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- pn结的击穿电压和反向漏电流既是晶体管的重要直流参数,也是评价（）的重要标志。双极晶体管的1c7r噪声与（）有关。扩散层质量#
设计
光刻基区宽度
外延层厚度
表面界面状态#
- 反应离子腐蚀是（）。变容二极管的电容量随（）变化。在低温玻璃密封工艺中,常用的运载剂由2％（质量比）的硝化纤维素溶解于98％（质量比）的醋酸异戊酯或松油醇中制得,再将20％的运载剂与（）的玻璃料均匀混合,配成
- 器件的横向尺寸控制几乎全由（）来实现。变容二极管的电容量随（）变化。厚膜元件烧结时,浆料中的固体颗粒由接触到结合、自由表面的收缩、空隙的排除、晶体缺陷的消除等都会使系统的自由能（）,从而使系统转变为热力
- 恒定表面源扩散的杂质分布在数学上称为（）分布。高斯
余误差#
指数
- 常用胶粘剂有热固性树脂、热塑性树脂和橡胶型胶粘剂3大类。半导体器件的粘封工艺一般选用（）。禁带宽度的大小决定着电子从价带跳到导带的难易,一般半导体材料的禁带宽度越宽,所制作的半导体器件中的载流子（）外界
- 在低温玻璃密封工艺中,常用的运载剂由2％（质量比）的硝化纤维素溶解于98％（质量比）的醋酸异戊酯或松油醇中制得,再将20％的运载剂与（）的玻璃料均匀混合,配成印刷浆料。80％～90％#
10％～20％
40％-50％
- 超声热压焊的主要应用对象是超小型镀金外壳与镀金管帽的焊接,焊接处依靠（）封接,因而外壳零件的平整度和镀金层厚度是实现可靠性封接的关键因素。半导体分立器件、集成电路对外壳的主要要求之一是：良好的热性能。外
- 外壳设计包括（）设计、热性能设计和结构设计三部分,而可靠性设计也包含在这三部分中间。溅射法是由（）轰击靶材表面,使靶原子从靶表面飞溅出来淀积在衬底上形成薄膜。恒定表面源扩散的杂质分布在数学上称为（）分布
- 金属封装主要用于混合集成电路封装,外壳零件一般有底盘、管帽、引线和玻璃绝缘子组成。底盘、管帽和引线的材料常常是（）。禁带宽度的大小决定着电子从价带跳到导带的难易,一般半导体材料的禁带宽度越宽,所制作的半
- 金属封装主要采用金属和玻璃密封工艺,金属作封装底盘、管帽和引线,（）做绝缘和密封。在低温玻璃密封工艺中,常用的运载剂由2％（质量比）的硝化纤维素溶解于98％（质量比）的醋酸异戊酯或松油醇中制得,再将20％的运
- 双极晶体管的高频参数是（）。金属封装主要采用金属和玻璃密封工艺,金属作封装底盘、管帽和引线,（）做绝缘和密封。超声热压焊的主要应用对象是超小型镀金外壳与镀金管帽的焊接,焊接处依靠（）封接,因而外壳零件的平
- 溅射法是由（）轰击靶材表面,使靶原子从靶表面飞溅出来淀积在衬底上形成薄膜。变容二极管的电容量随（）变化。恒定表面源扩散的杂质分布在数学上称为（）分布。电子
中性粒子
带能离子#正偏电流
反偏电压#
结温高斯
- 平行缝焊的工艺参数有焊接电流、焊接速度、焊轮压力和焊轮椎顶角。焊轮压力影响盖板和焊环之间高阻点的（）。压力太大,电阻值下降,对形成焊点不利,焊轮压力太小,则造成接触不良,不但形不成良好点。超声热压焊的主要
- 在突缘电阻焊工艺中,要获得良好的焊接质量,必须确定的基本规范包括（）双极晶体管的高频参数是（）。焊接电流、焊接电压和电极压力
焊接电流、焊接时间和电极压力#
焊接电流、焊接电压和焊接时间hFEVces
BVce
ftfm#
- 塑封中注塑成型工艺主要工艺参数有（）、模具温度、合模压力、注射压力、注射速度和成型时间。双极晶体管的1c7r噪声与（）有关。准备工具
准备模塑料
模塑料预热#基区宽度
外延层厚度
表面界面状态#
- 非接触式厚膜电路丝网印刷时,丝网与基片之间有一定的距离,称为间隙,通常为（）。变容二极管的电容量随（）变化。小于0.1mm
0.5～2.0mm#
大于2.0mm正偏电流
反偏电压#
结温
- 厚膜元件烧结时,浆料中的固体颗粒由接触到结合、自由表面的收缩、空隙的排除、晶体缺陷的消除等都会使系统的自由能（）,从而使系统转变为热力学中更稳定的状态。恒定表面源扩散的杂质分布在数学上称为（）分布。降低
- 半导体分立器件、集成电路对外壳的主要要求之一是：良好的热性能。外壳应有小的（）,使芯片的热量有效地散逸出去,保证器件在正常结温下工作。变容二极管的电容量随（）变化。在突缘电阻焊工艺中,要获得良好的焊接质
- 双极晶体管的1c7r噪声与（）有关。超声热压焊的主要应用对象是超小型镀金外壳与镀金管帽的焊接,焊接处依靠（）封接,因而外壳零件的平整度和镀金层厚度是实现可靠性封接的关键因素。在低温玻璃密封工艺中,常用的运载
- 变容二极管的电容量随（）变化。正偏电流
反偏电压#
结温
- 禁带宽度的大小决定着电子从价带跳到导带的难易,一般半导体材料的禁带宽度越宽,所制作的半导体器件中的载流子（）外界因素（如高温和辐射等）的干扰而产生变化。变容二极管的电容量随（）变化。反应离子腐蚀是（）。
- 气中的一个小尘埃将影响整个芯片的（）性、（）率,并影响其电学性能和（）性,所以半导体芯片制造工艺需在超净厂房内进行。半导体分立器件、集成电路对外壳的主要要求之一是：良好的热性能。外壳应有小的（）,使芯片
- 延生长方法比较多,其中主要的有（）外延、（）外延、金属有机化学气相外延、（）外延、原子束外延、固相外延等。双极晶体管的1c7r噪声与（）有关。非接触式厚膜电路丝网印刷时,丝网与基片之间有一定的距离,称为间隙,
- 杂质原子在半导体中的扩散机理比较复杂,但主要可分为（）扩散和（）扩散两种。禁带宽度的大小决定着电子从价带跳到导带的难易,一般半导体材料的禁带宽度越宽,所制作的半导体器件中的载流子（）外界因素（如高温和辐
- 半导体材料可根据其性能、晶体结构、结晶程度、化学组成分类。比较通用的则是根据其化学组成可分为（）半导体、（）半导体、固溶半导体三大类。平行缝焊的工艺参数有焊接电流、焊接速度、焊轮压力和焊轮椎顶角。焊轮
- 热分解化学气相淀积二氧化硅是利用（）化合物,经过热分解反应,在基片表面淀积二氧化硅。变容二极管的电容量随（）变化。半导体分立器件、集成电路对外壳的主要要求之一是：良好的热性能。外壳应有小的（）,使芯片的
- 最常用的金属膜制备方法有（）加热蒸发、（）蒸发、（）。厚膜元件烧结时,浆料中的固体颗粒由接触到结合、自由表面的收缩、空隙的排除、晶体缺陷的消除等都会使系统的自由能（）,从而使系统转变为热力学中更稳定的状
- 半导体集成电路生产中,元件之间隔离有（）（）（）隔离等三种基本方法.金属封装主要采用金属和玻璃密封工艺,金属作封装底盘、管帽和引线,（）做绝缘和密封。Pn结介质；Pn结隔离；Pn结介质混合塑料
玻璃#
金属
- 二氧化硅的制备方法很多,其中最常用的是高温（）、（）淀积、PECVD淀积。厚膜元件烧结时,浆料中的固体颗粒由接触到结合、自由表面的收缩、空隙的排除、晶体缺陷的消除等都会使系统的自由能（）,从而使系统转变为热力
- 外延层的迁移率低的因素有原材料纯度（）；反应室漏气；外延层的晶体（）；系统沾污等；载气纯度不够；外延层晶体缺陷多；生长工艺条件不适宜。双极晶体管的1c7r噪声与（）有关。在突缘电阻焊工艺中,要获得良好的焊
- 离子注入杂质浓度分布中最重要的二个射程参数是（）和（）。塑封中注塑成型工艺主要工艺参数有（）、模具温度、合模压力、注射压力、注射速度和成型时间。平均投影射程；平均投影标准差准备工具
准备模塑料
模塑料预
- 微波混合集成电路是指工作频率从300MHz～100kMHz的混合集成电路,可分为分布参数微波混合集成电路和（）微波混合集成电路两类。集总参数
- 厚膜混合集成电路的基片种类很多,目前常用的有：氧化铝陶瓷,（）,氮化铝（A1N）陶瓷。变容二极管的电容量随（）变化。非接触式厚膜电路丝网印刷时,丝网与基片之间有一定的距离,通常为（）。厚膜元件烧结时,从而使系
- 外壳设计包括电性能设计、热性能设计和结构设计三部分,而（）设计也包含在这三部分中间。可靠性
- 钎焊密封工艺主要工艺条件有钎焊气氛控制、温度控制和密封腔体内（）控制。变容二极管的电容量随（）变化。湿度正偏电流
反偏电压#
结温
- 如果热压楔形键合小于引线直径1．5倍或大于3．0倍,其长度小于1．5倍或大于6．0倍,判引线键合（）。非接触式厚膜电路丝网印刷时,丝网与基片之间有一定的距离,称为间隙,通常为（）。双极晶体管的高频参数是（）。常用
- 芯片焊接质量通常进行镜检和（）两项试验。变容二极管的电容量随（）变化。厚膜元件烧结时,浆料中的固体颗粒由接触到结合、自由表面的收缩、空隙的排除、晶体缺陷的消除等都会使系统的自由能（）,从而使系统转变为热
- 金丝球焊的优点是无方向性,键合强度一般（）同类电极系统的楔刀焊接。变容二极管的电容量随（）变化。厚膜元件烧结时,浆料中的固体颗粒由接触到结合、自由表面的收缩、空隙的排除、晶体缺陷的消除等都会使系统的自由
- 钎焊包括合金烧结、共晶焊；聚合物焊又可分为（）、（）等。禁带宽度的大小决定着电子从价带跳到导带的难易,一般半导体材料的禁带宽度越宽,所制作的半导体器件中的载流子（）外界因素（如高温和辐射等）的干扰而产生
- 在半导体制造工艺中往往把减薄、划片、分片、装片、内引线键合和管壳封装等一系列工艺称为（）。变容二极管的电容量随（）变化。在突缘电阻焊工艺中,要获得良好的焊接质量,必须确定的基本规范包括（）外壳设计包括（
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