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- 整流电路的目的是（）。已经导通的可控硅,欲使其关断,下列哪种方法不可取的是（）。A．直流电变交流电
B．电压放大
C．交流电变直流电#
D．功率放大A．断开阳极电路
B．使阳极电流小于维持电流
C．断开控制极电路#
D
- 在设计一灯光连续可调的交流照明台灯（220V、45W）灯光调节装置时,为使整个装置体积小、简单轻便、成本低、节能,下列几种方案最优的是（）。设v+、v－分别是理想运放的同相输入端、反相输入端的电位；设i+、i－分别
- 在采用动圈式模拟万用表的欧姆挡检测二极管的极性时一般使用（）挡,这是因为（）。在三极管基本放大电路中,由于静态工作点设置不合适而出现饱和失真。为了改善失真波形,方便的做法是应（）。A．R×100／防止过压反响
- 为了获得比较平滑的直流电压,需在整流电路后加滤波电路。下列滤波方案效果最好的是（）。该整流电路输入交流电压有效值为U,有电容滤波的半波整流电路较没有滤波环节的整流电路,负载的平均电压U0的特点是（）,当负载
- 在单相半波整流电路中,整流二极管的反向耐压必须大于（）。NPN型晶体管处于放大状态时,管脚电位应有（）。A．输出的平均电压值
B．所接负载电压值
C．变压器副边电压最大值#
D．变压器副边电压有效值A．VC＞VE＞VB
B
- 当晶体管的集电极电流增量与基极电流增量之比几乎不变时,晶体管处于（）。测得某个NPN型晶体管E、B、C三个电极电位分别为0.4V、0.2V和1.5V可判断该管处于（）工作状态。A．放大区#
B．饱和区
C．截止区
D．放大或饱
- 测得某个NPN型晶体管E、B、C三个电极电位分别为0.4V、0.2V和1.5V可判断该管处于（）工作状态。未引入负反馈的开环工作的运放一般工作于（）。A．完全截止#
B．完全导通
C．线性放大
D．饱和导通A．线性区
B．饱和区#
- 对于晶体二极管来说,以下说法错误的是（）。整流电路的目的是（）。A．正向电阻很小
B．无论加多大的反向电压,都不会导通#
C．未被反向击穿前,反向电阻很大
D．所加正向电压大于死区电压时,二极管才算真正导通A．直
- 一般来说,本征半导体的导电能力（）,当掺入某些适当微量元素后其导电能力（）。用万用表测量某电路中一个NPN型三极管的静态工作电压时,发现UCE≈0时,管子处于（）。A．很强／更强
B．很强／降低
C．很弱／提高#
D．很
- 可控硅导通的条件是（）。关于晶闸管应用的下列说法错误的是（）。A．阳极和阴极间加一定的反向电压,控制极和阴极间加一定的正向电压
B．阳极和阴极间加一定的正向电压,控制极和阴极间加一定的正向电压#
C．阳极和阴
- 用动圈式模拟万用表欧姆挡检测二极管的极性,红黑表笔分别接二极管的两个极,测其电阻,再调换表笔再测一次电阻,电阻（）的那一次,黑表笔接的是（）极。未引入负反馈的开环工作的运放一般工作于（）。A．大／阴
B．小／
- 在下列关于硅二极管“死区电压/在额定电流范围内的正向管压降”数据中,合适的是（）。已知某晶体管的E、B、C三个极的电位分别为－8V、－8.3V、－12V,则此管工作于（）状态,此管属（）型。A．0.1V／0.5V
B．0.2V／0.5V
- 在三极管基本放大电路中,由于静态工作点设置不合适而出现截止失真。为了改善失真波形,方便的做法是应（）。设v+、v－分别是理想运放的同相输入端、反相输入端的电位；设i+、i－分别是该两端的输入电流。若运放工作于
- 在单相半波整流电路后接一电容滤波器然后给负载供电,若负载开路,则输出电压U0=（）。（U为整流电路输入的交流电压有效值）运算放大器构成线形反相比例运算,为了减小运算误差,则在反相端输入信号电压时,其同相端应（
- 晶体管工作在饱和区的条件是（）。已经导通的可控硅,欲使其关断,下列哪种方法不可取的是（）。A．发射结正向偏置,集电结反向偏置
B．发射结反向偏置,集电结正向偏置
C．发射结正向偏置,集电结正向偏置#
D．发射结反
- 一般来说,本征半导体的导电能力（）,当掺入某些适当微量元素后其导电能力（）。在静态时,无论基极偏置电流多大,无论是PNP型还是NPN型,三极管三个极电流总有（）。A．很强／更强
B．很强／降低
C．很弱／提高#
D．很
- NPN型晶体管处于放大状态时,管脚电位应有（）。用万用表测试某电路中一个NPN型三极管的静态工作电压时,当UCE≈UCC时,可断定管子处于（）状态。A．VC＞VE＞VB
B．VC＞VB＞VE#
C．VC＞VB＞VE
D．VB＞VE＞VCA．放大
B．
- 当晶体管的集电极电流增量与基极电流增量之比几乎不变时,晶体管处于（）。当逻辑变量A=1、B=1、C=1时,求逻辑函数的值为（）。A．放大区#
B．饱和区
C．截止区
D．放大或饱和区A．0#
B．1
C．2
D．3
- 晶体管具有电流放大能力,而放大能源来自地放大电路中的（）。已经导通的可控硅,欲使其关断,下列哪种方法不可取的是（）。A．晶体管本身
B．信号源
C．负载输入
D．直流电源#A．断开阳极电路
B．使阳极电流小于维持电
- 对于半导体材料,若（）,导电能力减弱。当逻辑变量A=1、B=1、C=1时,求逻辑函数的值为（）。A．环境温度降低#
B．掺杂金属元素
C．增大环境光照强度
D．掺杂非金属元素A．0#
B．1
C．2
D．3
- 下列描述中不属于本征半导体的基本特征是（）。半导体PN结是构成各种半导体器件的工作基础,其主要特性是（）。A．温度提高导电能力提高
B．有两种载流子
C．电阻率很小,接近金属导体#
D．参杂质后导电能力提高A．具
- 已知有电容滤波器的半波整流电路输入交流电压的有效值为U,其输出电压平均值U0的变化范围是（）,二极管承受的最高反向电压UDRM为（）。晶体管工作在饱和区的条件是（）。A．0.45U～1.2U／U
B．0.45U～1.4U／U#
C．0.9
- 若在本征半导体中掺入某些适当微量元素后,若以空穴导电为主的称（）,若以自由电子导电为主的称（）。晶体管具有放大作用时,它的集电结（）偏,发射结（）偏。A．PNP型半导体／NPN型半导体
B．N型半导体／P型半导体
C
- 在静态时,无论基极偏置电流多大,无论是PNP型还是NPN型,三极管三个极电流总有（）。测得某PNP型晶体管E极电位为0.4V,B极电位为1.2V,C极电位为1.5V,可判断出其工作状态为（）。A．IC=IB+IE
B．IB=IE+IC
C．IE=IB+IC#
D
- 为了获得比较平滑的直流电压,需在整流电路后加滤波电路。下列滤波方案效果最好的是（）。晶体管具有放大作用时,它的集电结（）偏,发射结（）偏。A．电感
B．电容
C．П型#
D．Г型A．正／反
B．反／正#
C．正／正
D．
- 关于晶闸管的下列说法错误的是（）。可控硅导通的条件是（）。A．若控制端与阴极间不加正向电压,则无论在阳阴极间加多大的正向电压,管子均不会导通#
B．具有与二极管不完全一致的单向导电性
C．在一定范围内,随着正
- 分别有（）个极。A．温度提高导电能力提高
B．有两种载流子
C．电阻率很小,2,3,4
B．1,2,2,3／2,3#
D．1,3,3
- 该整流电路输入交流电压有效值为U,有电容滤波的半波整流电路较没有滤波环节的整流电路,负载的平均电压U0的特点是（）,当负载开路（即RL＝∞）时,输出电压U0为（）。对于运算放大器而言,下列说法错误的是（）。A．增大
- 在单相半波整流电路中,整流二极管的反向耐压必须大于（）。已知一晶体管的E、B、C三个极的电位分别为0.5V、1.2V、5.6V,此管工作于（）状态,此管属（）型。A．输出的平均电压值
B．所接负载电压值
C．变压器副边电压
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