查看所有试题
- 点缺陷,如空位、间隙原子、反位缺陷、替位缺陷,和由它们构成的复合体。（）位错的形成原因是（）。正确#
错误位错就是由弹性形变造成的
位错就是由重力造成的
位错就是由范性形变造成的#
以上答案都不对
- 迁移率是反映半导体中载流子导电能力的重要参数。掺杂半导体的电导率一方面取决于掺杂的浓度,另一方面取决于迁移率的大小。同样的掺杂浓度,载流子的迁移率越大,材料的电导率就越高。（）说明构成每个单元所需的基本
- 单晶是原子或离子沿着三个不同的方向按一定的周期有规则的排列,并沿一致的晶体学取向所堆垛起来的远程有序的晶体。（）离子注入层的杂质浓度主要取决于离子注入的（）。正确#
错误能量
剂量#
- 片状源扩散具有设备简单,操作方便,晶片缺陷少,均匀性、重复性和表面质量都较好,适于批量生产,应用越来越普遍。（）腐蚀二氧化硅的水溶液一般是用（）正确#
错误A、盐酸
B、硫酸
C、硝酸
D、氢氟酸#
- 硅MOSFET和硅JFET结构相同。（）正确#
错误
- 场效应晶体管的栅源电压变化可以控制漏电流变化。（）属于绝缘体的正确答案是（）。介质隔离是以绝缘性能良好的电介质作为“隔离墙”来实现电路中各元器件间彼此电绝缘的一种隔离方法。常用的电介质是（）层。按蒸发源
- 在半导体中掺金是为了使非平衡载流子的寿命增加。（）按蒸发源加热方法的不同,真空蒸发工艺可分为：（）蒸发、（）蒸发、离子束蒸发等。正确#
错误电阻加热#
电子束#
蒸气原子
- 可靠性筛选可以剔除早期失效的产品。（）下列材料属于N型半导体是（）。正确#
错误硅中掺有元素杂质磷（P）、砷（As）#
硅中掺有元素杂质硼B.、铝（Al）
砷化镓掺有元素杂质硅（Si）、碲（TE）#
砷化镓中掺元素杂质
- 属于绝缘体的正确答案是（）。说明构成每个单元所需的基本门和基本单元的集成电路设计过程叫（）：硅外延生长工艺包括（）。从离子源引出的是：（）金属、石墨、人体、大地
橡胶、塑料、玻璃、云母、陶瓷#
硅、锗、
- 下列晶体管结构中,在晶体管输出电流很大时常使用的是：（）A、单基极条图形
B、双基极条图形
C、基极和集电极引线孔都是马蹄形结构
D、梳状结构#
- 丝网印刷膜的厚度不随着刮板移动速度的增加而减小。（）硅外延片的应用包括（）。正确#
错误二极管和三极管#
电力电子器件#
大规模集成电路#
超大规模集成电路#
- 厚膜浆料存在触变性,流体受到外力作用时黏度迅速下降,外力消失后,黏度迅速恢复原状。（）离子注入层的杂质浓度主要取决于离子注入的（）。Ⅰ号液是（）过氧化氢清洗液.正确#
错误能量
剂量#碱性#
酸性
中性
- 厚膜浆料属于牛顿流体,因此其粘度属于正常黏度。（）将预先制好的掩膜直接和涂有光致抗蚀剂的晶片表面接触,再用紫外光照射来进行曝光的方法,称为（）曝光。正确#
错误接触#
接近式
投影
- 厚膜元件材料的粉末颗粒越小、表面形状謦复杂,比表面积就越大,则表面自由能也就越高,对烧结越有利。（）二氧化硅在扩散时能对杂质起掩蔽作用进行（）扩散。正确#
错误预
再
选择#
- 钯．银电阻的烧结分预烧结、烧结、降温冷却三个阶段。（）离子注入层的杂质浓度主要取决于离子注入的（）。从离子源引出的是：（）二氧化硅在扩散时能对杂质起掩蔽作用进行（）扩散。正确#
错误能量
剂量#A、原子束
- 设置的非破坏性键合拉力通常为最小键合强度的50％。（）正确#
错误
- 目前在半自动化和自动化的键合机上用的金丝或硅铝丝都是经生产厂家严格处理包装后销售,一般不能再退火,一经退火反而坏了性能。（）说明构成每个单元所需的基本门和基本单元的集成电路设计过程叫（）：介质隔离是以绝
- 退火处理能使金丝和硅铝丝的抗断强度下降。（）下列晶体管结构中,在晶体管输出电流很大时常使用的是：（）将预先制好的掩膜直接和涂有光致抗蚀剂的晶片表面接触,再用紫外光照射来进行曝光的方法,称为（）曝光。正确#
- 晶体的特点是在各不同晶向上的物理性能、机械性能、化学性能都相同。（）正确#
错误
- 门阵列的基本结构形式有两种：一种是晶体管阵列,一种是门阵列（）正确#
错误
- 逻辑电路只能处理“非O即1“这两个值。（）正确#
错误
- 双极晶体管中只有一种载流子（电子或空穴）传输电流。（）恒定表面源扩散的杂质分布在数学上称为什么分布？（）正确#
错误A、高斯函数
B、余误差函数#
C、指数函数
D、线性函数
- 工艺人员完成工艺操作后要认真、及时填写工艺记录,做到记录内容详细、（）、（）、书写工整、（）。下列材料属于N型半导体是（）。真实；完整；数据准确硅中掺有元素杂质磷（P）、砷（As）#
硅中掺有元素杂质硼B.、
- 光刻工艺一般都要经过涂胶、（）、曝光、（）、坚膜、腐蚀、（）等步骤。位错的形成原因是（）。在温度相同的情况下,制备相同厚度的氧化层,分别用干氧,湿氧和水汽氧化,哪个需要的时间最长？（）将预先制好的掩膜直接
- 位错的形成原因是（）。位错就是由弹性形变造成的
位错就是由重力造成的
位错就是由范性形变造成的#
以上答案都不对
- 腐蚀V形槽一般采用（）的湿法化学腐蚀方法。说明构成每个单元所需的基本门和基本单元的集成电路设计过程叫（）：从离子源引出的是：（）各向异性A、逻辑设计#
B、物理设计
C、电路设计
D、系统设计A、原子束
B、分子
- 用肉眼或显微镜可观察二氧化硅的以下质量：颜色（）、结构（）；表面无（）、无（）、不发花；表面无裂纹、（）。下列晶体管结构中,在晶体管输出电流很大时常使用的是：（）硅外延生长工艺包括（）。是否均匀；是否
- 离子注入层的杂质浓度主要取决于离子注入的（）。能量
剂量#
- 离子注入层的深度主要取决于离子注入的（）。能量#
剂量
- 在半导体工艺中,硫酸常用于去除（）和配制（）等。光刻胶；洗液
- 化学清洗中是利用硝酸的强（）和强（）将吸附在硅片表面的杂质除去。酸性；氧化性
- 白光照射二氧化硅时,不同的厚度有不同的（）。位错的形成原因是（）。恒定表面源扩散的杂质分布在数学上称为什么分布？（）干涉色位错就是由弹性形变造成的
位错就是由重力造成的
位错就是由范性形变造成的#
以上答
- 半导体中的离子注入掺杂是把掺杂剂（）加速到的需要的（）,直接注入到半导体晶片中,并经适当温度的（）。离子；能量；退火处理
- 离子注入是借其（）强行进入靶材料中的一个（）物理过程。动能；非平衡
- 人们规定：（）电压为安全电压.36伏以下#
50伏以下
24伏以下
- 二氧化硅在扩散时能对杂质起掩蔽作用进行（）扩散。预
再
选择#
- 外延生长方法比较多,其中主要的有（）外延、（）外延、金属有机化学气相外延、分子束外延、（）、固相外延等。在温度相同的情况下,制备相同厚度的氧化层,分别用干氧,湿氧和水汽氧化,哪个需要的时间最长？（）Ⅰ号液是
- 抛光片的质量检测项目包括：几何参数,直径、（）、主参考面、副参考面、平整度、弯曲度等；（）,电阻率,载流子浓度,迁移率等；晶体质量,晶向,位错密度。说明构成每个单元所需的基本门和基本单元的集成电路设计过程叫
- 半导体材料的主要晶体结构有（）型、闪锌矿型、（）型。恒定表面源扩散的杂质分布在数学上称为什么分布？（）金刚石；纤锌矿A、高斯函数
B、余误差函数#
C、指数函数
D、线性函数
- 光刻工艺是利用感光胶感光后抗腐蚀的特性在半导体晶片表面的掩膜层上的工艺（）刻制图形#
绘制图形
制作图形
川公网安备 51012202001360号