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- 频率为1THz的辐射,其能量为（）eV霍尔元件（）霍尔传感器的灵敏度越高。0.00413越厚
越薄#
没有关系
越大
- 太赫兹波辐射是对一个特定波段的电磁辐射的统称,命名来源于（）,在电磁波谱中位于（）和（）之间。为了实现均匀倍增,雪崩光电二极管衬底掺杂材料要求（）。振荡频率；微波；辐射；红外浓度均匀#
浓度大
浓度小
浓度
- 光电信息技术和微电子技术一样,是一种（）性极强的综合技术,是以光集成技术为有关点学元、器件制造的（）技术。下边哪一项可作为光电耦合器件的发光件（）。脉冲编码调制包括（）渗透；应用光电三极管
光电池
光敏电
- 红外气体分析仪的基本原理是根据物质（）特性进行工作的。下列光源中,最佳的彩色摄影用光源是（）。在光电倍增管中,产生光电效应的是（）。在大气层外的卫星上,测得太阳光谱的峰值波长为456.0nm。求出太阳表面的温度
- 外差检测是利用运动目标与检测仪器之间因（）运动而产生的（）频移来实现其测距、测速和跟踪的。光电倍增管的高压模块,其输出电压一般为直流（）。光的发射,属于受激发射的器件是（）。面阵CCD主要是通过（）工作。
- CCD主要由（）、（）、（）三部分组成。信号输入；电荷转移；信号输出
- 在P型衬底MOS结构的金属电极上施加正电压时,接近半导体表面处的（）被排斥,留下（）形成（）。PN结光生伏特效应（）。空穴；受主离子；耗尽区电子集中的P区
电子集中的N区结表面#
电子集中的P区表面
电子集中的N区表
- 摄像管的工作原理是先将输入的光学图像转换成（）,然后通过电荷的积累和存储构成（）,最后通过（）把电位图像读出。电荷图像；电位图像；电子束扫描
- 像管的主要功能是将（）或（）变为（）图像。变像管的作用是（）不可见辐射图像；微弱光图像；可见光；将不可见辐射图像变为可见光图像
- SSPD的电荷存储工作方式分为三个过程,分别是（）、（）和（）。太阳光经过大气,其中100nm～200nm的光被（）吸收。光电池电流滞后于光照,属于光电池的（）特性。热敏电阻的种类包括（）。光子探测是利用入射光和磁,产
- 自然状态下晶体的正负电荷中心不重合,从而在晶体表面形成极化电荷,这种现象称为（）。发光效率的单位（）。光子探测器有（）类型。以下（）不是影响广外差检测灵敏度的因素.自发极化流明每瓦#
无量纲
流明
瓦特每球
- CCD最突出的特点是以（）做为信号。电荷
- 温度变化引起铁电体极化强度变化,导致其表面束缚电荷量发生变化的效应称为（）。用光电法测量某高速转轴的转速时,选用最合适的的光电器件是（）。按发光机理,光源有（）光源。热释电效应PMT
CdS光敏电阻
2CR42硅光电
- 红外线的波长范围在（）（）之间。IRCCD表示的是（）CCD。0.76um；1mm增强型
时间延迟型
电子轰击模
红外#
- CCD中电荷的存储和传输是通过改变各电极上的（）来实现的。发光效率的单位（）。电压流明每瓦#
无量纲
流明
瓦特每球面度
- 真空成像器件根据（）分为像管和摄像管激光是通过（）产生的。利用涡流传感器测量齿数Z=60的齿轮的转速,测得f=400Hz,则该齿轮的转速n等于（）r/min。管内有无扫描机构受激辐射#
自发辐射
热辐射
电流400#
3600
24000
- 摄像管具有的三个基本功能分别是（）、（）、（）。面阵CCD主要是通过（）工作。热敏电阻的种类包括（）。材料的禁带宽度,最大的是（）光电变换；光电信息的积累和存储；扫描输出电荷#
电压
电流
电阻PTC#
NTC#
CTC#
- 红外探测器可分为（）、（）两大类。构成微循环结构的不包括()热探测器；光子探测器A．微动脉
B．中间微动脉
C．微静脉
D．淋巴管#
E．小静脉
- 无光注入,也无电注入情况下CCD输出的电流称为（）属于自发辐射的光源是（）。利用涡流传感器测量齿数Z=60的齿轮的转速,测得f=400Hz,则该齿轮的转速n等于（）r/min。暗电流LD
LED#
CCD
PMT400#
3600
24000
60
- 原有的信号电荷与转移到下一个电极下的信号电荷之比称为（）。充气白炽灯主要充入（）。半导体中施主能级的位置位于（）。电荷转移效率氩气#
氙气
氖气
氪气禁带#
满带
导带
价带
- 微通道板的微通道是一根很细的玻璃管,它的内壁涂有（）材料,具有（）梯度,施加高电压后内壁产生（）梯度。汞灯是一种（）二次发射；电阻；点位气体光源#
热光源
冷光源
激光光源
- 热敏电阻按其温度系数可分为（）、（）、（）三大类。用频率描述光源光功率分布的种类有（）光谱。正；负；临界线状#
球状#
带状#
连续#
混合
- CCD的基本构成是（）结构,它是利用在电极下SiO2-半导体界面形成的（）层进行工作的最安全的成像是（）。天平属于（）检测方法。MOS；深耗尽CT
IR
X-Ray
THz#偏差法
微差法
零位法#
平衡法
- 真空光电器件是基于（）效应的光电探测器件。光电池有（）种类。光电倍增管的高压模块,其输入电压一般为直流（）。光电发射硅光电池#
硒光电池#
锗光电池#
砷化镓光电池#
锂光电池1000V
100V
10000V
15V#
- 光敏电阻的亮电流是（）和（）之和。光子探测器有（）类型。光电流；暗电流外光电效应#
内光电效应#
光电导效应#
光生伏特效应#
磁光效应#
- 光电阴极中因电子热能大于逸出功而产生的发射称为（）热效应相对较大的三个光和物体是（）。热电子发射紫光
红光#
高温物体#
低温物体
低频率的光#
- 半导体色敏器件是一个双结光电二极管,由两个（）不同的PN结构成。结型光电器件的特点（）深浅有极性#
灵敏度与光源光谱有关#
响应速度决定于RC#
参量与温度有关#
易受电磁场干扰#
- 光敏电阻在一定照度下的阻值称为（）。亮电阻
- 光电倍增管主要由（）、（）、（）、（）和（）5个部分组成。辐通量相同时,光通量最小的光的波长是（）nm。磁场垂直于霍尔薄片,磁感应强度为B,但磁场方向与原磁场强度相反（θ＝180°）时,霍尔电动势（）,因此霍尔元件
- 光电倍增管是在光电管的基础上研制出来的一种真空光电器件在结构上增加了（）和（）电子倍增极；电子光学系统
- 电三极管的工作有两个过程,一是（）,二是（）；彩色CCD有（）种。磁场垂直于霍尔薄片,磁感应强度为B,但磁场方向与原磁场强度相反（θ＝180°）时,霍尔电动势（）,因此霍尔元件可用于测量交变磁场。电磁波具有的性质有
- NEA与PEA的区别在于经特殊处理后,其（）电子亲和势为负值结型光电器件的特点（）有效的有极性#
灵敏度与光源光谱有关#
响应速度决定于RC#
参量与温度有关#
易受电磁场干扰#
- 能够产生光电发射效应的物体称为（）。绝对误差Δ与被测量的真值Ax之比是（）误差。光电发射体实际相对误差
示值相对误差#
引用相对误差
系统相对误差
- IN型光电二极管的结构分为（）层,P区和N区之间较厚的一层是（）半导体。三；本征
- P型半导体和N型半导体均可制作光敏电阻,但是通常使用N型半导体材料,这是由于电子的（）比空穴大。热效应相对较大的三个光和物体是（）。光子探测器有（）类型。光子探测是利用入射光和磁,产生（）,使材料的电学性质
- 硅光电池、PIN型光电二极管、和雪崩光电二极管,三者中时间常数最大的是（）。半导体中施主能级的位置位于（）中。硅光电池禁带#
价带
导带
满带
- 光电管主要由（）、（）、（）三部分构成。TDICCD表示的是（）CCD。光窗；光电阴极；光电阳极增强型
时间延迟型#
电子轰击模式
红外
- 光伏效应器件中,有电流内增益效应的是（）管和（）管。霍尔元件（）霍尔传感器的灵敏度越高。绝对误差Δ与被测量的真值Ax之比是（）误差。光电三极；雪崩光电二极越厚
越薄#
没有关系
越大实际相对误差
示值相对误差#
- 光电导效应是当材料受到光照后,其（）发生变化的现象。对于大气对可见光的散射,下列说法正确是（）电导率A、当光波长远大于散射粒子尺度时,即产生瑞利散射。B、当光波长相当于或小于散射粒子的尺度时,即产生米氏散射
- 光电池是基于（）效应而工作的；半导体结中并不存在（）。光伏PN结
PIN结
肖特基结
光电结#
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