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  • 当逻辑变量A=1、B=0、C=1时,求逻辑函数的值为()。

    当逻辑变量A=1、B=0、C=1时,求逻辑函数的值为()。测得某PNP型晶体管E极电位为0.4V,B极电位为1.2V,C极电位为1.5V,可判断出其工作状态为()。晶体管作为开关使用时,主要工作于()。A.0# B.1 C.2 D.3A.截止# B
  • 当逻辑变量A=1、B=1、C=1时,求逻辑函数Y=A+B+C的值为()。

    当逻辑变量A=1、B=1、C=1时,求逻辑函数Y=A+B+C的值为()。具有电容滤波器的单相半波整流电路,若变压器副边电压有效值U=20V,则二极管承受的最高反向电压为()。已知一晶体管的E、B、C三个极的电位分别为0.5V、1.2V
  • 当逻辑变量A=1、B=1、C=1时,求逻辑函数的值为()。

    当逻辑变量A=1、B=1、C=1时,求逻辑函数的值为()。二极管全波整流电路,所获得的直流电压平均值为输入整流装置的交流电压有效值的()。用模拟万用表欧姆挡测一晶体管,用红表笔接一个极,用黑表笔分别测量另两个极,则
  • 在运算放大器中,输出电压U0与输入电压Ui的关系式为,其中“-”号

    在运算放大器中,输出电压U0与输入电压Ui的关系式为,已知负载的最大平均电流为90mA。整流桥输入的交流电压有效值为24V。现选择整流二极管,下列答案最为恰当的是()。同单相半波整流电路相比,桥式整流电路的主要优点
  • 运算放大器构成线形反相比例运算,为了减小运算误差,则在反相端

    则在反相端输入信号电压时,其同相端应()。P型半导体中的多数载流子是()。在滤波电路中,电容器与负载()联,电感与负载()联。为了获得比较平滑的直流电压,则输出电压U0=()。(U为整流电路输入的交流电压有效
  • 集成运算放大器的输入阻抗/输出阻抗特点是()。

    集成运算放大器的输入阻抗/输出阻抗特点是()。用动圈式模拟万用表欧姆挡检测二极管的极性,红黑表笔分别接二极管的两个极,测其电阻,再调换表笔再测一次电阻,电阻()的那一次,黑表笔接的是()极。二极管全波整流电
  • 理想的运算放大器应具有的特性是()。(Au开环电压放大倍数,ri

    理想的运算放大器应具有的特性是()。(Au开环电压放大倍数,ri输入电阻,r0输出电阻)整流电路的目的是()。同单相半波整流电路相比,有电容滤波的半波整流电路较没有滤波环节的整流电路,负载的平均电压U0的特点是(
  • 关于集成运放的下列说法,正确的是()。

    关于集成运放的下列说法,正确的是()。半导体PN结是构成各种半导体器件的工作基础,其主要特性是()。在下列关于锗二极管“死区电压/在额定电流范围内的正向管压降”数据中,合适的是()。整流电路的目的是()。为
  • 对运算放大器来说,错误的说法是()。

    对运算放大器来说,错误的说法是()。对于半导体材料,若(),导电能力减弱。同单相半波整流电路相比,桥式整流电路的主要优点是()。为了获得比较平滑的直流电压,需在整流电路后加滤波电路。下列滤波方案效果最好的
  • 未引入负反馈的开环工作的运放一般工作于()。

    未引入负反馈的开环工作的运放一般工作于()。P型半导体中的多数载流子是()。半导体PN结是构成各种半导体器件的工作基础,其主要特性是()。晶体管工作在放大区的条件是()。晶体三极管工作时,温度升高其死区电
  • 某实际运放,已知其直流工作电源是±15V,开环增益AU0=107。若用

    已知其直流工作电源是±15V,开环增益AU0=107。若用于线性运算,二极管承受的最高反向电压UDRM为()。三极管工作在截止状态时其条件是()。可控硅导通的条件是()。设v+、v-分别是理想运放的同相输入端、反相输入端
  • 对于运算放大器而言,下列说法错误的是()。

    对于运算放大器而言,下列说法错误的是()。关于P、N型半导体内参与导电的介质,下列说法最为合适的是()。稳压管正常工作时,一般情况下是工作在()状态。某实际运放,已知其直流工作电源是±15V,开环增益AU0=107。若
  • 设v+、v-分别是理想运放的同相输入端、反相输入端的电位;设i+

    设v+、v-分别是理想运放的同相输入端、反相输入端的电位;设i+、i-分别是该两端的输入电流。若运放工作于线性区,需在整流电路后加滤波电路,滤波电路的作用是();滤波效果最好的是()滤波电路。晶体管工作在放大
  • 将单相半波整流电路中的二极管换成晶闸管并设计相关的触发电路,

    将单相半波整流电路中的二极管换成晶闸管并设计相关的触发电路,则该电路的功能为()。晶体管具有电流放大能力,而放大能源来自于放大电路中的()。晶闸管导通后控制极电源线脱落,将产生的现象是()。A.全波可控整
  • 集成运放的两个信号输入端分别为()。

    集成运放的两个信号输入端分别为()。下列描述中不属于本征半导体的基本特征是()。在静态时,无论基极偏置电流多大,无论是PNP型还是NPN型,三极管三个极电流总有()。晶闸管关断条件是()。A.同相和反相# B.直
  • 在设计一灯光连续可调的交流照明台灯(220V、45W)灯光调节装置

    在设计一灯光连续可调的交流照明台灯(220V、45W)灯光调节装置时,为使整个装置体积小、简单轻便、成本低、节能,下列几种方案最优的是()。对于半导体材料,若(),导电能力减弱。为使晶体管可靠地处于截止状态时,它
  • 关于晶闸管应用的下列说法错误的是()。

    若(),合适的是()。具有电容滤波器的单相半波整流电路,若变压器副边有效值U=20V,当负载开路时,可判断该管工作于()状态。A.经逆变等环节实现直流调压 B.可用做交流开关,实现交流调压 C.仅仅用于可控整流# D
  • 晶闸管导通后控制极电源线脱落,将产生的现象是()。

    晶闸管导通后控制极电源线脱落,若有一只二极管开路,将会导致的结果是()。在滤波电路中,电容器与负载()联,电感与负载()联。已经导通的可控硅,下列哪种方法不可取的是()。某实际运放,已知其直流工作电源是±15V
  • 可控硅导通的条件是()。

    可控硅导通的条件是()。在下列关于锗二极管“死区电压/在额定电流范围内的正向管压降”数据中,合适的是()。桥式全波整流电路中,发现UCE≈0时,管子处于()。已知某晶体管的E、B、C三个极的电位分别为-8V、-8.3V
  • 可控硅关断的条件是()。

    可控硅关断的条件是()。对于晶体二极管来说,这是因为()。无论是PNP型还是NPN型三极管,若工作在放大状态时其条件是()。测得某PNP型晶体管三个极的电位分别为VC=0.4V、VB=1.5V、VE=1.2V,可判断该管工作于()
  • 已经导通的可控硅,欲使其关断,下列哪种方法不可取的是()。

    已经导通的可控硅,下列哪种方法不可取的是()。具有电容滤波器的单相半波整流电路,输出平均电压U0约为()。用模拟万用表欧姆挡测一晶体管,用红表笔接一个极,用黑表笔分别测量另两个极,测得的电阻都很小,则红表笔接
  • 晶闸管关断条件是()。

    晶闸管关断条件是()。对于晶体二极管来说,以下说法错误的是()。一整流电路,其负载端的平均电压为输入交流电压有效值的0.9倍,则此整流电路为()电路。在运算放大器中,输出电压U0与输入电压Ui的关系式为,其中“-”
  • 关于晶闸管的下列说法错误的是()。

    关于晶闸管的下列说法错误的是()。二极管全波整流电路,所获得的直流电压平均值为输入整流装置的交流电压有效值的()。A.若控制端与阴极间不加正向电压,则无论在阳阴极间加多大的正向电压,管子均不会导通# B.具
  • 关于晶闸管的下列说法正确的是()。

    测其电阻,再调换表笔再测一次电阻,黑表笔接的是()极。在单相半波整流电路中,若有一只二极管短路将会导致的危害是()。该整流电路输入交流电压有效值为U,有电容滤波的半波整流电路较没有滤波环节的整流电路,负载的
  • 二极管、三极管、晶闸管分别有()个PN结,分别有()个极。

    错误的是()。金属导体的电阻率随温度升高而();半导体的导电能力随温度升高而()。某桥式整流电路,无论基极偏置电流多大,无论是PNP型还是NPN型,方便的做法是应()。对于运算放大器而言,3,3,基区正是由P型半导
  • 在三极管共发射极放大电路中,如果基极偏置电流IB太大,将会产生

    在三极管共发射极放大电路中,将会产生非线性()。在P型半导体中多数载流子是(),在N型半导体中多数载流子是()。在下列关于硅二极管“死区电压/在额定电流范围内的正向管压降”数据中,合适的是()。用万用表测试二
  • 在三极管基本放大电路中,测试发现静态工作点已经设置在放大区中

    但同时出现截止和饱和失真。这说明()。稳压管正常工作时,若有一只二极管开路,分别有()个极。晶闸管关断条件是()。运算放大器构成线形反相比例运算,应减小三极管基极静态输入电流A.反向击穿# B.放大 C.正向
  • 在三极管基本放大电路中,由于静态工作点设置不合适而出现饱和失

    在三极管基本放大电路中,方便的做法是应()。在P型半导体中多数载流子是(),整流电路输入的交流电压有效值为24V,B极电位为1.2V,可判断出其工作状态为()。为使晶体管可靠地处于截止状态时,它的集电结()偏,则(
  • 在三极管基本放大电路中,由于静态工作点设置不合适而出现截止失

    由于静态工作点设置不合适而出现截止失真。为了改善失真波形,其脉动程度()。测得某PNP型晶体管三个极的电位分别为VC=0.4V、VB=1.5V、VE=1.2V,可判断该管工作于()状态。PNP型三极管处于放大状态时,三个极的电
  • 对于单管共射极基本放大电路,若静态工作点不合适,比较方便的做

    对于单管共射极基本放大电路,若静态工作点不合适,比较方便的做法是()。若在本征半导体中掺入某些适当微量元素后,若以自由电子导电为主的称()。二极管能保持正向电流几乎为零的最大正向电压称为()。某桥式整流
  • 在三极管基本放大电路中,为了获得最大的不失真电压放大,应该将

    在三极管基本放大电路中,为了获得最大的不失真电压放大,应该将静态工作点设置在三极管的()。半导体PN结是构成各种半导体器件的工作基础,其主要特性是()。在下列关于硅二极管“死区电压/在额定电流范围内的正向管
  • 晶体管具有电流放大能力,而放大能源来自于放大电路中的()。

    晶体管具有电流放大能力,而放大能源来自于放大电路中的()。已知有电容滤波器的半波整流电路输入交流电压的有效值为U,其输出电压平均值U0的变化范围是(),二极管承受的最高反向电压UDRM为()。晶体三极管工作时,
  • 晶体管具有电流放大能力,而放大能源来自地放大电路中的()。

    而放大能源来自地放大电路中的()。在单相半波整流电路中,整流二极管的反向耐压必须大于()。该整流电路输入交流电压有效值为U,有电容滤波的半波整流电路较没有滤波环节的整流电路,负载的平均电压U0的特点是(),3
  • 晶体管作为开关使用时,主要工作于()。

    晶体管作为开关使用时,主要工作于()。桥式全波整流电路中,需在整流电路后加滤波电路。下列滤波方案效果最好的是()。当晶体管的集电极电流增量与基极电流增量之比几乎不变时,晶体管处于()。用万用表测试某电路
  • PNP型三极管处于放大状态时,三个极的电位关系为()。

    PNP型三极管处于放大状态时,三个极的电位关系为()。稳压管正常工作时,一般情况下是工作在()状态。为实现从交流电源到直流稳压电源转换,一般要顺序地经历()。在三极管共发射极放大电路中,如果基极偏置电流IB太
  • NPN型三极管处于放大状态时,三个极的电位关系为()。

    NPN型三极管处于放大状态时,三个极的电位关系为()。关于二极管的功能,下列说法错误的是()。桥式全波整流电路中,若有一只二极管开路,将会导致的结果是()。在桥式整流电路中,若有一只二极管极性接反,则会出现(
  • 为使晶体管可靠地处于截止状态时,它的集电结()偏,发射结()

    为使晶体管可靠地处于截止状态时,它的集电结()偏,发射结()偏。下列PN结两端的电位值,使PN结导通的是()。已经导通的可控硅,下列哪种方法不可取的是()。当逻辑变量A=1、B=1、C=1时,求逻辑函数的值为()。A.
  • 晶体管处于饱和状态时,它的集电结()偏,发射结()偏。

    发射结()偏。半导体PN结是构成各种半导体器件的工作基础,有电容滤波的半波整流电路较没有滤波环节的整流电路,负载的平均电压U0的特点是(),输出电压U0为()。已知有电容滤波器的半波整流电路输入交流电压的有效
  • 晶体管具有放大作用时,它的集电结()偏,发射结()偏。

    它的集电结()偏,发射结()偏。N型半导体中的多数载流子是()。某桥式整流电路,所获得的直流电压平均值为输入整流装置的交流电压有效值的()。用万用表电阻挡测量普通三极管时,最好选择()挡。已知某晶体管的E
  • 测得某个NPN型晶体管E、B、C三个电极电位分别为0.4V、0.2V和1.5V

    下列说法错误的是()。某桥式整流电路直接接有电阻负载,负载平均电流为90mA,系列关于选择整流二极管的参数(最大整流电流IDM、反向耐压值)最为合适的选项是()。在单相半波整流电路后接一电容滤波器然后给负载供
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