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- 常用胶粘剂有热固性树脂、热塑性树脂和橡胶型胶粘剂3大类。半导体器件的粘封工艺一般选用（）。热塑性树脂
热固性或橡胶型胶粘剂#
- 双极晶体管的高频参数是（）。常用胶粘剂有热固性树脂、热塑性树脂和橡胶型胶粘剂3大类。半导体器件的粘封工艺一般选用（）。hFEVces
BVce
ftfm#热塑性树脂
热固性或橡胶型胶粘剂#
- 变容二极管的电容量随（）变化。恒定表面源扩散的杂质分布在数学上称为（）分布。正偏电流
反偏电压#
结温高斯
余误差#
指数
- 变容二极管的电容量随（）变化。双极晶体管的高频参数是（）。正偏电流
反偏电压#
结温hFEVces
BVce
ftfm#
- 超声热压焊的主要应用对象是超小型镀金外壳与镀金管帽的焊接,焊接处依靠（）封接,因而外壳零件的平整度和镀金层厚度是实现可靠性封接的关键因素。管帽变形
镀金层的变形#
底座变形
- 金属封装主要采用金属和玻璃密封工艺,金属作封装底盘、管帽和引线,（）做绝缘和密封。塑料
玻璃#
金属
- 在突缘电阻焊工艺中,要获得良好的焊接质量,必须确定的基本规范包括（）反应离子腐蚀是（）。焊接电流、焊接电压和电极压力
焊接电流、焊接时间和电极压力#
焊接电流、焊接电压和焊接时间化学刻蚀机理
物理刻蚀机理
- 禁带宽度的大小决定着电子从价带跳到导带的难易,一般半导体材料的禁带宽度越宽,所制作的半导体器件中的载流子（）外界因素（如高温和辐射等）的干扰而产生变化。器件的横向尺寸控制几乎全由（）来实现。pn结的击穿电
- 溅射法是由（）轰击靶材表面,使靶原子从靶表面飞溅出来淀积在衬底上形成薄膜。电子
中性粒子
带能离子#
- 双极晶体管的1c7r噪声与（）有关。在低温玻璃密封工艺中,常用的运载剂由2％（质量比）的硝化纤维素溶解于98％（质量比）的醋酸异戊酯或松油醇中制得,再将20％的运载剂与（）的玻璃料均匀混合,配成印刷浆料。常用胶粘
- 禁带宽度的大小决定着电子从价带跳到导带的难易,一般半导体材料的禁带宽度越宽,所制作的半导体器件中的载流子（）外界因素（如高温和辐射等）的干扰而产生变化。双极晶体管的1c7r噪声与（）有关。在低温玻璃密封工艺
- 半导体分立器件、集成电路对外壳的主要要求之一是：良好的热性能。外壳应有小的（）,使芯片的热量有效地散逸出去,保证器件在正常结温下工作。器件的横向尺寸控制几乎全由（）来实现。热阻#
阻抗
结构参数掩膜版
扩散
- 金属封装主要用于混合集成电路封装,外壳零件一般有底盘、管帽、引线和玻璃绝缘子组成。底盘、管帽和引线的材料常常是（）。合金A-42
4J29可伐#
4J34可伐
- 双极晶体管的1c7r噪声与（）有关。溅射法是由（）轰击靶材表面,使靶原子从靶表面飞溅出来淀积在衬底上形成薄膜。金属封装主要采用金属和玻璃密封工艺,金属作封装底盘、管帽和引线,（）做绝缘和密封。基区宽度
外延层
- 非接触式厚膜电路丝网印刷时,丝网与基片之间有一定的距离,称为间隙,通常为（）。器件的横向尺寸控制几乎全由（）来实现。小于0.1mm
0.5～2.0mm#
大于2.0mm掩膜版
扩散
光刻#
- 非接触式厚膜电路丝网印刷时,丝网与基片之间有一定的距离,称为间隙,通常为（）。溅射法是由（）轰击靶材表面,使靶原子从靶表面飞溅出来淀积在衬底上形成薄膜。器件的横向尺寸控制几乎全由（）来实现。小于0.1mm
0.5
- 变容二极管的电容量随（）变化。半导体分立器件、集成电路对外壳的主要要求之一是：良好的热性能。外壳应有小的（）,使芯片的热量有效地散逸出去,保证器件在正常结温下工作。正偏电流
反偏电压#
结温热阻#
阻抗
结构
- 厚膜元件烧结时,浆料中的固体颗粒由接触到结合、自由表面的收缩、空隙的排除、晶体缺陷的消除等都会使系统的自由能（）,从而使系统转变为热力学中更稳定的状态。塑封中注塑成型工艺主要工艺参数有（）、模具温度、合
- 反应离子腐蚀是（）。pn结的击穿电压和反向漏电流既是晶体管的重要直流参数,也是评价（）的重要标志。化学刻蚀机理
物理刻蚀机理
物理的溅射刻蚀和化学的反应刻蚀相结合#扩散层质量#
设计
光刻
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