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- 下列晶体管结构中,在晶体管输出电流很大时常使用的是：（）说明构成每个单元所需的基本门和基本单元的集成电路设计过程叫（）：A、单基极条图形
B、双基极条图形
C、基极和集电极引线孔都是马蹄形结构
D、梳状结构#A
- 说明构成每个单元所需的基本门和基本单元的集成电路设计过程叫（）：A、逻辑设计#
B、物理设计
C、电路设计
D、系统设计
- 腐蚀二氧化硅的水溶液一般是用（）位错的形成原因是（）。A、盐酸
B、硫酸
C、硝酸
D、氢氟酸#位错就是由弹性形变造成的
位错就是由重力造成的
位错就是由范性形变造成的#
以上答案都不对
- 属于绝缘体的正确答案是（）。离子注入层的杂质浓度主要取决于离子注入的（）。金属、石墨、人体、大地
橡胶、塑料、玻璃、云母、陶瓷#
硅、锗、砷化镓、磷化铟
各种酸、碱、盐的水溶液能量
剂量#
- 下列材料属于N型半导体是（）。下列晶体管结构中,在晶体管输出电流很大时常使用的是：（）位错的形成原因是（）。离子注入层的深度主要取决于离子注入的（）。恒定表面源扩散的杂质分布在数学上称为什么分布？（）硅
- 腐蚀二氧化硅的水溶液一般是用（）在温度相同的情况下,制备相同厚度的氧化层,分别用干氧,湿氧和水汽氧化,哪个需要的时间最长？（）A、盐酸
B、硫酸
C、硝酸
D、氢氟酸#A、干氧#
B、湿氧
C、水汽氧化
D、不能确定哪个
- 二氧化硅在扩散时能对杂质起掩蔽作用进行（）扩散。预
再
选择#
- 介质隔离是以绝缘性能良好的电介质作为“隔离墙”来实现电路中各元器件间彼此电绝缘的一种隔离方法。常用的电介质是（）层。光刻工艺是利用感光胶感光后抗腐蚀的特性在半导体晶片表面的掩膜层上的工艺（）多晶硅
氮化
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