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- 将预先制好的掩膜直接和涂有光致抗蚀剂的晶片表面接触,再用紫外光照射来进行曝光的方法,称为（）曝光。接触#
接近式
投影
- 将预先制好的掩膜直接和涂有光致抗蚀剂的晶片表面接触,再用紫外光照射来进行曝光的方法,称为（）曝光。接触#
接近式
投影
- 离子注入层的深度主要取决于离子注入的（）。能量#
剂量
- 人们规定：（）电压为安全电压.36伏以下#
50伏以下
24伏以下
- 离子注入层的杂质浓度主要取决于离子注入的（）。能量
剂量#
- 二氧化硅在扩散时能对杂质起掩蔽作用进行（）扩散。预
再
选择#
- 下列材料属于N型半导体是（）。硅中掺有元素杂质磷（P）、砷（As）#
硅中掺有元素杂质硼B.、铝（Al）
砷化镓掺有元素杂质硅（Si）、碲（TE）#
砷化镓中掺元素杂质锌、镉、镁
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