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- 稳压管正常工作时,一般情况下是工作在（）状态。某桥式整流电路直接接有电阻负载,负载平均电流为90mA,整流电路输入的交流电压有效值为24V,系列关于选择整流二极管的参数（最大整流电流IDM、反向耐压值）最为合适的选
- 关于N型半导体的下列说法,正确的是（）。下列描述中不属于本征半导体的基本特征是（）。在三极管基本放大电路中,方便的做法是应（）。A．只存在一种载流子：自由电子
B．在二极管中,N型半导体一侧接出引线后,是二极
- 下列PN结两端的电位值,使PN结导通的是（）。已经导通的可控硅,下列哪种方法不可取的是（）。某实际运放,已知其直流工作电源是±15V,开环增益AU0=107。若用于线性运算,则其输出电压范围可能是（）。A．P端接+5V,N端通
- 在P型半导体中多数载流子是（）,在N型半导体中多数载流子是（）。在三极管基本放大电路中,由于静态工作点设置不合适而出现截止失真。为了改善失真波形,方便的做法是应（）。当逻辑变量A=1、B=0、C=1时,求逻辑函数的
- 对于晶体二极管来说,以下说法错误的是（）。该整流电路输入交流电压有效值为U,有电容滤波的半波整流电路较没有滤波环节的整流电路,当负载开路（即RL＝∞）时,输出电压U0为（）。在静态时,无论基极偏置电流多大,三极管
- 二极管、三极管、晶闸管分别有（）个PN结,求逻辑函数Y=A+B+C的值为（）。A．1,3／2,3,3
C．1,2,3,3,则无论在阳阴极间加多大的正向电压,管子阳阴极间的导通变得越容易
D．阳阴极间加正向6V直流电压时
- 一般来说,本征半导体的导电能力（）,当掺入某些适当微量元素后其导电能力（）。在单相半波整流电路后接一电容滤波器然后给负载供电,若负载开路,则输出电压U0=（）。（U为整流电路输入的交流电压有效值）晶体管工作在
- 一般来说,本征半导体的导电能力（）,当掺入某些适当微量元素后其导电能力（）。单相半波或全波整流电路经电容滤波后的输出电压随着负载电阻增大,其脉动程度（）。在运算放大器中,输出电压U0与输入电压Ui的关系式为,
- 为了获得比较平滑的直流电压,需在整流电路后加滤波电路。下列滤波方案效果最好的是（）。NPN型三极管处于放大状态时,三个极的电位关系为（）。将单相半波整流电路中的二极管换成晶闸管并设计相关的触发电路,则该电路
- 整流电路的目的是（）。用模拟万用表欧姆挡测一晶体管,用红表笔接一个极,用黑表笔分别测量另两个极,测得的电阻都很小,则红表笔接的是（）。在三极管基本放大电路中,为了获得最大的不失真电压放大,应该将静态工作点设
- 整流电路的目的是（）。在三极管基本放大电路中,测试发现静态工作点已经设置在放大区中央部分,但同时出现截止和饱和失真。这说明（）。晶闸管导通后控制极电源线脱落,将产生的现象是（）。A．直流电变交流电
B．电压
- 桥式全波整流电路中,若有一只二极管开路,将会导致的结果是（）。晶体管作为开关使用时,主要工作于（）。在三极管基本放大电路中,为了获得最大的不失真电压放大,应该将静态工作点设置在三极管的（）。A．半波整流#
B
- 晶体管具有电流放大能力,而放大能源来自于放大电路中的（）。在三极管基本放大电路中,由于静态工作点设置不合适而出现截止失真。为了改善失真波形,方便的做法是应（）。在三极管基本放大电路中,由于静态工作点设置不
- 一整流电路,其负载端的平均电压为输入交流电压有效值的0.9倍,则此整流电路为（）电路。PNP型三极管处于放大状态时,三个极的电位关系为（）。可控硅关断的条件是（）。A．全波整流
B．半波整流
C．桥式整流
D．全波整
- 无论是PNP型还是NPN型三极管,若工作在放大状态时其条件是（）。已知一晶体管的E、B、C三个极的电位分别为0.5V、1.2V、5.6V,此管工作于（）状态,此管属（）型。晶体管处于饱和状态时,它的集电结（）偏,发射结（）偏。
- 关于N型半导体的下列说法,正确的是（）。如果将一个普通的PN结的两端通过一电流表短路,回路中没有其他电源。当用光线照射该PN结时,电流表的读数（）。三极管有（）个PN结。A．只存在一种载流子：自由电子
B．在二极
- 下列说法最为合适的是（）。晶体管工作在放大区的条件是（）。关于晶闸管的下列说法错误的是（）。A．自由电子、空穴、位于晶格上的离子
B．无论P型还是N型半导体,空穴是唯一的导电介质A．发射结正向偏置,集电结反向
- 在单相半波整流电路中,整流二极管的反向耐压必须大于（）。某桥式整流电路直接接有电阻负载,负载平均电流为90mA,整流电路输入的交流电压有效值为24V,系列关于选择整流二极管的参数（最大整流电流IDM、反向耐压值）最
- 在下列关于锗二极管“死区电压／在额定电流范围内的正向管压降”数据中,合适的是（）。单相半波整流电路,输入交流电压有效值为100V,则输出的脉动电压平均值为（）；二极管承受的最高反向电压为（）。同单相半波整流电
- 分别有（）个极。集成运放的两个信号输入端分别为（）。A．U
B．0.45U
C．1.4U#
D．0.9UA．1,2,3／2,3,2,2／2,3
C．1,3#
D．1,3,3A．同相和反相#
B．直流和交流
C．电压和电流
D．基极和集电极
- 该整流电路输入交流电压有效值为U,有电容滤波的半波整流电路较没有滤波环节的整流电路,负载的平均电压U0的特点是（）,当负载开路（即RL＝∞）时,输出电压U0为（）。用万用表测试某电路中一个NPN型三极管的静态工作电
- 晶体三极管工作时,温度升高其死区电压（）；输入特性曲线（）。为使晶体管可靠地处于截止状态时,它的集电结（）偏,发射结（）偏。A．减小／右移
B．增大／右移
C．增大／左移
D．减小／左移#A．正／反
B．反／正
C．
- 已知有电容滤波器的半波整流电路输入交流电压的有效值为U,其输出电压平均值U0的变化范围是（）,二极管承受的最高反向电压UDRM为（）。三极管工作在截止状态时其条件是（）。关于集成运放的下列说法,正确的是（）。A
- 某桥式整流电路,已知负载的最大平均电流为90mA。整流桥输入的交流电压有效值为24V。现选择整流二极管,下列答案最为恰当的是（）。用模拟万用表欧姆挡测一晶体管,用黑表笔接一个极,用红表笔分别测另两个极,则黑表笔接
- 晶体管工作在放大区的条件是（）。对于运算放大器而言,下列说法错误的是（）。理想的运算放大器应具有的特性是（）。（Au开环电压放大倍数,ri输入电阻,r0输出电阻）A．发射结正向偏置,集电结反向偏置#
B．发射结反向
- 在采用动圈式模拟万用表的欧姆挡检测二极管的极性时一般使用（）挡,这是因为（）。在三极管基本放大电路中,测试发现静态工作点已经设置在放大区中央部分,但同时出现截止和饱和失真。这说明（）。运算放大器构成线形
- 具有电容滤波器的单相半波整流电路,若变压器副边电压有效值U＝20V,则二极管承受的最高反向电压为（）。晶体管工作在饱和区的条件是（）。三极管工作在截止状态时其条件是（）。A．20V
B．28.2V
C．40V
D．56.4V#A．
- P型半导体中的多数载流子是（）。测得某PNP型晶体管三个极的电位分别为VC＝0.4V、VB＝1.5V、VE＝1.2V,可判断该管工作于（）状态。晶体管具有电流放大能力,而放大能源来自于放大电路中的（）。A．自由电子
B．空穴#
C
- 测得某个NPN型晶体管E、B、C三个电极电位分别为0.4V、0.2V和1.5V可判断该管处于（）工作状态。为使晶体管可靠地处于截止状态时,它的集电结（）偏,发射结（）偏。晶闸管导通后控制极电源线脱落,将产生的现象是（）。A
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