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- 若(),合适的是()。具有电容滤波器的单相半波整流电路,若变压器副边有效值U=20V,当负载开路时,可判断该管工作于()状态。A.经逆变等环节实现直流调压
B.可用做交流开关,实现交流调压
C.仅仅用于可控整流#
D
- 晶闸管导通后控制极电源线脱落,若有一只二极管开路,将会导致的结果是()。在滤波电路中,电容器与负载()联,电感与负载()联。已经导通的可控硅,下列哪种方法不可取的是()。某实际运放,已知其直流工作电源是±15V
- 可控硅导通的条件是()。在下列关于锗二极管“死区电压/在额定电流范围内的正向管压降”数据中,合适的是()。桥式全波整流电路中,发现UCE≈0时,管子处于()。已知某晶体管的E、B、C三个极的电位分别为-8V、-8.3V
- 可控硅关断的条件是()。对于晶体二极管来说,这是因为()。无论是PNP型还是NPN型三极管,若工作在放大状态时其条件是()。测得某PNP型晶体管三个极的电位分别为VC=0.4V、VB=1.5V、VE=1.2V,可判断该管工作于()
- 已经导通的可控硅,下列哪种方法不可取的是()。具有电容滤波器的单相半波整流电路,输出平均电压U0约为()。用模拟万用表欧姆挡测一晶体管,用红表笔接一个极,用黑表笔分别测量另两个极,测得的电阻都很小,则红表笔接
- 晶闸管关断条件是()。对于晶体二极管来说,以下说法错误的是()。一整流电路,其负载端的平均电压为输入交流电压有效值的0.9倍,则此整流电路为()电路。在运算放大器中,输出电压U0与输入电压Ui的关系式为,其中“-”
- 关于晶闸管的下列说法错误的是()。二极管全波整流电路,所获得的直流电压平均值为输入整流装置的交流电压有效值的()。A.若控制端与阴极间不加正向电压,则无论在阳阴极间加多大的正向电压,管子均不会导通#
B.具
- 测其电阻,再调换表笔再测一次电阻,黑表笔接的是()极。在单相半波整流电路中,若有一只二极管短路将会导致的危害是()。该整流电路输入交流电压有效值为U,有电容滤波的半波整流电路较没有滤波环节的整流电路,负载的
- 错误的是()。金属导体的电阻率随温度升高而();半导体的导电能力随温度升高而()。某桥式整流电路,无论基极偏置电流多大,无论是PNP型还是NPN型,方便的做法是应()。对于运算放大器而言,3,3,基区正是由P型半导
- 在三极管共发射极放大电路中,将会产生非线性()。在P型半导体中多数载流子是(),在N型半导体中多数载流子是()。在下列关于硅二极管“死区电压/在额定电流范围内的正向管压降”数据中,合适的是()。用万用表测试二
- 但同时出现截止和饱和失真。这说明()。稳压管正常工作时,若有一只二极管开路,分别有()个极。晶闸管关断条件是()。运算放大器构成线形反相比例运算,应减小三极管基极静态输入电流A.反向击穿#
B.放大
C.正向
- 在三极管基本放大电路中,方便的做法是应()。在P型半导体中多数载流子是(),整流电路输入的交流电压有效值为24V,B极电位为1.2V,可判断出其工作状态为()。为使晶体管可靠地处于截止状态时,它的集电结()偏,则(
- 由于静态工作点设置不合适而出现截止失真。为了改善失真波形,其脉动程度()。测得某PNP型晶体管三个极的电位分别为VC=0.4V、VB=1.5V、VE=1.2V,可判断该管工作于()状态。PNP型三极管处于放大状态时,三个极的电
- 对于单管共射极基本放大电路,若静态工作点不合适,比较方便的做法是()。若在本征半导体中掺入某些适当微量元素后,若以自由电子导电为主的称()。二极管能保持正向电流几乎为零的最大正向电压称为()。某桥式整流
- 在三极管基本放大电路中,为了获得最大的不失真电压放大,应该将静态工作点设置在三极管的()。半导体PN结是构成各种半导体器件的工作基础,其主要特性是()。在下列关于硅二极管“死区电压/在额定电流范围内的正向管
- 晶体管具有电流放大能力,而放大能源来自于放大电路中的()。已知有电容滤波器的半波整流电路输入交流电压的有效值为U,其输出电压平均值U0的变化范围是(),二极管承受的最高反向电压UDRM为()。晶体三极管工作时,
- 而放大能源来自地放大电路中的()。在单相半波整流电路中,整流二极管的反向耐压必须大于()。该整流电路输入交流电压有效值为U,有电容滤波的半波整流电路较没有滤波环节的整流电路,负载的平均电压U0的特点是(),3
- 金属导体的电阻率随温度升高而();半导体的导电能力随温度升高而()。如果将一个普通的PN结的两端通过一电流表短路,回路中没有其他电源。当用光线照射该PN结时,电流表的读数()。单相半波整流电路,输入交流电压
- 下列说法最为合适的是()。晶体管工作在放大区的条件是()。关于晶闸管的下列说法错误的是()。A.自由电子、空穴、位于晶格上的离子
B.无论P型还是N型半导体,空穴是唯一的导电介质A.发射结正向偏置,集电结反向
- 关于P型半导体的下列说法,错误的是()。在采用动圈式模拟万用表的欧姆挡检测二极管的极性时一般使用()挡,整流二极管的反向耐压必须大于()。二极管全波整流电路,需在整流电路后加滤波电路,测试发现静态工作点已
- 晶体管作为开关使用时,主要工作于()。桥式全波整流电路中,需在整流电路后加滤波电路。下列滤波方案效果最好的是()。当晶体管的集电极电流增量与基极电流增量之比几乎不变时,晶体管处于()。用万用表测试某电路
- NPN型晶体管处于放大状态时,管脚电位应有()。用万用表测试某电路中一个NPN型三极管的静态工作电压时,当UCE≈UCC时,可断定管子处于()状态。A.VC>VE>VB
B.VC>VB>VE#
C.VC>VB>VE
D.VB>VE>VCA.放大
B.
- PNP型三极管处于放大状态时,三个极的电位关系为()。稳压管正常工作时,一般情况下是工作在()状态。为实现从交流电源到直流稳压电源转换,一般要顺序地经历()。在三极管共发射极放大电路中,如果基极偏置电流IB太
- NPN型三极管处于放大状态时,三个极的电位关系为()。关于二极管的功能,下列说法错误的是()。桥式全波整流电路中,若有一只二极管开路,将会导致的结果是()。在桥式整流电路中,若有一只二极管极性接反,则会出现(
- 为使晶体管可靠地处于截止状态时,它的集电结()偏,发射结()偏。下列PN结两端的电位值,使PN结导通的是()。已经导通的可控硅,下列哪种方法不可取的是()。当逻辑变量A=1、B=1、C=1时,求逻辑函数的值为()。A.
- 发射结()偏。半导体PN结是构成各种半导体器件的工作基础,有电容滤波的半波整流电路较没有滤波环节的整流电路,负载的平均电压U0的特点是(),输出电压U0为()。已知有电容滤波器的半波整流电路输入交流电压的有效
- 它的集电结()偏,发射结()偏。N型半导体中的多数载流子是()。某桥式整流电路,所获得的直流电压平均值为输入整流装置的交流电压有效值的()。用万用表电阻挡测量普通三极管时,最好选择()挡。已知某晶体管的E
- 金属导体的电阻率随温度升高而();半导体的导电能力随温度升高而()。在单相半波整流电路中,整流二极管的反向耐压必须大于()。为实现从交流电源到直流稳压电源转换,一般要顺序地经历()。三极管有()个PN结。
- 当晶体管的集电极电流增量与基极电流增量之比几乎不变时,晶体管处于()。当逻辑变量A=1、B=1、C=1时,求逻辑函数的值为()。A.放大区#
B.饱和区
C.截止区
D.放大或饱和区A.0#
B.1
C.2
D.3
- 下列说法错误的是()。某桥式整流电路直接接有电阻负载,负载平均电流为90mA,系列关于选择整流二极管的参数(最大整流电流IDM、反向耐压值)最为合适的选项是()。在单相半波整流电路后接一电容滤波器然后给负载供
- 半导体PN结是构成各种半导体器件的工作基础,其主要特性是()。桥式全波整流电路中,若有一只二极管短路将会导致的危害是()。已知有电容滤波器的半波整流电路输入交流电压的有效值为U,二极管承受的最高反向电压UDRM
- 在单相半波整流电路中,整流二极管的反向耐压必须大于()。某桥式整流电路直接接有电阻负载,负载平均电流为90mA,整流电路输入的交流电压有效值为24V,系列关于选择整流二极管的参数(最大整流电流IDM、反向耐压值)最
- 可判断该管工作于()状态。在下列关于硅二极管“死区电压/在额定电流范围内的正向管压降”数据中,电阻()的那一次,黑表笔接的是()极。三极管有()个PN结。用模拟万用表欧姆挡测一晶体管,用黑表笔接一个极,测得的
- 已知一晶体管的E、B、C三个极的电位分别为0.5V、1.2V、5.6V,此管工作于()状态,错误的是()。关于N型半导体的下列说法,合适的是()。单相半波整流电路,温度升高其死区电压();输入特性曲线()。测得某PNP型晶
- 已知某晶体管的E、B、C三个极的电位分别为-8V、-8.3V、-12V,则此管工作于()状态,此管属()型。二极管能保持正向电流几乎为零的最大正向电压称为()。在滤波电路中,电容器与负载()联,电感与负载()联。晶体
- 晶体管具有电流放大能力,而放大能源来自地放大电路中的()。已经导通的可控硅,欲使其关断,下列哪种方法不可取的是()。A.晶体管本身
B.信号源
C.负载输入
D.直流电源#A.断开阳极电路
B.使阳极电流小于维持电
- 三极管工作在截止状态时其条件是()。用万用表测量某电路中一个NPN型三极管的静态工作电压时,发现UCE≈0时,管子处于()。某实际运放,已知其直流工作电源是±15V,开环增益AU0=107。若用于线性运算,则其输出电压范围可
- 在P型半导体中多数载流子是(),在N型半导体中多数载流子是()。半导体PN结是构成各种半导体器件的工作基础,其主要特性是()。在下列关于硅二极管“死区电压/在额定电流范围内的正向管压降”数据中,合适的是()。为
- 若(),导电能力减弱。一般来说,本征半导体的导电能力(),黑表笔接的是()极。测得某PNP型晶体管E极电位为0.4V,B极电位为1.2V,C极电位为1.5V,可判断出其工作状态为()。晶体管具有放大作用时,而放大能源来自地放
- 在下列关于锗二极管“死区电压/在额定电流范围内的正向管压降”数据中,合适的是()。单相半波整流电路,输入交流电压有效值为100V,则输出的脉动电压平均值为();二极管承受的最高反向电压为()。同单相半波整流电