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- 二氧化硅在扩散时能对杂质起掩蔽作用进行（）扩散。预
再
选择#
- 硅外延生长工艺包括（）。离子注入层的杂质浓度主要取决于离子注入的（）。衬底制备#
原位HCl腐蚀#
生长温度,生长压力,生长速度#
尾气的处理#能量
剂量#
- Ⅰ号液是（）过氧化氢清洗液.碱性#
酸性
中性
- 将预先制好的掩膜直接和涂有光致抗蚀剂的晶片表面接触,再用紫外光照射来进行曝光的方法,称为（）曝光。接触#
接近式
投影
- 腐蚀二氧化硅的水溶液一般是用（）A、盐酸
B、硫酸
C、硝酸
D、氢氟酸#
- 下列材料属于N型半导体是（）。硅外延生长工艺包括（）。硅中掺有元素杂质磷（P）、砷（As）#
硅中掺有元素杂质硼B.、铝（Al）
砷化镓掺有元素杂质硅（Si）、碲（TE）#
砷化镓中掺元素杂质锌、镉、镁衬底制备#
原位H
- 位错的形成原因是（）。位错就是由弹性形变造成的
位错就是由重力造成的
位错就是由范性形变造成的#
以上答案都不对
- 下列晶体管结构中,在晶体管输出电流很大时常使用的是：（）硅外延片的应用包括（）。A、单基极条图形
B、双基极条图形
C、基极和集电极引线孔都是马蹄形结构
D、梳状结构#二极管和三极管#
电力电子器件#
大规模集成
- 位错的形成原因是（）。二氧化硅在扩散时能对杂质起掩蔽作用进行（）扩散。介质隔离是以绝缘性能良好的电介质作为“隔离墙”来实现电路中各元器件间彼此电绝缘的一种隔离方法。常用的电介质是（）层。位错就是由弹性形
- 下列晶体管结构中,在晶体管输出电流很大时常使用的是：（）A、单基极条图形
B、双基极条图形
C、基极和集电极引线孔都是马蹄形结构
D、梳状结构#
- 硅外延片的应用包括（）。介质隔离是以绝缘性能良好的电介质作为“隔离墙”来实现电路中各元器件间彼此电绝缘的一种隔离方法。常用的电介质是（）层。二极管和三极管#
电力电子器件#
大规模集成电路#
超大规模集成电路
- 离子注入层的杂质浓度主要取决于离子注入的（）。单相3线插座接线有严格规定（）能量
剂量#“左零”“右火”#
“左火”“右零”
- 在温度相同的情况下,制备相同厚度的氧化层,分别用干氧,湿氧和水汽氧化,哪个需要的时间最长？（）人们规定：（）电压为安全电压.A、干氧#
B、湿氧
C、水汽氧化
D、不能确定哪个使用的时间长36伏以下#
50伏以下
24伏以
- 离子注入层的杂质浓度主要取决于离子注入的（）。Ⅰ号液是（）过氧化氢清洗液.能量
剂量#碱性#
酸性
中性
- 硅外延生长工艺包括（）。将预先制好的掩膜直接和涂有光致抗蚀剂的晶片表面接触,再用紫外光照射来进行曝光的方法,称为（）曝光。衬底制备#
原位HCl腐蚀#
生长温度,生长压力,生长速度#
尾气的处理#接触#
接近式
投影
- 离子注入层的杂质浓度主要取决于离子注入的（）。能量
剂量#
- 二氧化硅在扩散时能对杂质起掩蔽作用进行（）扩散。预
再
选择#
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