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- 硅外延片的应用包括（）。介质隔离是以绝缘性能良好的电介质作为“隔离墙”来实现电路中各元器件间彼此电绝缘的一种隔离方法。常用的电介质是（）层。二极管和三极管#
电力电子器件#
大规模集成电路#
超大规模集成电路
- 介质隔离是以绝缘性能良好的电介质作为“隔离墙”来实现电路中各元器件间彼此电绝缘的一种隔离方法。常用的电介质是（）层。光刻工艺是利用感光胶感光后抗腐蚀的特性在半导体晶片表面的掩膜层上的工艺（）多晶硅
氮化
- 半导体材料有两种载流子参加导电,具有两种导电类型。一种是（）,另一种是（）。说明构成每个单元所需的基本门和基本单元的集成电路设计过程叫（）：硅外延片的应用包括（）。离子注入层的杂质浓度主要取决于离子注入
- 半导体材料可根据其性能、晶体结构、结晶程度、化学组成分类。比较通用的则是根据其化学组成可分为元素（）、（）半导体、固溶半导体三大类。说明构成每个单元所需的基本门和基本单元的集成电路设计过程叫（）：半导
- 属于绝缘体的正确答案是（）。金属、石墨、人体、大地
橡胶、塑料、玻璃、云母、陶瓷#
硅、锗、砷化镓、磷化铟
各种酸、碱、盐的水溶液
- 离子注入层的杂质浓度主要取决于离子注入的（）。单相3线插座接线有严格规定（）能量
剂量#“左零”“右火”#
“左火”“右零”
- 光刻工艺是利用感光胶感光后抗腐蚀的特性在半导体晶片表面的掩膜层上的工艺（）按蒸发源加热方法的不同,真空蒸发工艺可分为：（）蒸发、（）蒸发、离子束蒸发等。刻制图形#
绘制图形
制作图形电阻加热#
电子束#
蒸气
- 全定制、半定制版图设计中用到的单元库包含（）、（）、（）和（）。说明构成每个单元所需的基本门和基本单元的集成电路设计过程叫（）：硅外延片的应用包括（）。二氧化硅在扩散时能对杂质起掩蔽作用进行（）扩散。
- 大容量可编程逻辑器件分为（）和（）。位错的形成原因是（）。从离子源引出的是：（）复杂可编程逻辑器件；现场可编程门阵列位错就是由弹性形变造成的
位错就是由重力造成的
位错就是由范性形变造成的#
以上答案都不
- 对标准单元设计EDA系统而言,标准单元库应包含以下内容：（）、和（）、（）、（）。逻辑单元符号库；功能单元库；拓扑单元库；版图单元库
- 在一个晶圆上分布着许多块集成电路,在封装时将各块集成电路切开时的切口叫（）。下列材料属于N型半导体是（）。离子注入层的深度主要取决于离子注入的（）。划片槽硅中掺有元素杂质磷（P）、砷（As）#
硅中掺有元素
- 人们规定：（）电压为安全电压.离子注入层的深度主要取决于离子注入的（）。将预先制好的掩膜直接和涂有光致抗蚀剂的晶片表面接触,再用紫外光照射来进行曝光的方法,称为（）曝光。36伏以下#
50伏以下
24伏以下能量#
- 在扩散之前在硅表面先沉积一层杂质,在整个过程中这层杂质作为扩散的杂质源,不再有新的杂质补充,这种扩散方式称为：（）恒定表面源扩散
- 按蒸发源加热方法的不同,真空蒸发工艺可分为：（）蒸发、（）蒸发、离子束蒸发等。位错的形成原因是（）。硅外延片的应用包括（）。在温度相同的情况下,制备相同厚度的氧化层,分别用干氧,湿氧和水汽氧化,哪个需要的
- 单相3线插座接线有严格规定（）下列材料属于N型半导体是（）。Ⅰ号液是（）过氧化氢清洗液.按蒸发源加热方法的不同,真空蒸发工艺可分为：（）蒸发、（）蒸发、离子束蒸发等。“左零”“右火”#
“左火”“右零”硅中掺有元素
- 腐蚀二氧化硅的水溶液一般是用（）恒定表面源扩散的杂质分布在数学上称为什么分布？（）Ⅰ号液是（）过氧化氢清洗液.光刻工艺是利用感光胶感光后抗腐蚀的特性在半导体晶片表面的掩膜层上的工艺（）人们规定：（）电压
- 将预先制好的掩膜直接和涂有光致抗蚀剂的晶片表面接触,再用紫外光照射来进行曝光的方法,称为（）曝光。接触#
接近式
投影
- 光刻工艺是利用感光胶感光后抗腐蚀的特性在半导体晶片表面的掩膜层上的工艺（）位错的形成原因是（）。刻制图形#
绘制图形
制作图形位错就是由弹性形变造成的
位错就是由重力造成的
位错就是由范性形变造成的#
以上
- 在温度相同的情况下,制备相同厚度的氧化层,分别用干氧,湿氧和水汽氧化,哪个需要的时间最长？（）人们规定：（）电压为安全电压.A、干氧#
B、湿氧
C、水汽氧化
D、不能确定哪个使用的时间长36伏以下#
50伏以下
24伏以
- 介质隔离是以绝缘性能良好的电介质作为“隔离墙”来实现电路中各元器件间彼此电绝缘的一种隔离方法。常用的电介质是（）层。多晶硅
氮化硅
二氧化硅#
- 二氧化硅在扩散时能对杂质起掩蔽作用进行（）扩散。下列材料属于N型半导体是（）。硅外延生长工艺包括（）。光刻工艺是利用感光胶感光后抗腐蚀的特性在半导体晶片表面的掩膜层上的工艺（）预
再
选择#硅中掺有元素杂
- 在温度相同的情况下,制备相同厚度的氧化层,分别用干氧,湿氧和水汽氧化,哪个需要的时间最长？（）A、干氧#
B、湿氧
C、水汽氧化
D、不能确定哪个使用的时间长
- Ⅰ号液是（）过氧化氢清洗液.碱性#
酸性
中性
- 离子注入层的杂质浓度主要取决于离子注入的（）。Ⅰ号液是（）过氧化氢清洗液.能量
剂量#碱性#
酸性
中性
- 离子注入层的杂质浓度主要取决于离子注入的（）。能量
剂量#
- 恒定表面源扩散的杂质分布在数学上称为什么分布？（）A、高斯函数
B、余误差函数#
C、指数函数
D、线性函数
- 说明构成每个单元所需的基本门和基本单元的集成电路设计过程叫（）：单相3线插座接线有严格规定（）A、逻辑设计#
B、物理设计
C、电路设计
D、系统设计“左零”“右火”#
“左火”“右零”
- 二氧化硅在扩散时能对杂质起掩蔽作用进行（）扩散。预
再
选择#
- 从离子源引出的是：（）A、原子束
B、分子束
C、中子束
D、离子束#
- 硅外延生长工艺包括（）。衬底制备#
原位HCl腐蚀#
生长温度,生长压力,生长速度#
尾气的处理#
- 说明构成每个单元所需的基本门和基本单元的集成电路设计过程叫（）：位错的形成原因是（）。在温度相同的情况下,制备相同厚度的氧化层,分别用干氧,湿氧和水汽氧化,哪个需要的时间最长？（）介质隔离是以绝缘性能良好
- 硅外延生长工艺包括（）。将预先制好的掩膜直接和涂有光致抗蚀剂的晶片表面接触,再用紫外光照射来进行曝光的方法,称为（）曝光。衬底制备#
原位HCl腐蚀#
生长温度,生长压力,生长速度#
尾气的处理#接触#
接近式
投影
- 下列材料属于N型半导体是（）。硅中掺有元素杂质磷（P）、砷（As）#
硅中掺有元素杂质硼B.、铝（Al）
砷化镓掺有元素杂质硅（Si）、碲（TE）#
砷化镓中掺元素杂质锌、镉、镁
- 硅外延生长工艺包括（）。衬底制备#
原位HCl腐蚀#
生长温度,生长压力,生长速度#
尾气的处理#
- 离子注入层的杂质浓度主要取决于离子注入的（）。能量
剂量#
- 离子注入层的杂质浓度主要取决于离子注入的（）。腐蚀二氧化硅的水溶液一般是用（）恒定表面源扩散的杂质分布在数学上称为什么分布？（）二氧化硅在扩散时能对杂质起掩蔽作用进行（）扩散。能量
剂量#A、盐酸
B、硫
- 离子注入层的深度主要取决于离子注入的（）。能量#
剂量
- 硅外延生长工艺包括（）。衬底制备#
原位HCl腐蚀#
生长温度,生长压力,生长速度#
尾气的处理#
- 硅外延片的应用包括（）。说明构成每个单元所需的基本门和基本单元的集成电路设计过程叫（）：二极管和三极管#
电力电子器件#
大规模集成电路#
超大规模集成电路#A、逻辑设计#
B、物理设计
C、电路设计
D、系统设计
- 位错的形成原因是（）。将预先制好的掩膜直接和涂有光致抗蚀剂的晶片表面接触,再用紫外光照射来进行曝光的方法,称为（）曝光。位错就是由弹性形变造成的
位错就是由重力造成的
位错就是由范性形变造成的#
以上答案都
川公网安备 51012202001360号