移率
- PN结光电器件,反偏时光电流与反偏电压（）。任何温度下对任何波长的入射辐射能的吸收比都等于1,称为（）。光子探测器有（）类型。主动监测系统的光源主要为（）光源几乎无关黑体#
灰体
黑洞
绝对黑体外光电效应#
内
- 以激光为载体,将信息加载到激光的过程,称为光束（）。面阵CCD主要是通过（）工作。硅光电二极管与硅光电池相比,前者比后者不正确的说法是（）调制电荷#
电压
电流
电阻衬底掺杂浓度高；#
电阻率高；
光敏面小；
前者
- 光电倍增管加高压的目的是,保证（）和电子有效收集。光电池的工作条件是（）。电流放大加热
加正向偏置
加反向偏置
加光照#
- 利用光电效应制成的红外探测器,简称（）。PN结光生伏特效应（）。光子探测器有（）类型。光子探测器电子集中的P区
电子集中的N区结表面#
电子集中的P区表面
电子集中的N区表面外光电效应#
内光电效应#
光电导效应#
- 用频率描述光源光功率分布的种类有（）光谱。半导体中施主能级的位置位于（）。线状#
球状#
带状#
连续#
混合禁带#
满带
导带
价带
- 线阵CCD的组成包括（）。光照一定,短路电流与入射光波长的关系,属光电池的（）特性。结型光电器件与三极管连接,保证放大,要接在（）。关于直接探测和外差探测下列说法正确的是（）ID#
IG#
OD#
OG#
MOS#频率
伏安
光
- 按发光机理,光源有（）光源。脉冲编码调制包括（）太阳光经过大气,其中100nm～200nm的光被（）吸收。热辐射#
气体发光#
固体发光#
激光#
显示A、编码#
B、模拟
C、量化#
D、抽样#氧分子#
臭氧
二氧化碳
氮原子
- 激光是通过（）产生的。以下的（）是不属于非相干光源受激辐射#
自发辐射
热辐射
电流热辐射光源
气体放电光源
固体发光光影
激光光源#
- 像管中（）的出现和使用,成为第三代像管出现的标志性部件。负电子亲和势阴极；#
电子光学系统；
微通道板MCP；
光纤面板；
- 为了使雪崩光电二极管正常工作,应在其P-N结上加（）。A.高反向偏压B.低正向偏压C.高正向偏压D.低反向偏压#
- 硅光电二极管与硅光电池相比,前者比后者不正确的说法是（）波长为0.8μm的光线属（）。通过对半导体激光器采用（）来获得调制光信号可听声波的频率范围一般为（）。衬底掺杂浓度高；#
电阻率高；
光敏面小；
前者反偏
- 最安全的成像是（）。CT
IR
X-Ray
THz#
- 下列像管的性能指标（）的值越高,像管的成像质量越好。属于相干光源的是（）。波长为0.8μm的光线属（）。光电转换特性；#
等效背景照度；
畸变；
暗电流；气体放电灯
黑体辐射器
固体激光器#
发光二极管近红外线#
中
- 光纤的数值孔径与（）有关。半导体中施主能级的位置位于（）中。天平属于（）检测方法。纤芯的直径
包层的直径
相对折射率差#
光的工作波长禁带#
价带
导带
满带偏差法
微差法
零位法#
平衡法
- N型半导体的费米能级处于禁带（）。热敏电阻的种类不包括（）。磁场垂直于霍尔薄片,磁感应强度为B,但磁场方向与原磁场强度相反（θ＝180°）时,霍尔电动势（）,因此霍尔元件可用于测量交变磁场。中间
上部#
下部
不确
- PN结和光敏电阻的时间常数（）。结型光电器件的特点（）结型光电器件与三极管连接,保证放大,要接在（）。灵敏度最高的光电器件是（）属于自发辐射的光源是（）。电子亲和势,是指电子从（）到真空能级的能级差。前者
- 光纤通信指的是（）。光电传感器使用的光电元件有（）。为了使雪崩光电二极管正常工作,应在其P-N结上加（）。按发光机理,光源有（）光源。A.以电波作载波、以光纤为传输媒介的通信方式B.以光波作载波、以光纤为传输
- 光电探测器单位信噪比的光功率,称为光电探测器的（）。彩色CCD有（）种。汞灯是一种（）硅光电二极管与硅光电池比较,前者（）。电流灵敏度；
光谱灵敏度；
噪声等效功率；#
通量阈；1
2
3#
4气体光源#
热光源
冷光源
- 在光源λ一定的情况下,通过半导体的透射光强随温度T的增加而（）。光照一定,短路电流与入射光波长的关系,属光电池的（）特性。可产生太赫兹辐射的光源是（）。某台测温仪表的测温范围是200～600℃,而该仪表的最大绝对
- 电子亲和势,是指电子从（）到真空能级的能级差。导带底能级#
价带顶能级
费米能级
施主能级
- 光子探测是利用入射光和磁,产生（）,使材料的电学性质发生变化。通过测量电学性质的变化,可以知道红外辐射的强弱。充气白炽灯主要充入（）。IRCCD表示的是（）CCD。任何温度下对任何波长的入射辐射能的吸收比都等于1
- 光源在指定方向上通过单位立体角内的辐射通量的多少,称为（）。光度量是辐射度量的（）倍。脉冲编码调制包括（）费米能级Ef的意义是电子占据率为（）时所对应的能级。辐功率；
辐强度；#
辐照度；
辐出度；683
V（λ
- 费米能级Ef的意义是电子占据率为（）时所对应的能级。霍尔元件（）霍尔传感器的灵敏度越高。0；
0.1；
0.2；
0.5；#越厚
越薄#
没有关系
越大
- 等离子体是一种（）。波长为500nm的波属于（）。波长为0.8μm的光线属（）。气体光源
固体光源#
液体光源
激光光源远红外线
太赫兹波
可见光#
X射线近红外线#
中红外线
远红外线
极远红外线
- 材料的禁带宽度,最大的是（）ICCD表示的是（）CCD。金属；
杂质半导体；
绝缘体；#
本征半导体；增强型；#
时间延迟型；
电子轰击模式；
红外；
- 紫外线频率的范围在（）。属于激光光放大的器件是（）。1011～1012
108～109
1013～1014
1015～1016#LD#
LED
CCD
PMT
- 温度升高时,半导体热敏电阻的阻值（）,金属电阻值（）。硅光电二极管与硅光电池相比,前者比后者不正确的说法是（）减少；增加衬底掺杂浓度高；#
电阻率高；
光敏面小；
前者反偏后者无偏；
川公网安备 51012202001360号