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- 在P型半导体中多数载流子是（）,在N型半导体中多数载流子是（）。用动圈式模拟万用表欧姆挡检测二极管的极性,红黑表笔分别接二极管的两个极,测其电阻,再调换表笔再测一次电阻,电阻（）的那一次,黑表笔接的是（）极。
- 二极管能保持正向电流几乎为零的最大正向电压称为（）。晶体三极管工作时,温度升高其死区电压（）；输入特性曲线（）。可控硅导通的条件是（）。在设计一灯光连续可调的交流照明台灯（220V、45W）灯光调节装置时,为
- 关于N型半导体的下列说法,需在整流电路后加滤波电路,滤波电路的作用是（）；滤波效果最好的是（）滤波电路。对于单管共射极基本放大电路,若静态工作点不合适,N型半导体一侧接出引线后,是二极管的正极
C．在纯净的硅
- 在下列关于硅二极管“死区电压/在额定电流范围内的正向管压降”数据中,红黑表笔分别接二极管的两个极,测其电阻,再调换表笔再测一次电阻,电阻（）的那一次,黑表笔接的是（）极。整流电路的目的是（）。晶体管作为开关使
- 关于P、N型半导体内参与导电的介质,需在整流电路后加滤波电路。下列滤波方案效果最好的是（）。三极管有（）个PN结。已知一晶体管的E、B、C三个极的电位分别为0.5V、1.2V、5.6V,此管工作于（）状态,此管属（）型。晶
- N型半导体中的多数载流子是（）。在单相半波整流电路中,整流二极管的反向耐压必须大于（）。三极管工作在截止状态时其条件是（）。在三极管基本放大电路中,为了获得最大的不失真电压放大,应该将静态工作点设置在三极
- 在单相半波整流电路后接一电容滤波器然后给负载供电,若负载开路,则输出电压U0=（）。（U为整流电路输入的交流电压有效值）测得某PNP型晶体管三个极的电位分别为VC＝0.4V、VB＝1.5V、VE＝1.2V,可判断该管工作于（）状
- 输入交流电压有效值为100V,则输出的脉动电压平均值为（）；二极管承受的最高反向电压为（）。在单相半波整流电路后接一电容滤波器然后给负载供电,若负载开路,则输出电压U0=（）。（U为整流电路输入的交流电压有效值
- 对于晶体二极管来说,以下说法错误的是（）。在静态时,无论基极偏置电流多大,无论是PNP型还是NPN型,三极管三个极电流总有（）。用万用表测量某电路中一个NPN型三极管的静态工作电压时,发现UCE≈0时,反向电阻很大
D．所
- 关于二极管的功能,下列说法错误的是（）。已知有电容滤波器的半波整流电路输入交流电压的有效值为U,其输出电压平均值U0的变化范围是（）,二极管承受的最高反向电压UDRM为（）。测得某PNP型晶体管三个极的电位分别为V
- 下列描述中不属于本征半导体的基本特征是（）。用万用表测试二极管性能时,如果正反向电阻相差很大,则说明该二极管性能（）,如果正反向电阻相差不大,则说明该二极管（）。整流电路的目的是（）。晶体管处于饱和状态时
- 若在本征半导体中掺入某些适当微量元素后,若以自由电子导电为主的称（）。桥式全波整流电路中,若有一只二极管开路,将会导致的结果是（）。用模拟万用表欧姆挡测一晶体管,用黑表笔接一个极,用红表笔分别测另两个极,测
- 下列描述中不属于本征半导体的基本特征是（）。在下列关于硅二极管“死区电压/在额定电流范围内的正向管压降”数据中,合适的是（）。在三极管基本放大电路中,为了获得最大的不失真电压放大,应该将静态工作点设置在三极
- 同单相半波整流电路相比,桥式整流电路的主要优点是（）。NPN型晶体管处于放大状态时,管脚电位应有（）。NPN型三极管处于放大状态时,三个极的电位关系为（）。关于晶闸管的下列说法错误的是（）。对于运算放大器而言,
- 对于半导体材料,若（）,导电能力减弱。关于P、N型半导体内参与导电的介质,下列说法最为合适的是（）。同单相半波整流电路相比,桥式整流电路的主要优点是（）。在单相半波整流电路后接一电容滤波器然后给负载供电,若
- 关于N型半导体的下列说法,正确的是（）。一整流电路,其负载端的平均电压为输入交流电压有效值的0.9倍,则此整流电路为（）电路。用模拟万用表欧姆挡测一晶体管,测得的电阻都很小,则红表笔接的是（）。当逻辑变量A=1、
- 金属导体的电阻率随温度升高而（）；半导体的导电能力随温度升高而（）。如果将一个普通的PN结的两端通过一电流表短路,回路中没有其他电源。当用光线照射该PN结时,电流表的读数（）。单相半波整流电路,输入交流电压
- 金属导体的电阻率随温度升高而（）；半导体的导电能力随温度升高而（）。在单相半波整流电路中,整流二极管的反向耐压必须大于（）。为实现从交流电源到直流稳压电源转换,一般要顺序地经历（）。三极管有（）个PN结。
- 在P型半导体中多数载流子是（）,在N型半导体中多数载流子是（）。半导体PN结是构成各种半导体器件的工作基础,其主要特性是（）。在下列关于硅二极管“死区电压/在额定电流范围内的正向管压降”数据中,合适的是（）。为
- 整流电路的目的是（）。单相半波或全波整流电路经电容滤波后的输出电压随着负载电阻增大,其脉动程度（）。在静态时,无论基极偏置电流多大,无论是PNP型还是NPN型,三极管三个极电流总有（）。晶体管具有放大作用时,它
- 在P型半导体中多数载流子是（）,在N型半导体中多数载流子是（）。二极管能保持正向电流几乎为零的最大正向电压称为（）。在采用动圈式模拟万用表的欧姆挡检测二极管的极性时一般使用（）挡,这是因为（）。晶体管工作
- 金属导体的电阻率随温度升高而（）；半导体的导电能力随温度升高而（）。晶体三极管工作时,温度升高其死区电压（）；输入特性曲线（）。在三极管基本放大电路中,已知其直流工作电源是±15V,开环增益AU0=107。若用于线
- 在采用动圈式模拟万用表的欧姆挡检测二极管的极性时一般使用（）挡,这是因为（）。二极管全波整流电路,所获得的直流电压平均值为输入整流装置的交流电压有效值的（）。测得某个NPN型晶体管E、B、C三个电极电位分别为
- 金属导体的电阻率随温度升高而（）；半导体的导电能力随温度升高而（）。一整流电路,其负载端的平均电压为输入交流电压有效值的0.9倍,则此整流电路为（）电路。该整流电路输入交流电压有效值为U,有电容滤波的半波整
- 所获得的直流电压平均值为输入整流装置的交流电压有效值的（）。一整流电路,其负载端的平均电压为输入交流电压有效值的0.9倍,则此整流电路为（）电路。具有电容滤波器的单相半波整流电路,若变压器副边有效值U＝20V,
- 集电结正向偏置
C．发射结正向偏置,集电结正向偏置
D．发射结反向偏置,集电结反向偏置A．1,3,3／2,3,3#
D．1,由关断转为导通的充要条件是阳极与阴极间加正向脉冲A．若控制端与阴极间不加正向电压,随着正向控制电压的
- 需在整流电路后加滤波电路,滤波电路的作用是（）；滤波效果最好的是（）滤波电路。该整流电路输入交流电压有效值为U,有电容滤波的半波整流电路较没有滤波环节的整流电路,当负载开路（即RL＝∞）时,则此管工作于（）状
- 在单相半波整流电路中,整流二极管的反向耐压必须大于（）。在静态时,无论基极偏置电流多大,无论是PNP型还是NPN型,三极管三个极电流总有（）。对运算放大器来说,错误的说法是（）。理想的运算放大器应具有的特性是（
- 该整流电路输入交流电压有效值为U,有电容滤波的半波整流电路较没有滤波环节的整流电路,负载的平均电压U0的特点是（）,当负载开路（即RL＝∞）时,输出电压U0为（）。三极管有（）个PN结。晶闸管导通后控制极电源线脱落
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